完整的DDR1 / 2/3
显存供电
电源管理
描述
该SC486是一个组合开关稳压器和线性
源出/吸入电流调节器用于DDR1 / 2/ 3内存
系统。开关调节器用于生成所述
电源电压VDDQ，用于存储器系统。它是一个
伪固定频率恒定导通时间控制器
设计用于高效率，优异的直流精确度，并
快速的瞬态响应。线性源/汇稳压器
用于生成存储终止电压，VTT
与以源和汇一3A峰值电流的能力。
为VDDQ调节器，所述开关频率
不变，直到负载或线路电压的步骤发生在
该时间的脉冲密度，即频率，会增加
或减少计数器输出的瞬时变化或
输入电压。瞬态之后，频率将返回
到稳态运行。在轻负载时，可选择
省电模式可以使PWM变换器，以减少
其开关频率，提高工作效率。该
集成门极驱动器具有自适应贯通
保护和软开关。
为VTT调节器，其输出电压跟踪VREF时，
which is ½ VDDQ to provide an accurate termination
电压。 VTT输出从1.2V到VDDQ产生的
由线性源/汇稳压器，设计输入
高直流精度，快速瞬态响应和低
外部元件数量。其他功能还包括
逐周期电流限制，数字软启动，电源
良好的（唯一的全VDDQ ）和过压和欠压
保护（ VDDQ和VTT ） 。所有3个输出（ VDDQ ， VTT和
REF ）都在积极出院时VDDQ被禁用，
减少了外部元件数量和成本。该SC486
可在一个24引脚MLPQ 4mmx4mm无铅
封装。
SC486
特点
DDR1 ， DDR2和DDR3兼容
恒定导通时间控制器，用于快速动态
反应在VDDQ
可编程VDDQ范围 - 1.5V到3V
1％的内部基准电压（ 2％的系统精度）
准时VDDQ电阻可编程
VCCA / VDDP范围从4.5V至5.5V
VBAT范围= 2.5V至25V
VDDQ直流电流检测用低侧R
DS （ ON）
传感或外置R
SENSE
在同系列低端
FET
逐周期电流限制为VDDQ
数字软启动的VDDQ
联合EN和PSAVE引脚为VDDQ
过压/欠压故障保护
两路输出和PGD输出（仅VDDQ ）
独立VCCA和VDDP用品
VTT / REF范围= 0.75V - 1.5V
VTT源出/吸入3A峰值
内部电阻分压器的VTT / REF
VTT为高阻抗的S3
VDDQ ， VTT和REF积极排出
S4/S5
24引脚MLPQ （ 4× 4毫米）无铅封装，完全
WEEE和RoHS标准
应用
笔记本电脑
CPU的I / O电源
手持终端和掌上电脑
液晶显示器
网络电源
5VSUS
R3 470K
VBAT
典型应用电路
VBAT
5VSUS
5VRUN
R1
R4 10R
C1
NO- POP
REF
R6
10R
R9
C6
1uF
C7
NO- POP
C2
R5
1uF
R2
10R
11
3
2
6
R7 10R
C3
NO- POP
R8 0R
C8
1nF
C9
1uF
8
9
10
5
4
14
15
12
13
16
17
U1
VTTEN
VDDQS
吨
FB
REF
COMP
VTTS
VCCA
VSSA
VTT
VTT
VTTIN
VTTIN
PGND2
PGND2
PAD
SC486
PGD
EN / PSV
7
1
D1
PGOOD
VDDQ
5
BST
24
C4
0.1uF
R10
4
3
8
6
C5
10uF
DH
ILIM
LX
23
21
22
7
L1
VDDQ
+
C10
VTT
VDDQ
C11
20uF
C12
1uF
DL
VDDP
PGND1
19
20
18
C13
1uF
2
Q1
1
修订： 2006年9月13日
1
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SC486
电源管理
绝对最大额定值
(10)
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。参数之外运行
在电气特性规定是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下的时间过长，则可能
影响器件的可靠性。
参数
TON到VSSA
DH ， BST到PGND1
LX至PGND1
DL ， ILIM ， VDDP为PGND1
VDDP为DL
VTTIN ， VTT为PGND2
