SBR20150CT
SBR20150CTF
SBR20150CTI
SBR20150CTB
采用先进设备，最先进的SBR IC制程技术，
以下功能成为可能在单个器件中：
主要额定值及特点
值
特征
I
F（ AV ）
方波
V
RRM
V
F
@
10A ， TJ = 125
O
C
Tj
（操作/储存）
20
150
0.71
-65 175
单位
A
V
V，典型值
O
C
设备适用于高温优化
电源的应用
电气：
*
低正向压降
*
可靠的高温运行
*
超级屏障设计
*
最柔软，快速开关能力
* 175
o
C
工作结温
机械：
*
模压塑料TO- 220AB ， TO- 262 ， TO- 263 ，和
ITO - 220封装
表壳款式
SBR20150CT
SBR20150CTF
SBR20150CTI
SBR20150CTB
2
阳极
常见
阴极
2
3
阳极
阳极
2
1
3
阳极
阳极
1
常见
阴极
1
常见
阴极
3
阳极
阳极
常见
阴极
2
1
TO-263
阳极
3
TO-220AB
ITO-220
TO-262
________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
2.0版 - 2006年4月
1
SBR20150CT
SBR20150CTF
SBR20150CTI
SBR20150CTB
最大额定值和电气特性
（25
O
C除非另有说明）
符号
阻断电压DC
工作峰值反向电压
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
（额定V
R
-20Khz方波） - 50％的税
周期
峰值正向浪涌电流 - 1/2 60HZ
峰值重复反向浪涌电流
(2uS-1Khz)
正向电压（每腿）
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 125
O
C
最大瞬时反向电流
为V
RM
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
电压变化率最大
（额定V
R
)
最大热阻JC （每站）
套餐= TO- 220AB ， TO- 262 ， & TO- 263
套餐= ITO -220
工作和存储结温
*脉冲宽度< 300我们，占空比< 2 ％
单位
150
伏
V
RM
V
RWM
V
RRM
I
O
I
FSM
I
RRM
20
120
2
安培
安培
安培
V
F
典型值
---
---
典型值
---
---
10,000
最大
0.88
0.79
最大
100
10
伏
I
R
*
uA
mA
V /美
dv / dt的
Rθ
JC
T
J
2
4
-65到+175
O
C / W
O
C
________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
2.0版 - 2006年4月
2
SBR20150CT
SBR20150CTF
SBR20150CTI
SBR20150CTB
100
IF ，正向电流（安培）
Tj=175C
100
10
IR ，反向电流（毫安）
Tj=125C
10
Tj=175C
1
Tj=75C
0.1
Tj=25C
1
Tj=125C
0.01
Tj=75C
Tj=25
0.001
0
25
50
75
100
125
150
175
VR ，反向电压（伏）
0.1
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
VF ，正向电压（伏）
图1 ：典型的反向电流
图2 ：典型正向电压
10
如果，平均正向电流（安培）
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
TC，外壳温度（C ）
图3 ：电流降额，案例
APD半导体保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APD半导体公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也不APD半导体承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，包括但
不限于特殊，间接或附带损失。可在APD半导体数据手册和/或技术规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际
性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 APD半导体不会转让任何许可证
根据其专利权或他人的权利。 APD半导体产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
旨在支持或维持生命，或应用程序的任何其他应用程序中的APD半导体产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用APD半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并APD半导体公司及其管理人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师因直接或间接地与此类意外或相关的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
未经授权的使用，即使此类索赔称， APD半导体在部件设计或制造疏忽造成的..
1泻湖驱动器， 410套房，红木城， CA 94065 ， USA
电话： 650 508 8896传真： 650 508 8865
主页： www.apdsemi.com
电子邮件： info@apdsemi.com
________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
2.0版 - 2006年4月
3
SBR20150CT
SBR20150CTF
SBR20150CTI
SBR20150CTB
采用先进设备，最先进的SBR IC制程技术，
以下功能成为可能在单个器件中：
主要额定值及特点
值
特征
I
F（ AV ）
方波
V
RRM
V
F
@
10A ， TJ = 125
O
C
Tj
（操作/储存）
20
150
0.71
-65 175
单位
A
V
V，典型值
O
C
设备适用于高温优化
电源的应用
电气：
*
低正向压降
*
可靠的高温运行
*
超级屏障设计
*
最柔软，快速开关能力
* 175
o
C
工作结温
机械：
*
模压塑料TO- 220AB ， TO- 262 ， TO- 263 ，和
ITO - 220封装
表壳款式
SBR20150CT
SBR20150CTF
SBR20150CTI
SBR20150CTB
2
阳极
常见
阴极
2
3
阳极
阳极
2
1
3
阳极
阳极
1
常见
阴极
1
常见
阴极
3
阳极
阳极
常见
阴极
2
1
TO-263
阳极
3
TO-220AB
ITO-220
TO-262
________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
2.0版 - 2006年4月
1
SBR20150CT
SBR20150CTF
SBR20150CTI
SBR20150CTB
最大额定值和电气特性
（25
O
C除非另有说明）
符号
阻断电压DC
工作峰值反向电压
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
（额定V
R
-20Khz方波） - 50％的税
周期
峰值正向浪涌电流 - 1/2 60HZ
峰值重复反向浪涌电流
(2uS-1Khz)
正向电压（每腿）
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 125
O
C
最大瞬时反向电流
为V
RM
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
电压变化率最大
（额定V
R
)
最大热阻JC （每站）
套餐= TO- 220AB ， TO- 262 ， & TO- 263
套餐= ITO -220
工作和存储结温
*脉冲宽度< 300我们，占空比< 2 ％
单位
150
伏
V
RM
V
RWM
V
RRM
I
O
I
FSM
I
RRM
20
120
2
安培
安培
安培
V
F
典型值
---
---
典型值
---
---
10,000
最大
0.88
0.79
最大
100
10
伏
I
R
*
uA
mA
V /美
dv / dt的
Rθ
JC
T
J
2
4
-65到+175
O
C / W
O
C
