新产品
Si8800EDB
Vishay Siliconix公司
N沟道20 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
0.080在V
GS
= 4.5 V
20
0.090在V
GS
= 2.5 V
0.105在V
GS
= 1.8 V
0.150在V
GS
= 1.5 V
I
D
(A)
a
2.8
2.6
2.4
2.0
3.2 NC
Q
g
（典型值）。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
超小型0.8毫米×0.8 mm外形
超薄0.357毫米高度
典型ESD保护1500 V
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
MICRO FOOT
凹凸面
意见
背面
意见
S
2
G
1
便携式设备，如手机，
智能手机和MP3播放器
- 负荷开关
- 小信号开关
R
G
D
800
XXX
S
3
D
4
器件标识：
800
XXX =日期/批次追踪码
订货信息：
Si8800EDB -T2 -E1 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
最大功率耗散
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
c
T
J
, T
英镑
P
D
I
S
I
DM
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
20
±8
2.8
a
2.2
a
2.0
b
1.6
b
15
0.7
a
0.4
b
0.9
a
0.6
a
0.5
b
0.3
b
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大
A，D
符号
t
≤
5s
R
thJA
典型
105
200
最大
135
260
单位
° C / W
结到环境
B，E
注意事项：
一。表面安装1" X 1" FR4板，全铜的，T = 5秒。
B 。表面安装1" X 1" FR4板最小铜，T = 5秒。
。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020C ） ，无需人工或手工焊接。
。在稳态条件下最大为185 ° C / W 。
。在稳态条件下最大为330 ° C / W 。
文档编号： 66700
S10-1046 -REV 。 A， 03月10
www.vishay.com
1
新产品
Si8800EDB
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
=
4.5 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
=
2.5 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
=
1.8 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
=
1.5 V，I
D
= 0.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 8 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.0 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1.0 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
分钟。
20
典型值。
马克斯。
单位
V
18
- 2.3
0.4
1.0
± 0.5
±6
1
10
10
0.066
0.072
0.082
0.095
10
5.5
3.2
0.42
0.5
1.0
65
85
900
350
25
130
170
1800
700
50
80
2200
700
0.7
15
1.0
13
5
8
5
1.5
25
10
8.3
5.0
0.080
0.090
0.105
0.150
毫伏/°C的
V
A
A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
Ω
正向跨导
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
g
fs
S
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
nC
kΩ
ns
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1.0 A，V
根
= 8 V ，R
g
= 1
Ω
40
1100
350
T
C
= 25 °C
I
S
= 1.0 A，V
GS
=
0 V
A
V
ns
nC
ns
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 66700
S10-1046 -REV 。 A， 03月10
新产品
Si8800EDB
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
限于由R
DS （ ON）
*
I
D
- 漏电流（ A）
10
100 μs
1
1毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
10毫秒
100毫秒， 1秒
10秒， DC
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
3.0
0.8
2.5
I
D
- 漏电流（ A）
功耗（ W）
0.6
2.0
1.5
0.4
1.0
0.2
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
电流降额*
注意：
当安装在1" X 1" FR4全铜。
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结点到环境的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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S10-1046 -REV 。 A， 03月10
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