VTTIN到VTT
COMP ， EN / PSV ， FB ， PGD ，楼盘， VCCA ， VDDQS ， VTTEN ，
VTTS TO VSSA
VCCA到COMP ， EN / PSV ， FB ，楼盘， VDDQS ， VTT ， VTTEN ，
VTTIN ， VTTS
PGND1至PGND2 ， PGND1到VSSA
BST ，卫生署LX
热阻结到环境
工作结温范围
存储温度范围
峰值IR再溢流温度， 10秒 - 40秒
符号
最大
-0.3 25.0
-0.3 30.0
-2.0至25.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+0.3
-0.3到+6.0
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
° C / W
°C
°C
°C
θ
JA
T
J
T
英镑
T
PKG
29
-40到+150
-65到+150
260
电气特性
测试条件： V
BAT
= 15V ， VCCA = VDDP = VTTEN = EN / PSV = 5V ， VDDQ = VTTIN = 1.8V ，R
吨
= 1M
参数
条件
民
25°C
典型值
最大
-40°C至125°C
民
最大
单位
输入电源
VCCA工作电流
VCCA工作电流， S3
VDDP工作电流
TON工作电流
VTTIN工作电流
VCCA + VDDP + TON
关断电流
FB >调节点，我
VDDQ
= 0A
FB >调节点，我
VDDQ
= 0A,
VTTEN = 0V
FB >调节点，我
VDDQ
= 0A
RTON = 1M
I
VTT
= 0A
EN / PSV = VTTEN = 0V
1500
1000
70
15
1
5
5
11
150
2500
A
A
A
A
A
A
2006年升特公司
2
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电源管理
电气特性（续）
测试条件： V
BAT
= 15V ， VCCA = VDDP = VTTEN = EN / PSV = 5V ， VDDQ = VTTIN = 1.8V ，R
吨
= 1M
参数
条件
民
25°C
典型值
最大
-40 ° C至125 ° C单位
民
最大
VDDQ控制器
FB误差比较器的阈值
(1)
ON- TIME
VCCA = 4.5V至5.5V
R
吨
= 1M
R
吨
= 500k
, -10°C
≤
T
A
≤
125°C
R
吨
= 500k
, -40°C
≤
T
A
≤
125°C
最小关断时间
VDDQS输入电阻
VDDQS关闭
放电电阻
FB漏电流
VTT控制器
COMP漏电流
REF源电流
REF输出精度
REF关闭
放电电阻
VTT输出精度
VTT关闭
放电电阻
VTTS漏电流
电流检测
ILIM电流
电流比较器的失调
过零阈值
VDDQ故障保护
电流限制（正）
(2)
PGND1 - LX ，R
ILIM
= 5k
PGND1 - LX ，R
ILIM
= 10k
PGND1 - LX ，R
ILIM
= 20k
电流限制（负）
输出欠压故障
欠压故障延时
2006年升特公司
1.500
460
265
1.485
390
225
225
1.515
530
305
320
550
V
ns
400
150
EN / PSV = GND
22
-1.0
ns
k
1.0
A
-1.0
10
I
REF
= 0至10mA
EN / PSV = GND
-2A <我
VTT
< 2A
EN / PSV = GND
900
22
REF
22
-1.0
-20
882
1.0
A
mA
918
mV
+20
mV
1.0
A
10
PGND1 - ILIM
PGND1 - LX ， EN / PSV = 5V
5
9
-10
11
10
A
mV
mV
50
100
200
-125
-30
8
35
80
170
-160
-35
65
120
230
-90
-25
mV
PGND1 - LX
相对于内部参考
FB被迫低于Vth的紫外线
3
mV
%
CLKS
(3)
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电源管理