________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
2.0版 - 2006年4月
2
SBR20150CT
SBR20150CTF
SBR20150CTI
SBR20150CTB
100
IF ，正向电流（安培）
Tj=175C
100
10
IR ，反向电流（毫安）
Tj=125C
10
Tj=175C
1
Tj=75C
0.1
Tj=25C
1
Tj=125C
0.01
Tj=75C
Tj=25
0.001
0
25
50
75
100
125
150
175
VR ，反向电压（伏）
0.1
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
VF ，正向电压（伏）
图1 ：典型的反向电流
图2 ：典型正向电压
10
如果，平均正向电流（安培）
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
TC，外壳温度（C ）
图3 ：电流降额，案例
APD半导体保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APD半导体公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也不APD半导体承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，包括但
不限于特殊，间接或附带损失。可在APD半导体数据手册和/或技术规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际
性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 APD半导体不会转让任何许可证
根据其专利权或他人的权利。 APD半导体产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
旨在支持或维持生命，或应用程序的任何其他应用程序中的APD半导体产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用APD半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并APD半导体公司及其管理人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师因直接或间接地与此类意外或相关的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
未经授权的使用，即使此类索赔称， APD半导体在部件设计或制造疏忽造成的..
1泻湖驱动器， 410套房，红木城， CA 94065 ， USA
电话： 650 508 8896传真： 650 508 8865
主页： www.apdsemi.com
电子邮件： info@apdsemi.com
________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
2.0版 - 2006年4月
3
SBR20150CT-prel
SBR20150CTI-prel
SBR20150CTB-prel
采用先进设备，最先进的SBR IC制程技术，
以下功能成为可能在单个器件中：
主要额定值及特点
值
特征
I
F（ AV ）
方波
V
RRM
I
R
@
150V ， TJ = 25
o
C
Tj
（操作/储存）
20
150
12
-65 200
单位
A
V
呐，典型值
O
C
设备适用于高温优化
电源的应用
机械：
*
模压塑料TO- 220AB ， TO- 262 ， TO- 263封装
电气：
*
超高热稳定性
*
低反向漏
*
可靠的高温运行
*
超级屏障设计
*
最柔软，快速开关能力
* 200
O
C
工作结温
表壳款式
SBR20150CT
SBR20150CTI
SBR20150CTB
2
1
阳极
常见
阴极
2
3
阳极
1
阳极
常见
阴极
3
阳极
阳极
1
常见
阴极
2
3
阳极
TO-220AB
TO-262
TO-263
_____________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
5/2/05
1
SBR20150CT-prel
SBR20150CTI-prel
SBR20150CTB-prel
最大额定值和电气特性
（25
O
C
除非另有规定编）
符号
阻断电压DC
工作峰值反向电压
反向重复峰值电压
RMS反向电压
平均正向电流整流
（额定V
R
-20Khz方波） -50 ％的占空比
峰值正向浪涌电流 - 1/2 60HZ
峰值重复反向浪涌电流
(2uS-2Khz)
正向电压（每腿）
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 20A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 125
O
C
最大瞬时反向电流
为V
RM
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
电压变化率最大（额定V
R
)
最大热阻JC
工作和存储结温
注：骰子可供客户应用程序。
*脉冲宽度< 300我们，占空比< 2 ％
V
RM
V
RWM
V
RRM
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
典型值
0.82
0.94
0.67
典型值
0.012
0.09
10,000
2
-65到+200
150
150
20
180
3
最大
0.86
0.98
0.71
最大
5
1
单位
伏
伏
安培
安培
安培
V
F
伏
I
R
*
uA
mA
V /美
O
dv / dt的
Rθ
JC
T
J
C / W
O
C
_____________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
5/2/05
2
SBR20150CT-prel
SBR20150CTI-prel
SBR20150CTB-prel
1
Tj=200C
Tj=175C
Tj=125C
Tj=100C
Tj=75C
100
IF ，正向电流（安培）
0.1
IR ，反向电流（毫安）
Tj=200C
0.01
10
Tj=175C
Tj=150
Tj=125
0.001
0.0001
Tj=25C
1
Tj=100
0.00001
Tj=75C
Tj=25C
0.000001
0
20
40
60
80
100
120
140
160
VR ，反向电压（伏）
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
VF ，瞬时典型正向电压（伏）
图1 ：典型的反向电流
图2 ：典型正向电压
如果，平均正向电流（安培）
12
10
8
6
4
2
0
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
TC，外壳温度（C ）
图3 ：电流降额，案例
APD半导体保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APD半导体公司对于其产品是否适合任何保证，声明或担保
任何特定目的，也不APD半导体承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失。可在APD半导体数据手册和/或技术规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际性能可能随
时间。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 APD半导体不转达根据其专利权，也不是权利的任何许可
他人。 APD半导体产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或
任何其他应用程序中的APD半导体产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方购买或使用APD半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并APD半导体公司及其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，无害
费用，所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，合理的律师费APD半导体
是疏忽就部分的设计或制造..
