128Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3.0V + 20 ％ ， - 10％操作
商业和工业温度
小尺寸SOIC & SSOP封装（ RoHS-
兼容）
STK14CA8
描述
该SIMTEK STK14CA8是1MB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（在
商店
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （在
召回
操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
量子阱
1024 X 1024
行解码器
动力
控制
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
商店/
召回
控制
V
帽
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
15
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0022版本2.1
2008年1月
STK14CA8
套餐
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
NC
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
32引脚SOIC
48引脚SSOP
相对的PCB面积的使用。
详细方案请参见第17页
尺寸规格。
引脚说明
引脚名称
A
16
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 17地址输入的nvSRAM阵列中选择131,072字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
未标记引脚没有内部连接。
V
帽
V
SS
NC
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0022版本2.1
2008年1月
2
SSOP
DQ
3
V
CC
SOIC
STK14CA8
绝对最大额定值
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ℃ 140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
NF （ SOP- 32 ）封装的热特性
θ
jc
5.4 C / W ;
θ
ja
44.3 [ 0fpm ] ， 37.9 [ 200fpm ] ， 35.1 ℃/ W [ 500fpm 。
RF （ SSOP - 48 ）封装热特性
θ
jc
6.2 C / W ;
θ
ja
51.1 [ 0fpm ] ， 44.7 [ 200fpm ] ， 41.8 ℃/ W [ 500fpm 。
DC特性
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
55
50
70
60
55
mA
mA
mA
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
3
mA
I
CC3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
I
CC4
平均V
帽
自动存储在当前
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
mA
I
SB
3
3
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
120
–40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
120
V
°C
V
μF
K
岁月
3.3V + 0.3V
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
文件控制＃ ML0022版本2.1
2008年1月
3
STK14CA8
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但未经测试。
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1
:
AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图2
:
对于三态功能AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0022版本2.1
2008年1月
4
128Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3 V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商业和工业温度
小尺寸SOIC & SSOP封装（ RoHS-
兼容）
STK14CA8
描述
该SIMTEK STK14CA8是1MB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（在
商店
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （在
召回
操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
量子阱
1024 X 1024
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
V
CC
V
帽
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
15
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0022版本1.5
2007年2月
STK14CA8
套餐
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
48引脚SSOP
相对的PCB面积的使用。
访问网站了解详细方案
尺寸规格。
引脚说明
引脚名称
A
16
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 17地址输入的nvSRAM阵列中选择131,072字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
未标记引脚没有内部连接。
V
帽
V
SS
（空）
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0022版本1.5
2007年2月
2
SSOP
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
32引脚的SOIC
STK14CA8
绝对最大额定值
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ℃ 140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
直流特性（V
CC
= 2.7V-
封装热特性 - 请参阅网站在http://www.simtek.com
3.6V)
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
55
50
70
60
55
mA
mA
mA
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
最大
民
最大
产业
单位
笔记
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
3
mA
I
CC3
I
CC4
平均V
帽
自动存储在当前
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
3
3
mA
I
SB
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
120
–40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
120
V
°C
V
μF
K
岁月
3.3V + 0.3V
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
文件控制＃ ML0022版本1.5
2007年2月
3
STK14CA8
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但未经测试。
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1
:
AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图2
:
对于三态功能AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0022版本1.5
2007年2月
4
STK14CA8
128Kx8自动存储的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
描述
赛普拉斯STK14CA8是1兆的快速静态RAM与nonvol-
