STP30NF20 - STB30NF20
STW30NF20
N沟道200V - 0.065Ω - 30A - TO- 220 / TO- 247 / D
2
PAK
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STP30NF20
STW30NF20
STB30NF20
■
■
■
■
■
V
DSS
200V
200V
200V
R
DS （ ON）
0.075
0.075
0.075
I
D
30A
30A
30A
P
合计
125W
125W
125W
TO-247
1
3
2
1
3
1
2
栅极电荷最小化
100％的雪崩测试
MERIT优异的图（R
DS
*Q
g
)
很不错的manufactuing repeability
非常低的固有电容
3
TO-220
DPAK
应用
图1 。
■
内部原理图
切换应用程序
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET进程
专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此，它是
适合作为先进的高初级开关
效率的隔离式DC - DC转换器。
表1中。
设备简介
记号
30NF20
30NF20
30NF20
包
TO-220
TO-247
DPAK
包装
管
管
磁带&卷轴
订购代码
STP30NF20
STW30NF20
STB30NF20
2007年10月
REV 2
1/16
www.st.com
16
目录
STP30NF20 - STW30NF20 - STB30NF20
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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STP30NF20 - STW30NF20 - STB30NF20
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
T
J
T
英镑
T
l
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
最大无铅焊接温度的
用途
价值
200
±20
30
19
120
125
1
10
-55到150
300
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
I
SD
≤
30A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
= 80%V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
thJC
R
thJA
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
62.5
TO-220/
DPAK
1
50
TO-247
单位
° C / W
° C / W
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流，重复或不
重复（脉冲宽度有限的TJMAX ）
单脉冲雪崩能量（首发
TJ = 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
=50V)
价值
30
140
单位
A
mJ
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电气特性
STP30NF20 - STW30NF20 - STB30NF20
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
2
3
分钟。
200
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
4
0.065 0.075
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 15A
分钟。
典型值。
20
1597
320
43
38
8
18
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 160V ，我
D
= 30A
V
GS
=10V
（参见图17）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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STP30NF20 - STW30NF20 - STB30NF20
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 100V ，我
D
=15A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图16）
V
DD
= 100V ，我
D
=15A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图16）
分钟。
典型值。
35
15.7
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
38
8.8
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30A ，V
GS
=0
I
SD
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V， TJ = 25°C
155
0.96
12.4
194
1.42
14.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V， TJ = 150℃
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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