【SIPMOS功率晶体管特点N沟道SPD 07N20GVDSRDS （ ON）ID2000.47产品概】,IC型号SPD07N20,SPD07N20 PDF资料,SPD07N20经销商,ic,电子元器件-51电子网

SIPMOS功率晶体管

特点

N沟道

SPD 07N20

G

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

200

0.4

7

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

V

A

增强型

额定雪崩

dv / dt的额定

TYPE

SPD07N20

G

SPU07N20

G

包

PG-TO252

PG-TO251

无铅

是的

包装

磁带和卷轴

管

销1

G

销2

3脚

D

S

最大额定值，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

价值

7

4.5

单位

连续漏电流

I

D

A

T

C

= 25 C

T

C

= 100 C

漏电流脉冲

I

Dpulse

E

AS

E

AR

dv / dt的

28

120

4

6

T

C

= 25 C

雪崩能量，单脉冲

mJ

I

D

= 7 A,

V

DD

= 50 V,

R

GS

= 25

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

KV / μs的

I

S

= 7 A,

V

DS

= 160 V，的di / dt = 200 A / μs的，

T

JMAX

= 175 C

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

±20

V

40

-55... +175

W

C

T

C

= 25 C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

55/150/56

修订版2.4

第1页

2008-09-01

SPD 07N20

G

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境， leded

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

3.1

-

单位

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

K / W

100

75

50

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

3

单位

马克斯。

-

4

A

V

（ BR ） DSS

200

2.1

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

V

DS

= 200 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 C

V

DS

= 200 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 C

栅极 - 源极漏电流

-

0.1

-

10

1

100

nA

I

GSS

R

DS （ ON）

-

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 4.5 A

-

0.3

0.4

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

修订版2.4

第2页

2008-09-01

SPD 07N20

G

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

动态特性

跨

单位

马克斯。

-

530

130

70

15

典型值。

4.2

400

85

45

10

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

3

-

S

pF

V

DS

≥2*

I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= 4.5 A

输入电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

ns

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A,

R

G

= 50

上升时间

t

r

-

40

60

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A,

R

G

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

55

75

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A,

R

G

= 50

下降时间

t

f

-

30

40

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A,

R

G

= 50

修订版2.4

第3页

2008-09-01

SPD 07N20

G

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

门源费

符号

分钟。

值

典型值。

5

10

21

7

单位

马克斯。

7.5

22.5

31.5

-

V

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

nC

V

DD

= 160 V,

I

D

= 7 A

栅漏电荷

V

DD

= 160 V,

I

D

= 7 A

栅极电荷总量

V

DD

= 160 V,

I

D

= 7 A,

V

GS

= 0到10伏

栅极电压平台

V

DD

= 160 V,

I

D

= 7 A

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

-

1.3

200

0.6

7

28

1.7

300

0.9

A

T

C

= 25 C

逆二极管直流，脉冲

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

= 25 C

逆二极管正向电压

V

ns

C

V

GS

= 0 V,

I

F

= 14 A

反向恢复时间

V

R

= 100 V,

I

F

=I

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= 100 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

修订版2.4

第4页

2008-09-01

SPD 07N20

G

功耗

漏电流

P

合计

=

f

(T

C

)

SPD07N20

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

SPD07N20

45

W

7.5

A

35

6.0

5.5

P

合计

30

5.0

I

D

25

4.5

4.0

20

3.5

3.0

15

2.5

2.0

10

1.5

5

1.0

0.5

0

20

40

60

80

100

120

C

160

0.0

0

20

40

60

80

100

120

C

160

T

C

T

C

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 C

10

2

SPD07N20

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

SPD07N20

K / W

A

tp

= 22.0

s

/I

D

10

0

100 s

I

D

Z

thJC

1毫秒

R

DS

(o

n)

10

1

=

V

DS

10

-1

D = 0.50

0.20

10

0

10毫秒

0.10

10

-2

单脉冲

DC

0.05

0.02

0.01

10

-1

0

10

1

10

2

V

10

3

10

-3

-7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

t

p

修订版2.4

第5页

2008-09-01

初步数据

SIPMOS功率晶体管

特点

N沟道

SPD 07N20

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

200

0.4

7

V

A

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

增强型

额定雪崩

dv / dt的额定

TYPE

SPD07N20

SPU07N20

包

P-TO252

P-TO251

订购代码

包装

销1

G

引脚2引脚3

D

S

Q67040 - S4120 -A2磁带和卷轴

Q67040 - S4112 -A2管

最大额定值，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

符号

参数

连续漏电流

价值

7

4.5

28

120

4

6

单位

A

I

D

T

C

= 25 C

T

C

= 100 C

漏电流脉冲

I

Dpulse

E

AS

E

AR

dv / dt的

T

C

= 25 C

雪崩能量，单脉冲

mJ

I

D

= 7 A,

V

DD

= 50 V,

R

GS

= 25

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

KV / μs的

I

S

= 7 A,

V

DS

= 160 V，的di / dt = 200 A / μs的，

T

JMAX

= 175 C

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

±20

40

-55... +175

55/150/56

V

W

C

T

C

= 25 C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

数据表

1

05.99

SPD 07N20

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境， leded

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

3.1

-

100

75

50

K / W

单位

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

3

马克斯。

-

4

A

-

0.1

-

10

1

100

nA

-

0.3

0.4

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

200

2.1

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

V

DS

= 200 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 C

V

DS

= 200 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 4.5 A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

数据表

2

05.99

SPD 07N20

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

符号

值

参数

单位

马克斯。

-

530

130

70

15

ns

S

pF

分钟。

动态特性

跨

典型值。

4.2

400

85

45

10

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

3

-

V

DS

≥2*

I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= 4.5 A

输入电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A,

R

G

= 50

上升时间

t

r

-

40

60

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A,

R

G

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

55

75

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A,

R

G

= 50

下降时间

t

f

-

30

40

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A,

R

G

= 50

数据表

3

05.99

SPD 07N20

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

门源费

符号

分钟。

值

典型值。

5

10

21

7

马克斯。

7.5

22.5

31.5

-

V

nC

单位

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

V

DD

= 160 V,

I

D

= 7 A

栅漏电荷

V

DD

= 160 V,

I

D

= 7 A

栅极电荷总量

V

DD

= 160 V,

I

D

= 7 A,

V

GS

= 0到10伏

栅极电压平台

V

DD

= 160 V,

I

D

= 7 A

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

1.3

200

0.6

7

28

1.7

300

0.9

A

T

C

= 25 C

逆二极管直流，脉冲

T

C

= 25 C

逆二极管正向电压

V

ns

C

V

GS

= 0 V,

I

F

= 14 A

反向恢复时间

V

R

= 100 V,

I

F

=I

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= 100 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

数据表

4

05.99

SPD 07N20

功耗

漏电流

P

合计

=

f

(T

C

)

SPD07N20

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

SPD07N20

45

W

7.5

A

35

30

6.0

5.5

P

合计

5.0

I

D

25

20

15

10

5

0

C

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

20

40

60

80

100

120

160

0.0

0

20

40

60

80

100

120

C

160

T

C

T

C

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 C

10

2

SPD07N20

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

SPD07N20

K / W

A

tp

= 22.0s

/I

D

V

DS

10

0

100 s

Z

thJC

1毫秒

I

D

R

DS

(

on

10

1

)

=

10

-1

D = 0.50

0.20

10

0

10毫秒

0.10

10

-2

单脉冲

0.05

0.02

0.01

DC

10

-1 0

10

1

10

2

V

10

3

10

-3 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

t

p

数据表

5

05.99