atile QuantumTrap 存储元件包含在每个
存储单元。该SRAM提供了快速访问和周期时间，
易用性和无限的读，写正常的续航能力
SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性存储单元
当检测到断电（ STORE操作） 。上电
时，数据会自动恢复到SRAM中（ RECALL的
操作）。无论STORE和RECALL操作也
在软件控制下使用。
赛普拉斯的nvSRAM是第一个单片非易失性存储器
提供无限的写入和读取。它是性能最高
最可靠的非易失性存储器可用。
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问和读/写周期时间
无限的读/写耐用性
上电时自动非易失商店
在硬件或软件控制的非易失性商店
自动恢复到SRAM上电
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3.0V + 20 ％ ， - 10％操作
商用和工业温度
小尺寸SOIC和SSOP封装（符合RoHS ）
逻辑框图
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
量子阱
1024 X 1024
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
商店/
召回
控制
V
帽
动力
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
15
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
G
E
W
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-51592修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年3月4日
[+ ]反馈
STK14CA8
引脚配置
图1. 48引脚SSOP
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
NC
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
图2. 32引脚SOIC
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
图3.相对PCB面积使用
[1]
引脚说明
引脚名称
A
16
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
I / O
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
描述
地址： 17地址输入选择的阵列的nvSRAM在131,072字节之一。
数据：用于访问的nvSRAM双向8位数据总线。
芯片使能：活动低辐射输入选择器。
写使能：将活性低钨允许对DQ管脚的数据写入到该地址的位置
由大肠杆菌的下降沿锁存
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高导致DQ引脚为三态。
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， - 10％ 。
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉低
外部的芯片时，它启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻保持这种
引脚为高电平，如果没有连接。 （连接是可选的） 。
自动存储电容：提供电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性存储元件。
地面上。
未标记引脚没有内部连接。
V
帽
V
SS
NC
电源
电源
无连接
记
1.见
包图
关于详细的封装尺寸规格15页。
文件编号： 001-51592修订版**
第16页2
[+ ]反馈
STK14CA8
绝对最大额定值
在输入相对地电压.................- 0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
...........- 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB ......................- 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
偏压下...............................温度-55°C至125°C
结温................................... -55 ° C至140℃
存储温度.................................... -65℃ 150℃
功耗................................................ ............. 1W
直流输出电流（ 1输出的时间， 1秒持续时间） .... 15毫安
NF （ SOP- 32 ）封装的热特性
θ
jc
5.4 C / W ;
θ
ja
44.3 [ 0fpm ] ， 37.9 [ 200fpm ] ， 35.1 ℃/ W [ 500fpm 。
RF （ SSOP - 48 ）封装热特性
θ
jc
6.2 C / W ;
θ
ja
51.1 [ 0fpm ] ， 44.7 [ 200fpm ] ， 41.8 ℃/ W [ 500fpm 。
注意：
应力大于那些在上市
绝对
最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
这是一个压力装置的唯一的评级，并且功能操作
在上述这些条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
DC特性
(V
CC
= 2.7V至3.6V ）
符号
I
CC1
参数
平均V
CC
当前
广告
民
最大
65
55
50
产业
民
最大
70
60
55
单位
笔记
毫安牛逼
AVAV
= 25纳秒
毫安牛逼
AVAV
= 35 ns的
毫安牛逼
AVAV
- 45纳秒
依赖于输出负载和周期
率。无输出负载得到的值。
mA的所有输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
=
200纳秒
3V ， 25 ° C，典型
平均V
帽
目前在
自动存储周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
I
CC3
10
10
毫安W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出负载得到的值。
I
CC4
3
3
I
SB
3
3
马ê
≥ (
V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
μA
μA
V
V
V
V
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
3.3V + 0.3V
mA的所有输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
记
输入漏电流
断态输出漏
当前
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+0.3
0.8
0.4
70
3.6
120
–40
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+0.3
0.8
0.4
85
3.6
120
≥
V
IH
°
C
V
μF
K
多年在55
°
C
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
在HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
第16页3
文件编号： 001-51592修订版**
[+ ]反馈
STK14CA8
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... 0V到3V
输入上升和下降时间
................................................. ≤
5纳秒
输入和输出时序参考电平1.5V ....................
输出负载..................................见
图4
和
图5
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
[2]
输入电容
输出电容
最大单位
7
7
pF
pF
条件
Δ
V = 0 3V
Δ
V = 0 3V
图4. AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图5. AC输出负载为三态规格
(t
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
记
2.这些参数是保证，但未经测试。
文件编号： 001-51592修订版**
第16页4
[+ ]反馈
STK14CA8
SRAM读周期＃ 1和＃ 2
号
#1
