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S71PL -N的MirrorBit
TM
MCPS
S71PL256N , S71PL127N , S71PL129N
256/128/128兆比特( 16/8/8的M× 16位)
CMOS 3.0伏只同步读/写,
页模式闪存
S71PL -N的MirrorBit
TM
MCP的封面
数据表
请注意,以读者:
这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格
本文描述的产品(S) 。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息,
初步或全面投产。看
请注意在数据表牌号
对于定义。
公开号
S71PL-N_00
调整
A
修订
9
发行日期
2006年12月8日
数据
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称,提醒读者
产品信息或意图规范整个产品生命周期,包括研发,
资质,初始生产,并全面投入生产。在所有的情况下,但是,我们鼓励读者以验证
他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明
表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。
超前信息
的超前信息指定表示Spansion公司正在开发的一个或多个特定
产品,但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息
指定有可能发生改变,并且在某些情况下,开发的产品可中止。 Spansion公司
因此,公司应放置超前信息内容如下条件:
“本文件包含有关正在开发Spansion公司的一个或多个产品信息
该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计
联系工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一个承诺
生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期,包括
产品合格,最初的生产,并且在发生的制造过程中的后续阶段
之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍
文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司
放置后,初步含量满足以下条件:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。本文件的初步情况显示,产品合格已
完成,而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。 “
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合(超前信息,
初步或全部生产) 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称
在必要时,通常第一个页面时,订购信息页面,页面与DC
特性表和AC擦除和编程表(表中的说明) 。第一个免责声明
页面是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称变化
预计,初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括
那些影响订货可用的部件号,诸如速度的增加或删除的数量
选项,使用温度范围,封装类型,或V
IO
范围内。变化也可能包括那些需要澄清
说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下
条件,这一类材料:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量等
本文档的后续版本预计不会改变。但是,印刷或者
规格更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的销售办事处。
ii
S71PL -N的MirrorBit
TM
MCPS
2006年S71PL - N_00_A9 12月8日,
S71PL -N的MirrorBit
TM
MCPS
S71PL256N , S71PL127N , S71PL129N
256/128/128兆比特( 16/8/8的M× 16位)
CMOS 3.0伏只同步读/写,
页模式闪存
数据表
特点
速度
- 闪光: 70纳秒
- PSRAM : 70纳秒
S71PL129NC0
S71PL127NB0
S71PL127NC0
8.0 X 11.6 X 1.2毫米套餐
- 84球细间距球栅阵列( FBGA )
S71PL256NC0
S71PL256ND0
- 64球细间距球栅阵列( FBGA )
S71PL129NB0
速度
- 闪光: 70纳秒
- PSRAM : 70纳秒
工作温度范围
- 温度为-25 ° C至+ 85 °C范围内
概述
本文件包含的信息为S71PL -N的MirrorBit MCP产品。有关详细规格,请参考
单独的数据表:
文件
S29PL-N
32M PSRAM类型8
32M PSRAM类型7
32M PSRAM类型2
64M PSRAM类型2
64M PSRAM类型8
128M PSRAM类型2
出版物识别码( PID)的
S29PL-N_00
pSRAM_31
pSRAM_29
pSRAM_19
pSRAM_20
pSRAM_32
pSRAM_15
公开号
S71PL-N_00
调整
A
修订
9
发行日期
2006年12月8日
数据
1.
闪存/内存组合表
PSRAM的密度
32 MB
PL127N
闪存密度
PL129N
PL256N
S71PL127NB0
S71PL129NB0
64 MB
S71PL127NC0
S71PL129NC0
S71PL256NC0
S71PL256ND0
128 MB
2.产品选择指南
设备
S71PL127NB0
S71PL127NB0
S71PL127NB0
S71PL127NC0
S71PL127NC0
S71PL129NB0
S71PL129NB0
S71PL129NB0
S71PL129NC0
S71PL129NC0
S71PL256NC0
S71PL256NC0
S71PL256ND0
PSRAM的密度
32 MB
32 MB
32 MB
64 MB
64 MB
32 MB
32 MB
32 MB
64 MB
64 MB
64 MB
64 MB
128 MB
PSRAM类型
PSRAM类型2
PSRAM类型7
PSRAM类型8
PSRAM类型2
PSRAM类型8
PSRAM类型2
PSRAM类型7
PSRAM类型8
PSRAM类型2
PSRAM类型8
PSRAM类型2
PSRAM类型8
PSRAM类型2
2
S71PL -N的MirrorBit
TM
MCPS
2006年S71PL - N_00_A9 12月8日,
DA T A
嘘EE吨
3.
订购信息
顺序号是由以下的有效组合形成:
S71PL
256
N
C0
HF
W
5B
0
包装类型
0 =盘
2 = 7 “卷带
3 = 13 “的磁带和卷轴
型号(V
IO
范围,封装类型)
指的是有效组合如下表所示
温度范围
W =无线( -25 ° C至+ 85°C )
包装型&材料组
HA = MCP BGA ,1.2毫米高,0.8 mm间距,铅(Pb ) - 免费标准的封装
HF = MCP BGA ,1.2毫米高,0.8 mm间距,铅(Pb ) - 免费包
PSRAM的密度
B0 = 32 MB PSRAM
C0 = 64Mb的PSRAM
D0 = 128 Mb的PSRAM
工艺技术
N = 110纳米的MirrorBit 技术
闪存密度
256 = 256 MB
129 = 128 MB(双CE # )
127 = 128 MB(单CE # )
产品系列
S71PL = 3.0伏只同步读/写,页模式闪存
3.1
有效组合
有效组合列表配置计划在音量此设备支持。请咨询您当地
销售办事处,以确认具体的有效组合的可用性,并检查新发布
组合。
表3.1
有效组合
基地订购
产品型号
(2)
包装&
温度
模型
4B
S71PL127NB0
4U
4Z
4B
S71PL127NC0
4U
4B
S71PL129NB0
HAW , HFW
4U
4Z
4B
S71PL129NC0
4U
5B
S71PL256NC0
5U
S71PL256ND0
5B
8型
TYPE 2
8型
TYPE 2
TLA084-
8× 11.6 ×1.2毫米, 84球
TSB084 -
8× 11.6 ×1.2 , 84球
0, 2, 3
(1),
(2)
8型
TYPE 2
8型
7类
TYPE 2
70纳秒
70纳秒
TLA064 -
8× 11.6 ×1.2毫米,
64-ball
填料
TYPE
PSRAM
TYPE
TYPE 2
8型
7类
TYPE 2
TLA064 -
8× 11.6 ×1.2毫米,
64-ball
FL灰
速度
选项
PSRAM
速度
选项
包名称
注意事项:
1.类型0是标准配置。根据需要指定其他选项。
2. BGA封装标识遗漏领先的“ S”和包装类型的标志,从订购部件号。
3.跟工厂的可用性,因为任何类型的RAM可用列出的OPNS可能随时间变化。
2006年12月8日S71PL , N_00_A9
S71PL -N的MirrorBit
TM
MCPS
3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    S71PL256NB0HAW5B0
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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