SGA-5263
产品说明
该
SGA - 5263是一款高性能的SiGe HBT MMIC放大器。
达林顿电路配置具有1微米发射器提供
高FT和优异的热性能比较。异质结
增加了击穿电压和最小漏电流
路口之间。的发射结不取消
非线性导致更高的抑制交调的
UCTS 。只有2个隔直电容，偏置电阻和
可选RF扼流圈所需要的操作。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了
后退火处理，以减轻锡晶须形成，并
每个符合RoHS欧盟指令2002/95标准。这个包是
还制造与包含绿色塑封料
没有三氧化锑，也没有卤化阻燃剂。
SGA-5263Z
Pb
符合RoHS
初步
＆放大器;
绿色
包
DC -4500 MHz的硅锗可级联
增益模块
产品特点
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
DC -4500 MHz工作
单电源供电
低电流消耗： 60毫安在3.4V （典型值） 。
高输出截取： 29 dBm的典型值。在1950MHz
小信号增益与频率的关系
15
应用
10
5
振荡器放大器
宽带增益模块
IF / RF缓冲放大器
25C
-40C
85C
dB
0
0.1
1
1.9
2.8
3.7
4.6
5.5
GHz的频率
符号
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，我
D
= 60 mA时， T = 25℃
输出电网在1dB压缩
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
单位
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
兆赫
F = 1950 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 1950 MHz的
-
-
dB
dB
dB
dB
V
mA
摄氏度/ W
分钟。
典型值。
16.3
15.0
14.0
32.5
29.3
27.3
13.3
12.6
12.3
4500
1.2:1
1.4:1
18.3
19.2
19.5
4.0
3.4
马克斯。
P
1dB
IP
3
三阶截点
每个音POW ER出= -10 dBm的
S
21
Bandw ID
S
11
S
22
S
12
NF
V
D
I
D
R
th
J-升
小信号增益
S
11
, S
22
：最小10dB的回波损耗（典型值）。
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结 - 铅）
54
60
255
66
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303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS - 101540版D
SGA - 5263 DC- 4.5 GHz的3.4V SiGe半导体放大器
初步
初步
典型
25 C
试验C ondition
ü尼特
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
(I
D
= 60毫安，除非otherw ISE说明）
参数
100 MH
盖
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向Isolati上
降噪器连接gure
500 MH
盖
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向Isolati上
降噪器连接gure
850 MH
盖
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向Isolati上
降噪器连接gure
1950 MH
盖
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向Isolati上
降噪器连接gure
2400 MH
盖
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向Isolati上
3500 MH
盖
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向Isolati上
13.6
33.6
16.1
26.0
17.7
3.9
13.5
33.0
16.4
23.5
18.0
3.9
13.3
32.5
16.3
21.4
18.3
4.0
12.6
29.3
15.0
20.2
19.2
4.0
12.3
27.3
14.0
23.0
19.5
11.8
23.1
11.6
24.6
19.6
音spaci纳克= 1 MHz时，每个音噘= -10dBm
Z
s
= 50欧姆
音spaci纳克= 1 MHz时，每个音噘= -10dBm
Z
s
= 50欧姆
音spaci纳克= 1 MHz时，每个音噘= -10dBm
Z
s
= 50欧姆
音spaci纳克= 1 MHz时，每个音噘= -10dBm
Z
s
= 50欧姆
音spaci纳克= 1 MHz时，每个音噘= -10dBm
音spaci纳克= 1 MHz时，每个音噘= -10dBm
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
120
mA
6V
+16 dBm的
+
150
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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初步
初步
针＃
1
功能
描述
GND
连接到地。为了获得最好的
过孔的使用性能（如接近
接地引线尽可能），以减少铅
电感。
GND
相同的引脚1
在RF
射频输入引脚。该引脚需要使用的
外部隔直流电容器选择用于
操作的次数。
相同的引脚1
相同的引脚1
RF输出和偏置引脚。偏差应
通过外部提供给该引脚
串联电阻器和射频扼流电感器。
由于直流偏置存在于这个针，一
隔直电容应使用
大多数应用程序（见应用
原理图） 。这种偏见的供给方
网络应该很好旁路。
设备原理图
2
3
4
5
6
GND
GND
RF OUT
应用原理
推荐偏置电阻值
供应
电压（Vs）
Rbias两端（欧姆）
5V
27
7.5V
68
9V
91
12V
140
Cd1
Cd2
R偏压
V
s
注：偏置电阻是需要稳定
温度过高。
50 OHM
微带
Lchoke
1,2
3
6
Cb1
4,5
Cb2
50 OHM
微带
参考
代号
B1
B2
D1
D2
Lchoke
功能
隔直
隔直
脱钩
脱钩
AC阻塞
500兆赫
220 pF的
220 pF的
1 uF的
100 pF的
68 nH的
850兆赫
100 pF的
100 pF的
1 uF的
68 pF的
33 nH的
1950年兆赫
68 pF的
68 pF的
1 uF的
22 pF的
22 nH的
2400兆赫
56 pF的
56 pF的
1 uF的
22 pF的
18 nH的
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初步
初步
15
S21与温度的关系，我
D
= 60毫安
0
S12与温度的关系，我
D
= 60毫安
10
-10
dB
5
25C
-40C
85C
dB
-20
25C
-40C
85C
0
0.1
1
1.9
2.8
3.7
-30
5.5
0.1
1
1.9
2.8
3.7
4.6
4.6
5.5
GHz的
GHz的
0
S11与温度的关系，我
D
= 60毫安
0
S22与温度的关系，我
D
= 60毫安
-10
-10
dB
-20
dB
25C
-40C
85C
-20
-30
-30
-40
0.1
1
1.9
2.8
3.7
-40
5.5
0.1
1
1.9
2.8
3.7
25C
-40C
85C
4.6
4.6
5.5
GHz的
GHz的
40
IP3与温度的关系，我
D
= 60毫安
20
P1dB为与温度的关系，我
D
= 60毫安
30
15
DBM
20
25C
-40C
85C
DBM
10
25C
-40C
85C
10
5
0
0.1
1
1.9
2.8
3.7
0
0.1
1
1.9
2.8
3.7
GHz的
GHz的
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初步
初步
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施，并
测试设备必须遵守。
包装标志
产品型号订购信息
6
5
4
6
5
4
产品型号
带尺寸
设备/卷
SGA-5263
7"
7"
3000
3000
A52
1
2
3
A52Z
1
2
3
SGA-5263Z
注：1脚是在左下角时，你可以
看包装标识
SOT- 363的PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
RF
OUT
RF
IN
注意事项：
1.提供根据设备的大接地焊盘面积
引脚1 ， 2，4， & 5有许多通孔的镀
如图所示。
2.给定的尺寸为50欧姆RF I / O线是
31密耳厚GETEK 。相应规模的不同
板的厚度和介电contants 。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
ments此数据表中的31万做
厚GETEK与两侧1盎司铜。
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