1
2
3
4
5
6
符号
参数
#2
t
ELQV
t
AVAV[3]
t
AVQV[4]
t
AXQX[4]
t
ELEH[3]
t
AVQV[4]
t
GLQV
t
AXQX[4]
t
ELQX
t
EHQZ[5]
t
GLQX
t
GHQZ[5]
t
ELICCH[2]
t
EHICCL[2]
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
地址更改或芯片使能到
输出活动
地址更改或芯片禁用到
输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
STK14CA8-25 STK14CA8-35 STK14CA8-45
民
25
25
12
3
3
10
0
10
0
25
0
35
0
13
0
45
3
3
13
0
15
最大
25
35
35
15
3
3
15
民
最大
35
45
45
20
民
最大
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
8
9
10
11
控制地址：图6. SRAM读周期＃ 1
[3, 4, 6]
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
3
t
AVQV
图7. SRAM读周期＃ 2 ： E和G受控
[3, 6]
2
1
6
29
11
7
3
9
4
8
10
笔记
3. W必须在SRAM读周期高。
4.设备，不间断地与E和G两个选择低
5.测
±
200mV的从稳态输出电压。
6. HSB必须读取和写入周期期间保持高位
文件编号： 001-51592修订版**
第16页5
[+ ]反馈
STK14CA8
128K ×8
自动存储
NVSRAM
TM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
“放手”自动
商店
在掉电
只有一小电容器
商店
to
QuantumTrap
非易失性
元素是由软件，器件引脚启动
or
自动存储
在掉电
召回
到SRAM启动的软件或
上电
无限
读，写
和
召回
周期
5毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
1,000,000
商店
周期来
QuantumTrap
100年的数据保存到
QuantumTrap
单3V + 20 ％ ， - 10％操作
商用和工业温度
SOIC ， SSOP和DIP封装
符合RoHS标准
TM
描述
该SIMTEK STK14CA8是一个快速静态RAM与
非易失性元件中的每个存储单元。该
嵌入式
非易失性
分子
合并
TM
SIMTEK的
QuantumTrap
技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。该
SRAM提供了无限的读写周期，
而独立的，非易失性的数据驻留在
TM
高可靠
QuantumTrap
细胞。数据传输
从SRAM到非易失性元件（在
商店
操作）会自动发生在
断电。上电时，数据被恢复到
SRAM （中
召回
操作）从非易失性
内存。无论是
商店
和
召回
操作
也是在软件控制下使用。
框图
量子阱
1024 X 1024
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
V
CC
V
帽
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
15
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
G
E
W
图1.框图
十二月2004
1
文件控制＃ ML0022 1.0版
STK14CA8
套餐
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
SS
V
SS
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
48引脚SSOP
相对的PCB面积的使用。
访问网站了解详细
封装尺寸规格。
引脚说明
引脚名称
A
16
– A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
I / O
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
描述
地址： 17地址输入选择的阵列的nvSRAM在131,072字节之一。
数据：用于访问的nvSRAM双向8位数据总线。
芯片使能：活动低辐射
写使能：有源低水
E的下降沿。
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。德主张摹
高会导致DQ引脚三态。
电源3.0V + 20 ％ -10 ％
五金店忙：当该低的输出表明五金店正在进行中。当拉低外部
该芯片将启动一个非易失性存储操作。内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果不
连接。 （连接可选）
V
帽
V
SS
（空）
电源
电源
无连接
自动存储
电容：提供电源的nvSRAM在断电时存储数据从SRAM到非易失
元素。
地
未标记引脚没有内部连接。
输入选择设备。
使得能够对DQ管脚的数据被写入到由锁存的地址位置
十二月2004
SSOP
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
32针
SOIC
or
PDIP
2
文件控制＃ ML0022 1.0版
STK14CA8
128K ×8
自动存储
NVSRAM
TM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
“放手”自动
商店
在掉电
只有一小电容器
商店
to
QuantumTrap
非易失性
元素是由软件，器件引脚启动
or
自动存储
在掉电
召回
到SRAM启动的软件或
上电
无限
读，写
和
召回
周期
5毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
1,000,000
商店
周期来
QuantumTrap
100年的数据保存到
QuantumTrap
单3V + 20 ％ ， - 10％操作
商用和工业温度
SOIC ， SSOP和DIP封装
符合RoHS标准
TM
描述
该SIMTEK STK14CA8是一个快速静态RAM与
非易失性元件中的每个存储单元。该
嵌入式
非易失性
分子
合并
TM
SIMTEK的
QuantumTrap
技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。该
SRAM提供了无限的读写周期，
而独立的，非易失性的数据驻留在
TM
高可靠
QuantumTrap
细胞。数据传输
从SRAM到非易失性元件（在
商店
操作）会自动发生在
断电。上电时，数据被恢复到
SRAM （中
召回
操作）从非易失性
内存。无论是
商店
和
召回
操作
也是在软件控制下使用。
框图
量子阱
1024 X 1024
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
V
CC
V
帽
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
15
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
G
E
W
图1.框图
十二月2004
1
文件控制＃ ML0022 1.0版
STK14CA8
套餐
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
SS
V
SS
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
48引脚SSOP
相对的PCB面积的使用。
访问网站了解详细
封装尺寸规格。
引脚说明
引脚名称
A
16
– A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
I / O
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
描述
地址： 17地址输入选择的阵列的nvSRAM在131,072字节之一。
数据：用于访问的nvSRAM双向8位数据总线。
芯片使能：活动低辐射
写使能：有源低水
E的下降沿。
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。德主张摹
高会导致DQ引脚三态。
电源3.0V + 20 ％ -10 ％
五金店忙：当该低的输出表明五金店正在进行中。当拉低外部
该芯片将启动一个非易失性存储操作。内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果不
连接。 （连接可选）
V
帽
V
SS
（空）
电源
电源
无连接
自动存储
电容：提供电源的nvSRAM在断电时存储数据从SRAM到非易失
元素。
地
未标记引脚没有内部连接。
输入选择设备。
使得能够对DQ管脚的数据被写入到由锁存的地址位置
十二月2004
SSOP
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
32针
SOIC
or
PDIP
2
文件控制＃ ML0022 1.0版
QQ：2880707522 复制
