STRH50P6FSY1
STRH50P6FSY3
P沟道60V - 0.047Ω - TO- 254AA
抗辐射低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STRH50P6FSY1
STRH50P6FSY3
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
V
DSS
60 V
60 V
低R
DS （ ON）
快速开关
单粒子效应（ SEE） hardned
低总栅极电荷
重量轻
100％的雪崩测试
面向应用的表征
密封式
重离子SOA
100拉德TID
SEL & SEGR与34Mev /平方厘米/毫克LET离子
图1 。
内部原理图
TO-254AA
1
3
2
应用
■
■
卫星
高可靠性
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET进程
专门设计用于承受高TID
并提供豁免权重离子效应。这是
因此，适合作为电源开关在主要高
效率的DC - DC转换器。它也意
对于具有低栅极电荷驱动的应用程序
要求。
表1中。
设备简介
订购代码
STRH50P6FSY1
(1)
STRH50P6FSY3
(2)
1.军用温度范围
2.航天飞行部（ ESCC全流程筛选）
记号
RH50P6FSY1
RH50P6FSY3
包
TO-254AA
TO-254AA
包装
个人带包装
个人带包装
2007年11月
REV 3
1/13
www.st.com
13
目录
STRH50P6FSY3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
2.3
预辐照。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
辐照后。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
电特性（曲线）
............................. 7
3
4
5
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STRH50P6FSY3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM （2）
绝对最大额定值
（前照射）
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
价值
60
±18
50
32
200
180
1.4
-55到150
150
单位
V
V
A
A
A
W
V / ns的
°C
°C
P
TOT （1）
总功耗在T
C
= 25°C
dv / dt的
(3)
峰值二极管恢复电压斜率
T
英镑
T
j
储存温度
马克斯。工作结温
1.根据Rthj情况+ Rthc -S额定
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
50 A ， di / dt的
≤
56 A / μs的，V
DD
= 80%V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
参数
价值
0.5
0.21
48
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Rthj外壳热阻结案件
Rthc -S
外壳到散热器
Rthj - AMB热阻结-amb
表4 。
符号
I
AR
E
AS
E
AR(1)
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
=42 V)
重复性雪崩
价值
25
932
45
单位
A
mJ
mJ
1.脉冲数= 10 ; F = 10千赫;直流= 50 ％
注意：
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
3/13
STRH50P6FSY3
电气特性
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 50 A，V
GS
= 0
I
SD
= 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 20 V ， TJ = 25°C
I
SD
= 50 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 20 V ， TJ = 150℃
240
300
3.85
25.6
376
5.64
30
测试条件
分钟。典型值。最大单位
50
200
1.1
360
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
300
451
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2.2
辐照后
ST的抗辐射功率MOSFET进行测试，以验证辐射能力。该
技术是保证坚固耐磨运作良好的内部设备
辐射环境。每一个生产批次的总电离剂量测试。
（ @ TJ = 25 ° C至100Krad
(a)
)
表9 。
符号
I
DSS
I
GSS
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
80 ％ BV
DSS
V
GS
= ±18 V
I
D
= 250 A,
V
GS
= 0
V
DS
=V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= 12 V，I
D
= 25 A
100
2
0.047
4.5
0.053
分钟。
典型值。
最大
10
±
100
单位
A
nA
V
V
一。据ESCC 22900规范，钴60伽玛射线，剂量率： 0.1rad /秒。
5/13
QQ：2881677436 复制
