STD2NK100Z
STP2NK100Z - STU2NK100Z
N沟道1000 V ， 6.25
1.85 A， TO- 220 ， DPAK ， IPAK
,
齐纳保护的超网功率MOSFET
特点
TYPE
STD2NK100Z
STP2NK100Z
STU2NK100Z
■
■
■
■
■
V
DSS
1000 V
1000 V
1000 V
R
DS （ ON）
最大
< 8.5
< 8.5
< 8.5
I
D
1.85 A
1.85 A
1.85 A
P
合计
70 W
70 W
1
3
2
3
2
1
70 W
TO-220
3
1
IPAK
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
图1 。
DPAK
应用
■
内部原理图
切换应用程序
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，
取菜，保证了很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压功率MOSFET 。
表1中。
设备简介
订购代码
记号
2NK100Z
2NK100Z
2NK100Z
包
DPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带和卷轴
管
管
STD2NK100Z
STP2NK100Z
STU2NK100Z
2008年6月
REV 2
1/16
www.st.com
16
目录
STD2NK100Z - STP2NK100Z - STU2NK100Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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STD2NK100Z - STP2NK100Z - STU2NK100Z
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
1000
± 30
1.85
1.16
7.4
70
0.56
3000
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(2)
T
j
T
英镑
摹-S ESD （ HBM C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
≤
1.85 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热数据
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
热阻结-PCB占用空间最小
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的目的
--
62.5
300
IPAK
1.79
--
100
50
DPAK
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
表4 。
符号
I
AR（1）
E
AS （2）
雪崩数据
参数
雪崩电流，重复或不重复
单脉冲雪崩能量
价值
1.85
170
单位
A
mJ
1.脉冲宽度有限的TJMAX
2.启动TJ = 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V
3/16
电气特性
STD2NK100Z - STP2NK100Z - STU2NK100Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值，TC = 125°C
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.9 A
3
3.75
6.25
分钟。
1000
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
4.5
8.5
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.9 A
分钟。
典型值。
2.4
499
53
9
28
6.6
16
3
9
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0至800V
F = 1MHz时，漏极开路
V
DD
= 800 V，I
D
= 1.85 A
V
GS
=10 V
（参见图17）
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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STD2NK100Z - STP2NK100Z - STU2NK100Z
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 500 V，I
D
= 0.9 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图16）
分钟。
典型值。
7.2
6.5
41.5
32.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 1.85 ，V
GS
=0
I
SD
= 1.85 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 60 V
（参见图21）
I
SD
= 1.85 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 60 V ， TJ = 150℃
（参见图21）
476
1.6
6.9
532
1.9
88
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1.85
7.4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的包
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表9 。
符号
BV
GSO
(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
I
GS
= ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管，具体地被设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
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