ST755
电气特性
（参照测试电路，V
CC
= 5V, V
OUT
= -5.25至-4.75V ，
I
负载
= 0毫安，T
a
= T
民
给T
最大
除非另有规定。典型的价值被称为在T
a
= 25
o
C)
符号
V
I N
V
o
I
o
参数
输入电压
输出电压
输出电流
I
o
= 0 mA至200毫安V
CC
= 4.5 6.2 V
V
CC
= 4.5 6.2 V T，
a
= 0
o
C至70
o
C
o
o
V
CC
= 4.5 6.2 V T，
a
= -40 ℃至85℃
V
CC
= 4 V
V
OUT
= -5 V
V
CC
= 2.7 V V
OUT
= -5 V
无负载，V
SHDN
= V
CC
无负载，
V
SHDN
= 0V
测试条件
分钟。
2.7
-5.25
200
175
-5
275
175
125
1.2
10
1.2
V
CC
= 4 6.2 V
I
o
= 0 mA至200毫安
T
a
= 25
o
C
T
a
= T
民
给T
最大
V
DS
= 10 V
1.18
0.1
0.003
1.25
50
0.7
1
1
0.25
2
160
I
o
= 100毫安
68
7.5
1.32
3.5
100
典型值。
马克斯。
11
-4.75
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
%/V
％ / mA的
V
PPM /℃
A
A
V
V
千赫
%
K
o
I
供应
电源电流（包括
开关电流）
I
关闭
I
SC
V
o
V
o
V
REF
V
REF
R
DSON
I
泄漏
I
SH
V
il
V
ih
f
o
½
CC
待机电流
短路电流
线路调整
负载调整率
参考电压
参考Dritft
LX抗性
LX漏电流
关断引脚电流
关断输入阈值低
关断输入高
门槛
振荡器频率
电源工作功率
补偿引脚阻抗
不要过载或短路输出到地面。如果上述条件observerd ，该设备可能被损坏。
应用信息
在ST755中的IC开发用于电压
从输入电压范围从转换
+ 2.4V至11V到一个稳定的负调节
输出受限| V
OUT
|
≤
12.7V-V
IN
。该电路
采用电流模式PWM控制方案
达到良好的效率，高稳定性和低
噪声性能。在第一页的图形
所示的装置的详细框图。
ST755被实现在一个BCD工艺以
实现高温稳定性，最好
参考精度，极低的静态
当前和无抖动操作。最后阶段
是围绕一个0.7Ω - 2A P沟道功率
MOS 。输出电流的一小部分分裂
从当前detection.Internal时钟频率
固定到为160kHz 。误差放大器驱动
PWM比较器，以保持0V的CC
输入。以r
3
和R
4
电阻器被计算
以下式 - [R
4
= (|V
OUT
|/V
REF
)*R
3
（见图
1） 。对于R
3
可以作为选件之间的任意值
2KΩ和20KΩ 。软启动（ SS ）输入电压
取决于输出电流限制（参见图9 ，
开关电流限制与SS输入电压） 。 SS
引脚在内部上拉至V
REF
通过一个1.2兆欧
电阻器。应用一个适当的电容，在SS
输入能够得到软启动电流
在上电期间的限制。强制软启动（ SS ）
输入到一个较低的电压通过一个电阻
电压驱动器（R
1
和R
2
），最大LX
CURENT限制可以降低，根据该
图中显示，如图9。当SHDN输入
低，总的电流消耗降低至
10A.
3/9
ST755
应用电路
为了实现从切换的最佳演出
电源拓扑结构，特别注意布局
附图是需要的，以便最大限度地减少EMI和
获得低噪音，无抖动操作而且，
确保了完整的设备功能。布局
在演示板设计建议（见图片2 ）
有助于降低显影时间。
导线长度必须最小化，过滤器和
旁路电容
1
, C
2
和C
3
必须是低
ESR的类型，置于尽可能接近的
集成电路。 10μH的电感必须
选择建立在一个核心，同时注意饱和
电流应大于峰值LX开关更高
电流。见峰值电感电流
与负载电流曲线图（图6）
图1 ：典型应用电路
（*） R1和R2可以省略为Iout<200mA 。
（ ** ） C6 ：极低的噪声，但瞬态和负载响应速度差。
（ *** ）， C3 （替代C6 ） ：更快的瞬态和负载响应。
图2 ：打印演示板
符号
V
CC
V
OUT
SHDN
GND
针
1
2
3
4
组件值
电容
C1
C2
C3
C4
C5
C6
4/9
价值
47
100
82
1
10
47
单位
F
F
pF
F
F
pF
电阻器
R1
R2
R3
R4
R5
价值
130
300
10
40.7
10
单位
K
K
K
K
K
QQ：2880707522 复制
