STP12NM50 - STP12NM50FP
STB12NM50 - STB12NM50-1
N沟道550V @ TJ
最大
-0.30Ω - 12A TO- 220 / FP / D / IPAK
齐纳保护的超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STB12NM50
STB12NM50-1
STP12NM50
STP12NM50FP
s
s
s
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.35
< 0.35
< 0.35
< 0.35
I
D
12 A
12 A
12 A
12 A
1
2
V
DSS
（ @Tj
最大
)
550 V
550 V
550 V
550 V
3
3
1
2
s
s
s
典型
DS
（上） = 0.30
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
低输入电容和栅极
收费
100％的雪崩测试
低门输入电阻
严格的流程控制和高
生产产量
TO-220
TO-220FP
3
1
12
3
D
2
PAK
I
2
PAK
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH horizon-
TAL布局。所得到的产物具有
出色的低导通电阻，令人印象深刻的高
dv / dt和优异的雪崩特性。该
采用本公司专有的带技的
NIQUE收益率整体动力表现是
比同类竞争对手的显著好
化的产品。
图2 ：内部原理图
应用
在的MDmesh 系列是非常适合increas-
高电压转换器荷兰国际集团的功率密度允许 -
荷兰国际集团系统的小型化和更高的效率。
表2 ：订购代码
销售类型
STB12NM50T4
STB12NM50-1
STP12NM50
STP12NM50FP
记号
B12NM50
B12NM50
P12NM50
P12NM50FP
包
DPAK
IPAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
管
第2版
2005年3月
1/14
STP12NM50 - STP12NM50FP - STB12NM50 - STB12NM50-1
表3 ：绝对最大额定值
符号
参数
STB12NM50
STB12NM50
STP12NM50
价值
STP12NM50FP
单位
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ISO
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘Winthstand电压（DC ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
12
7.5
48
160
1.28
--
± 30
12 (*)
7.5 (*)
48 (*)
35
0.28
2500
15
-65到150
-65到150
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤12A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
表4 ：热数据
的TO- 220 / DPAK /
IPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.78
62.5
300
TO-220FP
3.57
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
6
400
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表6 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
3
4
0.30
分钟。
500
1
10
± 100
5
0.35
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2/14
STP12NM50 - STP12NM50FP - STB12NM50 - STB12NM50-1
电气特性
（续）
表7 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ
(3)
.
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
Rg
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5.5
1000
180
25
90
20
10
28
8
18
1.6
39
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
nC
nC
nC
正向跨导V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0到400伏
V
DD
= 250 V，I
D
= 6 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图17）
V
DD
= 400 V，I
D
= 12 A,
V
GS
= 10 V
（参见图20）
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
表8 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12 A，V
GS
= 0
I
SD
= 12 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100V
（参见图18）
I
SD
= 12 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（参见图18）
270
2.23
16.5
340
3
18
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
12
48
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
(3) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
3/14
STP12NM50 - STP12NM50FP - STB12NM50 - STB12NM50-1
图3 ：安全工作区的TO- 220 /
DPAK / IPAK
图6 ：热阻抗TO- 220 / DPAK /
IPAK
图4 ：安全工作区TO- 220FP
图7 ：热阻抗对于TO- 220FP
图5：输出特性
图8 ：传输特性
4/14
STP12NM50 - STP12NM50FP - STB12NM50 - STB12NM50-1
图9 ：跨导
图12 ：静态漏源导通电阻
图10 ：栅极电荷VS栅源电压
图13 ：电容变化
图11 ：归栅极阈值电压
与温度
图14 ：归在电阻与温
perature
5/14
STP12NM50 - STP12NM50FP
STB12NM50 - STB12NM50-1
N沟道550V @ TJMAX - 0.30Ω - 12A TO- 220 / FP / D
2
/I
2
PAK
的MDmesh 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB12NM50
STB12NM50-1
STP12NM50
STP12NM50FP
■
■
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
550V
550V
550V
550V
R
DS （ ON）
<0.35
<0.35
<0.35
<0.35
I
D
12A
12A
12A
12A
3
1
3
1
2
3
1
2
TO-220
TO-220FP
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
低输入电容和栅极电荷
100％的雪崩测试
低门输入电阻
严密的过程控制和制造高
收益率
DPAK
3
12
IPAK
内部原理图
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏
过程与本公司的PowerMESH
横向布局。所得到的产物具有
出色的低导通电阻，令人印象深刻的高
dv / dt和优异的雪崩特性。该
采用该公司专有的条
技术导致了整体的动力性能
这是比类似显著更好
竞争的产品。
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB12NM50T4
STB12NM50-1
STP12NM50
STP12NM50FP
记号
B12NM50
B12NM50
P12NM50
P12NM50FP
包
DPAK
IPAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
管
2006年7月
转11
1/17
www.st.com
17
目录
STP12NM50-STP12NM50FP-STB12NM50-STB12NM50-1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STP12NM50-STP12NM50FP-STB12NM50-STB12NM50-1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220-
/ DPAK / IPAK
± 30
12
7.5
48
160
1.28
--
15
-65到150
12
(1)
7.5
(1)
48
(1)
35
0.28
2500
单位
TO-220FP
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
V
ISO
dv / dt的
(3)
T
J
T
英镑
绝缘Winthstand电压（DC ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
=80%V
（ BR ） DSS
表2中。
热数据
价值
符号
参数
TO-220/DPAK/
I PAK
单位
TO-220FP
3.57
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.78
62.5
300
表3中。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
6
400
单位
A
mJ
3/17
电气特性
STP12NM50-STP12NM50FP-STB12NM50-STB12NM50-1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A
3
4
0.30
分钟。
500
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
5
0.35
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
eq
(2)
.
