SPP12N50C3
SPI12N50C3,
SPA12N50C3
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
I
D
FP
PG-TO220-3-31
PG-TO262-
560
0.38
11.6
PG-TO220
2
V
A
1
23
P-TO220-3-1
PG- TO- 220-3-31 ; -3-111 ：全隔离封装（ 2500 VAC ， 1分钟）
TYPE
包
订购代码
SPP12N50C3
PG-TO220
Q67040-S4579
记号
12N50C3
12N50C3
12N50C3
SPI12N50C3
PG-TO262
Q67040-S4578
SPA12N50C3
最大额定值
参数
PG-TO220FP
SP000216322
符号
价值
单位
SPP_I
SPA
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
A
11.6
7
I
D
PULS
11.6
1)
7
1)
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
34.8
34.8
A
E
AS
340
340
mJ
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=11.6A,
V
DD
=50V
E
AR
0.6
0.6
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
门源电压
I
AR
11.6
11.6
A
V
GS
±20
±
30
±20
±
30
V
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
V
GS
P
合计
125
33
W
工作和存储温度
反向二极管的dv / dt
7)
T
j
,
T
英镑
dv / dt的
-55...+150
15
°C
V / ns的
启示录
3.0
第1页
2007-08-30
SPP12N50C3
SPI12N50C3 ， SPA12N50C3
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
条件
分钟。
值
典型值。
8
1200
400
30
45
92
10
8
45
8
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
≥
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
S
pF
有效输出电容，
5)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
6)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至400V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=11.6A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
ns
V
DD
=400V,
I
D
=11.6A
-
-
-
-
5
26
49
5
-
-
-
-
nC
V
DD
=400V,
I
D
=11.6A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=400V,
I
D
=11.6A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
6
C
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
.
O（ TR ）
DSS
7
我< = I ， DI / dt< = 400A / us的，V
SD
D
的dcLINK
=400V, V
PEAK
＆ LT ; V
BR ， DSS
, T
j
＆ LT ;吨
， MAX
.
相同的低侧和高侧开关。
启示录
3.0
第3页
2007-08-30
SPP12N50C3 ， SPB12N50C3
SPI12N50C3 ， SPA12N50C3
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
I
D
P-TO262
P-TO263-3-2
560
0.38
11.6
V
A
P-TO220-3-31
P-TO220-3-1
2
1
P-TO220-3-1
23
P- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）
TYPE
包
订购代码
SPP12N50C3
SPB12N50C3
SPI12N50C3
SPA12N50C3
最大额定值
参数
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262
Q67040-S4579
Q67040-S4641
Q67040-S4578
记号
12N50C3
12N50C3
12N50C3
12N50C3
P- TO220-3-31 Q67040 - S4577
符号
I
D
价值
单位
SPA
SPP_B_I
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
A
11.6
7
11.6
1)
7
1)
34.8
340
0.6
11.6
±20
±
30
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
34.8
340
0.6
11.6
±20
±
30
A
mJ
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=11.6A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
门源电压
A
V
W
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
125
33
工作和存储温度
T
j ,
T
英镑
-55...+150
°C
2.1版
第1页
2004-03-29
SPP12N50C3 ， SPB12N50C3
SPI12N50C3 ， SPA12N50C3
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
条件
分钟。
值
典型值。
8
1200
400
30
45
92
10
8
45
8
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
≥
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
S
pF
有效输出电容，
5)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
6)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至400V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=11.6A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
ns
V
DD
=400V,
I
D
=11.6A
-
-
-
-
5
26
49
5
-
-
-
-
nC
V
DD
=400V,
I
D
=11.6A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=400V,
I
D
=11.6A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
6
C
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
.
O（ TR ）
DSS
2.1版
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SPP12N50C3
SPI12N50C3,
SPA12N50C3
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
I
D
FP
PG-TO220-3-31
PG-TO262-
560
0.38
11.6
PG-TO220
2
V
A
1
23
P-TO220-3-1
PG- TO- 220-3-31 ; -3-111 ：全隔离封装（ 2500 VAC ， 1分钟）
TYPE
包
订购代码
SPP12N50C3
PG-TO220
Q67040-S4579
记号
12N50C3
12N50C3
12N50C3
SPI12N50C3
PG-TO262
Q67040-S4578
SPA12N50C3
最大额定值
参数
PG-TO220FP
SP000216322
符号
价值
单位
SPP_I
SPA
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
A
11.6
7
11.6
1)
7
1)
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
I
PULS
34.8
34.8
A
E
AS
340
340
mJ
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=11.6A,
V
DD
=50V
E
AR
0.6
11.6
0.6
11.6
A
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
门源电压
I
AR
V
GS
±20
±
30
±20
±
30
V
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
V
GS
P
合计
125
33
W
工作和存储温度
反向二极管的dv / dt
7)
T
j ,
T
英镑
dv / dt的
-55...+150
15
°C
V / ns的
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SPI12N50C3 ， SPA12N50C3
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
条件
分钟。
值
典型值。
8
1200
400
30
45
92
10
8
45
8
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
≥
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
S
pF
有效输出电容，
5)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
6)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至400V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=11.6A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
ns
V
DD
=400V,
I
D
=11.6A
-
-
-
-
5
26
49
5
-
-
-
-
nC
V
DD
=400V,
I
D
=11.6A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=400V,
I
D
=11.6A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
6
C
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
.
O（ TR ）
DSS
7
我< = I ， DI / dt< = 400A / us的，V
SD
D
的dcLINK
=400V, V
PEAK
＆ LT ; V
BR ， DSS
, T
j
＆ LT ;吨
， MAX
.
相同的低侧和高侧开关。
启示录
3.1
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2009-11-30
QQ：2881677436 复制