2372 -C Qume驱动器，圣何塞，加利福尼亚95131 ， USA
电话： 408 324 0918传真： 408 955 0604
主页： www.apdsemi.com
电子邮件： info@apdsemi.com
_____________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
5/2/05
3
SBR20150CT-prel
SBR20150CTI-prel
SBR20150CTB-prel
采用先进设备，最先进的SBR IC制程技术，
以下功能成为可能在单个器件中：
主要额定值及特点
值
特征
I
F（ AV ）
方波
V
RRM
I
R
@
150V ， TJ = 25
o
C
Tj
（操作/储存）
20
150
12
-65 200
单位
A
V
呐，典型值
O
C
设备适用于高温优化
电源的应用
机械：
*
模压塑料TO- 220AB ， TO- 262 ， TO- 263封装
电气：
*
超高热稳定性
*
低反向漏
*
可靠的高温运行
*
超级屏障设计
*
最柔软，快速开关能力
* 200
O
C
工作结温
表壳款式
SBR20150CT
SBR20150CTI
SBR20150CTB
2
1
阳极
常见
阴极
2
3
阳极
1
阳极
常见
阴极
3
阳极
阳极
1
常见
阴极
2
3
阳极
TO-220AB
TO-262
TO-263
_____________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
5/2/05
1
SBR20150CT-prel
SBR20150CTI-prel
SBR20150CTB-prel
最大额定值和电气特性
（25
O
C
除非另有规定编）
符号
阻断电压DC
工作峰值反向电压
反向重复峰值电压
RMS反向电压
平均正向电流整流
（额定V
R
-20Khz方波） -50 ％的占空比
峰值正向浪涌电流 - 1/2 60HZ
峰值重复反向浪涌电流
(2uS-2Khz)
正向电压（每腿）
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 20A ;牛逼
J
= 25
O
C
I
F
= 10A ;牛逼
J
= 125
O
C
最大瞬时反向电流
为V
RM
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
电压变化率最大（额定V
R
)
最大热阻JC
工作和存储结温
注：骰子可供客户应用程序。
*脉冲宽度< 300我们，占空比< 2 ％
V
RM
V
RWM
V
RRM
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
典型值
0.82
0.94
0.67
典型值
0.012
0.09
10,000
2
-65到+200
150
150
20
180
3
最大
0.86
0.98
0.71
最大
5
1
单位
伏
伏
安培
安培
安培
V
F
伏
I
R
*
uA
mA
V /美
O
dv / dt的
Rθ
JC
T
J
C / W
O
C
_____________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
5/2/05
2
SBR20150CT-prel
SBR20150CTI-prel
SBR20150CTB-prel
1
Tj=200C
Tj=175C
Tj=125C
Tj=100C
Tj=75C
100
IF ，正向电流（安培）
0.1
IR ，反向电流（毫安）
Tj=200C
0.01
10
Tj=175C
Tj=150
Tj=125
0.001
0.0001
Tj=25C
1
Tj=100
0.00001
Tj=75C
Tj=25C
0.000001
0
20
40
60
80
100
120
140
160
VR ，反向电压（伏）
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
VF ，瞬时典型正向电压（伏）
图1 ：典型的反向电流
图2 ：典型正向电压
如果，平均正向电流（安培）
12
10
8
6
4
2
0
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
TC，外壳温度（C ）
图3 ：电流降额，案例
APD半导体保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APD半导体公司对于其产品是否适合任何保证，声明或担保
任何特定目的，也不APD半导体承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失。可在APD半导体数据手册和/或技术规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和实际性能可能随
时间。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 APD半导体不转达根据其专利权，也不是权利的任何许可
他人。 APD半导体产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或
任何其他应用程序中的APD半导体产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方购买或使用APD半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并APD半导体公司及其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，无害
费用，所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，合理的律师费APD半导体
是疏忽就部分的设计或制造..
2372 -C Qume驱动器，圣何塞，加利福尼亚95131 ， USA
电话： 408 324 0918传真： 408 955 0604
主页： www.apdsemi.com
电子邮件： info@apdsemi.com
_____________________________________________________________________________________________________
www.apdsemi.com
5/2/05
3
QQ：2880707522 复制
