SUD50P04-23
Vishay Siliconix公司
P通道40 - V（D -S）， 175 ℃下的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 40
R
DS （ ON）
(Ω)
0.023在V
GS
= 10 V
0.030在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
- 20
- 20
Q
g
（典型值）。
20.6 NC
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
RoHS指令
柔顺
应用
液晶电视逆变器
TO-252
S
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶部
意见
订货信息：
SUD50P04-23 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
极限
- 40
± 16
- 20
a
- 20
a
- 8.2
b
- 5.7
b
- 50
- 20
a
- 2.5
b
- 20
20
45.4
22.7
3.1
b
1.5
b
- 55 175
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
I
D
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
A
mJ
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
b
稳定状态
稳定状态
最大结到外壳
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
符号
R
thJA
R
thJC
典型
40
2.75
最大
48
3.3
单位
° C / W
文档编号： 74423
S- 81956 -REV 。 B， 25 - 8 - 08
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1
SUD50P04-23
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 16 V
V
DS
= - 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100 °C
V
DS
≥
- 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 15 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 10 A
V
DS
= 15 V，I
D
= - 15 A
分钟。
- 40
典型值。
马克斯。
单位
V
- 40
3.7
-0.8
-2
± 100
-1
- 20
- 30
0.019
0.024
30
1880
0.023
0.030
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
a
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= - 20 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 30 A
V
DS
= - 20 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 30 A
F = 1 MHz的
V
DD
= - 20 V ，R
L
= 0.66
Ω
I
D
- 30 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
286
192
43.5
20.6
4.6
7.6
3
22
217
42
21
8
5
35
325
65
32
15
20
55
15
- 20
- 50
- 0.85
44
53
18
26
- 1.2
66
80
65
31
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= - 20 V ，R
L
= 0.66
Ω
I
D
- 30 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
12
36
9
T
C
= 25 °C
I
S
= - 10 A
A
V
ns
nC
ns
I
F
= - 20 A ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 74423
S- 81956 -REV 。 B， 25 - 8 - 08
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
80
V
GS
= 10通4
V
64
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
1.6
2.0
48
1.2
32
3
V
16
0.8
T
C
= 125 °C
0.4
25 °C
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.0
- 55 °C
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
50
T
C
= - 55 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
g
fs
- 跨导（S ）
40
25 °C
0.04
0.05
传输特性
30
125 °C
0.03
V
GS
= 4.5
V
V
GS
= 10
V
20
0.02
10
0.01
0
0
7
14
I
D
- 漏电流（ A）
21
28
0.00
0
16
32
48
64
80
I
D
- 漏电流（ A）
跨
0.20
3000
导通电阻与漏电流
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.16
- 电容（pF ）
2400
C
国际空间站
1800
0.12
0.08
125 °C
0.04
25 °C
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1200
600
C
RSS
0
0
8
16
C
OSS
24
32
40
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 74423
S- 81956 -REV 。 B， 25 - 8 - 08
电容
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SUD50P04-23
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
I
D
= 30 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
V
DS
= 20
V
6
1.8
2.1
I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5
V
（归一化）
V
DS
= 10
V
1.5
V
GS
= 10
V
1.2
4
V
DS
= 30
V
2
0.9
0
0
10
20
30
40
50
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
100
0.7
导通电阻与结温
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
0.5
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
(V)
1
0.3
I
D
= 5毫安
0.1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
- 0.1
0.001
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
T
J
- 温度（℃ ）
源极 - 漏极二极管正向电压
200
200
阈值电压
160
160
功率（W）的
功率（W）的
120
120
80
80
40
40
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
单脉冲功率，结到环境
单脉冲功率，结至外壳
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文档编号： 74423
S- 81956 -REV 。 B， 25 - 8 - 08
SUD50P04-23
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
I
D
- 漏电流（ A）
10
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
有限
by
R
DS （ ON）
*
I
D
- 漏电流（ A）
10
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
T
A
= 25 °C
单脉冲
10 s
DC
BVDSS
有限
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
1
0.1
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS
有限
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
9
35
7
I
D
- 漏电流（ A）
28
5
I
D
- 漏电流（ A）
安全工作区，结至外壳
21
4
14
包装有限公司
2
7
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
电流降额** ，结到环境
电流降额** ，结至外壳
**功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 74423
S- 81956 -REV 。 B， 25 - 8 - 08
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5
QQ：2880707522 复制