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 6A
分钟。
典型值。
5.5
1000
250
20
90
20
10
28
8
18
1.6
39
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0V至400V
V
DD
= 250V ，我
D
= 6A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图14）
V
DD
= 400V ，我
D
= 12A
V
GS
=10V
（参见图15）
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
inceases从0到80 ％的V
DSS
4/17
STP12NM50-STP12NM50FP-STB12NM50-STB12NM50-1
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12A ，V
GS
=0
I
SD
=12A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100V ， TJ = 25°C
（参见图16）
I
SD
=12A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100V ， TJ = 150℃
（参见图16）
270
2.23
16.5
测试条件
民
典型值。
最大
11
48
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
340
3
18
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/17
STP12NM50 - STP12NM50FP
STB12NM50 - STB12NM50-1
N沟道550V @ TJ
最大
-0.30Ω - 12A TO- 220 / FP / D / IPAK
齐纳保护的超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STB12NM50
STB12NM50-1
STP12NM50
STP12NM50FP
s
s
s
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.35
< 0.35
< 0.35
< 0.35
I
D
12 A
12 A
12 A
12 A
1
2
V
DSS
（ @Tj
最大
)
550 V
550 V
550 V
550 V
3
3
1
2
s
s
s
典型
DS
（上） = 0.30
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
低输入电容和栅极
收费
100％的雪崩测试
低门输入电阻
严格的流程控制和高
生产产量
TO-220
TO-220FP
3
1
12
3
D
2
PAK
I
2
PAK
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH horizon-
TAL布局。所得到的产物具有
出色的低导通电阻，令人印象深刻的高
dv / dt和优异的雪崩特性。该
采用本公司专有的带技的
NIQUE收益率整体动力表现是
比同类竞争对手的显著好
化的产品。
图2 ：内部原理图
应用
在的MDmesh 系列是非常适合increas-
高电压转换器荷兰国际集团的功率密度允许 -
荷兰国际集团系统的小型化和更高的效率。
表2 ：订购代码
销售类型
STB12NM50T4
STB12NM50-1
STP12NM50
STP12NM50FP
记号
B12NM50
B12NM50
P12NM50
P12NM50FP
包
DPAK
IPAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
管
第2版
2005年3月
1/14
STP12NM50 - STP12NM50FP - STB12NM50 - STB12NM50-1
表3 ：绝对最大额定值
符号
参数
STB12NM50
STB12NM50
STP12NM50
价值
STP12NM50FP
单位
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ISO
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘Winthstand电压（DC ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
12
7.5
48
160
1.28
--
± 30
12 (*)
7.5 (*)
48 (*)
35
0.28
2500
15
-65到150
-65到150
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤12A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
表4 ：热数据
的TO- 220 / DPAK /
IPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.78
62.5
300
TO-220FP
3.57
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
6
400
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表6 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
3
4
0.30
分钟。
500
1
10
± 100
5
0.35
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
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STP12NM50 - STP12NM50FP - STB12NM50 - STB12NM50-1
电气特性
（续）
表7 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ
(3)
.
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
Rg
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5.5
1000
180
25
90
20
10
28
8
18
1.6
39
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
nC
nC
nC
正向跨导V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0到400伏
V
DD
= 250 V，I
D
= 6 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图17）
V
DD
= 400 V，I
D
= 12 A,
V
GS
= 10 V
（参见图20）
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
表8 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12 A，V
GS
= 0
I
SD
= 12 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100V
（参见图18）
I
SD
= 12 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（参见图18）
270
2.23
16.5
340
3
18
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
12
48
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
(3) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
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STP12NM50 - STP12NM50FP - STB12NM50 - STB12NM50-1
图3 ：安全工作区的TO- 220 /
DPAK / IPAK
图6 ：热阻抗TO- 220 / DPAK /
IPAK
图4 ：安全工作区TO- 220FP
图7 ：热阻抗对于TO- 220FP
图5：输出特性
图8 ：传输特性
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STP12NM50 - STP12NM50FP - STB12NM50 - STB12NM50-1
图9 ：跨导
图12 ：静态漏源导通电阻
图10 ：栅极电荷VS栅源电压
图13 ：电容变化
图11 ：归栅极阈值电压
与温度
图14 ：归在电阻与温
perature
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