新产品
SUD50N04-37P
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
40
r
DS （ ON）
(Ω)
0.037在V
GS
= 10 V
0.046在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
8
8
Q
g
（典型值）。
5.3 NC
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 ％ UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
背光逆变器的液晶显示器
全桥DC / DC转换器
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶部
意见
订货信息：
SUD50N04-37P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
极限
40
± 20
8
a
8
a
5.4
b
4.4
b
30
8
a
1.6
b
7
2.45
10.8
6.9
2.0
b
1.3
b
- 55 150
mJ
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
A
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
b
稳定状态
稳定状态
最大结到外壳
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
文档编号： 69732
S- 80109 -REV 。 B， 21 -JAN- 08
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1
符号
R
thJA
R
thJC
典型
49
9.4
最大
60
11.5
单位
° C / W
新产品
SUD50N04-37P
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 5 A
分钟。
40
典型值。
马克斯。
单位
V
44
- 5.5
1.4
2.5
± 100
1
20
10
0.0305
0.037
22
640
0.037
0.046
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
a
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
V
DS
= 20 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V ，R
L
= 4
Ω
I
D
5 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
73
41
11.7
5.3
1.9
1.7
2.2
18
14
14
10
9
30
25
25
20
18
20
25
18
8
30
0.805
19
14
13
6
1.2
30
25
20
9
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= 20 V ，R
L
= 4
Ω
I
D
5 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
11
14
8
T
C
= 25 °C
I
S
= 2 A
A
V
ns
nC
ns
I
F
= 2 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 69732
S- 80109 -REV 。 B， 21 -JAN- 08
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SUD50N04-37P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
30
V
GS
= 10直通5
V
4
V
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
4
5
18
3
T
C
= 25 °C
2
12
6
3
V
0
0.0
1
T
C
= 125 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
T
C
= - 55 °C
4
5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.060
800
传输特性
C
国际空间站
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.052
- 电容（pF ）
640
0.044
V
GS
= 4.5
V
0.036
V
GS
= 10
V
0.028
480
320
C
OSS
160
C
RSS
0
6
12
18
24
30
0.020
0
6
12
18
24
30
0
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 5 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻
V
DS
= 20
V
6
V
DS
= 30
V
4
V
DS
= 10
V
1.8
I
D
= 5 A
1.6
电容
V
GS
= 10
V
1.4
（归一化）
V
GS
= 4.5
V
1.2
1.0
2
0.8
0
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
文档编号： 69732
S- 80109 -REV 。 B， 21 -JAN- 08
导通电阻与结温
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SUD50N04-37P
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
T
J
= 150 °C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 25 °C
1
0.16
0.20
I
D
= 5 A
0.12
0.1
0.08
T
A
= 125 °C
0.04
T
A
= 25 °C
0.01
0.001
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
100
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
V
GS （ TH）
方差
(V)
I
D
= 5毫安
I
D
= 250
A
80
0.0
功率（W）的
- 25
0
25
50
75
100
125
150
60
- 0.2
40
- 0.4
20
- 0.6
- 0.8
- 50
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
100
单脉冲功率，结到环境
80
10
I
D
- 漏电流（ A）
功率（W）的
有限
by
r
DS （ ON）
*
100
s
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
10 s
DC
T
A
= 25 °C
单脉冲
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
时间（s）
0.1
1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
单脉冲功率，结至外壳
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 69732
S- 80109 -REV 。 B， 21 -JAN- 08
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Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
7
有限
by
r
DS （ ON）
*
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
10
100
s
5
4
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒，直流
3
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.01
1
0
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
r
DS （ ON）
为特定网络版
T
A
- 环境温度（ ° C）
安全工作区，结至外壳
15
2.5
电流降额* ，结到环境
12
I
D
- 漏电流（ A）
2.0
6
功率（W）的
75
100
125
150
9
包装有限公司
1.5
1.0
3
0.5
0
0
25
50
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
电流降额* ，结至外壳
15
功率降额* ，结到环境
12
功率（W）的
9
6
3
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用
0
0
25
50
75
100
125
150
结到外壳的热阻，并且是在解决更加有用
上功耗限制的情况下额外的散热装置是
使用。它被用来确定额定电流，当该等级瀑布
下面的包装限制。
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5
T
C
- 外壳温度（ ° C）
功率降额* ，结至外壳
文档编号： 69732
S- 80109 -REV 。 B， 21 -JAN- 08
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