电气特性（续）
测试条件： V
BAT
= 15V ， VCCA = VDDP = VTTEN = EN / PSV = 5V ， VDDQ = VTTIN = 1.8V ，R
吨
= 1M
参数
条件
民
25°C
典型值
最大
-40°C至125°C
民
最大
单位
VDDQ故障保护（续）
欠压空白时间
输出过压故障
过电压故障延时
PGD低输出电压
PGD漏电流
PGD UV阈值
PGD故障延时
低电压VCCA
VTT故障保护
输出欠压故障
输出过压故障
故障关机延迟
热关断
(4)(5)
输入/输出
逻辑输入低电压
EN & PSV低
VTTEN低
逻辑输入高电压
EN高，低PSV
VTTEN高
逻辑输入高电压
EN / PSV输入电阻
EN高， PSV高
采购
下沉
软启动
VDDQ软启动斜坡时间
VTT软启动斜率
(6)
门驱动器
拍摄得来速保护延时
(4)(7)
DL下拉电阻
DL灌电流
2006年升特公司
从EN高
相对于内部参考
FB被迫上述Vth的OV
吸收1mA
FB中规定， PGD = 5V
相对于内部参考
FB被迫外PGD窗口
下降沿， 100mV的滞后
440
+16
5
0.4
1
-10
5
4.0
3.7
4.3
-12
-8
+12
+20
CLKS
(3)
%
s
V
A
%
s
V
VTT W / RT REF
VTT W / RT REF
UV外VTT / OV窗口
-12
+12
50
160
-16
+8
-8
+16
%
%
s
150
170
°C
1.2
0.6
2.0
2.4
3.1
1.5
1.0
V
V
V
M
EN / PSV高PGD高
440
6
CLKS
(3)
毫伏/微秒
DH或DL上升
DL低
V
DL
= 2.5V
4
30
0.8
3.1
1.6
ns
A
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电源管理
电气特性（续）
测试条件： V
BAT
= 15V ， VCCA = VDDP = VTTEN = EN / PSV = 5V ， VDDQ = VTTIN = 1.8V ，R
吨
= 1M
参数
条件
民
25°C
典型值
最大
-40°C至125°C
民
最大
单位
门驱动器（续）
DL拉电阻
DL源电流
DH下拉电阻
DH拉电阻
(8)
DH吸入/源出电流
VTT上拉电阻
VTT下拉电阻
VTT峰值吸入/源出电流
(9)
DL高
V
DL
= 2.5V
DH低， BST - LX = 5V
DH高， BST - LX = 5V
V
DH
= 2.5V
VTTS < REF
VTTS > REF
2
1.3
2
2
1.3
0.25
0.25
3.6
2.0
0.45
0.45
4
4
4
A
A
A
注意事项：
（1）的输出电压将具有比误差比较器阈值更高的直流稳压电平通过的50％
纹波电压。
（2）使用电流感测电阻器，该测量涉及PGND1减去在该源的电压
低边MOSFET 。
（ 3 ） CLKS =开关周期，由一个高侧和低压侧栅极脉冲。
（ 4 ）通过设计保证。
（ 5 ）热关断锁存两个输出（ VTT和VDDQ ）关闭，需要VCCA或EN / PSV循环复位。
（ 6 ） VTT软启动斜坡速率为6mV /μs的典型除非VDDQ / 2的斜坡速率较慢。如果这是真的， VTT软启动
坡道在为6mV / μs（典型值） ，直到达到VDDQ / 2 ，然后跟踪它。
（ 7 ）请参见下面的贯通延迟时序图。
（ 8 ） Semtech的SmartDriver FET驱动第一DH拉大与10Ω的上拉电阻（典型值），直到LX = 1.5V
（典型值） 。在这一点上，附加上拉器件被激活时，降低到2Ω的电阻（典型值） 。这否定了
无需外部栅极或升压电阻。
下面T（ 9 ）提供的操作
J（下最大）
被保持。
（ 10 ）本设备是ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
直通延迟时序图
LX
DH
DL
DL
tplhDL
tplhDH
2006年升特公司
5
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QQ：2881677436 复制
