STQ2HNK60ZR-AP
STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
N沟道600V - 4.4Ω - 2.0A TO- 92 / TO- 220FP / IPAK
齐纳保护的超网 MOSFET
TYPE
STQ2HNK60ZR-AP
STD2HNK60Z-1
STF2HNK60Z
V
DSS
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 4.8
< 4.8
< 4.8
I
D
0.5 A
2.0 A
2.0 A
P
W
3W
45 W
20 W
3
1
2
典型
DS
（上） = 4.4Ω
DV dt能力极高/
ESD能力的改进
100％的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
TO- 92 （ Ammopack ）
TO-220FP
3
2
1
IPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
AC转接器和电池充电器
SWITH模式电源（ SMPS ）
订购代码
产品型号
STD2HNK60Z-1
STQ2HNK60ZR-AP
STF2HNK60Z
记号
D2HNK60Z
Q2HNK60ZR
F2HNK60Z
包
IPAK
TO-92
TO-220FP
包装
管
AMMOPAK
管
2004年4月
1/12
STQ2HNK60ZR -AP - STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
IPAK
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
--
2.0
1.26
8
45
0.36
价值
TO-220FP
600
600
± 30
2.0 (*)
1.26 (*)
8 (*)
20
0.16
2000
4.5
2500
-55到150
--
0.5
0.32
2
3
0.025
TO-92
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤
2 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ * ）电流限制通过包装
热数据
IPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj铅
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结铅最大
最大无铅焊接温度的
用途
2.77
100
--
300
TO-220FP
6.25
62.5
--
300
TO-92
--
120
40
260
° C / W
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
2
120
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STQ2HNK60ZR -AP - STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0 A
3
3.75
4.4
分钟。
600
1
50
±10
4.5
4.8
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 1.0 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1.5
280
38
7
30
10
30
23
50
11
2.25
6
15
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
V
DD
= 300 V，I
D
= 1.0 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10V
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2.0 A，V
GS
= 0
I
SD
= 2.0 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 20 V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 13 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 20 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
178
445
5
200
500
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
8.0
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/12
STQ2HNK60ZR -AP - STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
安全工作区TO- 92
热阻抗对于TO- 92
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
安全工作区IPAK
热阻抗为IPAK
4/12
STQ2HNK60ZR -AP - STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
5/12
STD2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR -AP
N沟道600V - 4.4Ω - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD2HNK60Z
STD2HNK60Z-1
STF2HNK60Z
STQ2HNK60ZR-AP
■
■
■
■
■
V
DSS
600V
600V
600V
600V
R
DS （ ON）
<4.8
<4.8
<4.8
<4.8
I
D
2A
2A
2A
0.5A
P
合计
45W
45W
20W
3W
2
1
3
3
1
IPAK
DPAK
栅极电荷最小化
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
ESD能力的改进
新的高压BENCHMARK
1
3
2
TO- 92 （ Ammopack ）
TO-220
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
stripbased的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压功率MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
销售类型
STD2HNK60Z
STD2HNK60Z-1
STF2HNK60Z
STQ2HNK60ZR-AP
记号
D2HNK60Z
D2HNK60Z
F2HNK60Z
Q2HNK60ZR
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-92
包装
磁带&卷轴
管
管
AMMOPAK
2006年3月
转4
1/16
www.st.com
16
内容：
STD2HNK60Z / -1 - STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR -AP
内容：
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/16
STD2HNK60Z / -1 - STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR -AP
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
IPAK / DPAK TO- 220FP TO- 92
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
2.0
1.26
8
45
0.36
600
600
±30
2.0
1.26
8
20
0.16
2000
--
2500
4.5
-55到150
300
260
--
0.5
0.32
2
3
0.025
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V
V / ns的
°C
°C
单位
V
ESD （G -S ）
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
V
ISO
dv / dt的
(2)
T
J
T
英镑
T
l
绝缘耐压（ DC ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
最大无铅焊接温度的
用途
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
I
SD
≤2A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
=80%V
（ BR ） DSS
表2中。
热数据
IPAK / DPAK TO- 220FP TO- 92
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ铅
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结铅最大
2.77
100
--
6.25
62.5
--
--
120
40
° C / W
° C / W
° C / W
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJMAX ）
单脉冲雪崩能量（首发
TJ = 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
=50V)
价值
2
120
单位
A
mJ
3/16
电气特性
STD2HNK60Z / -1 - STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR -AP
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
试验性条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
分钟。
600
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
门体漏电流
V
GS
= ±20V
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
3
3.75
4.4
4.5
4.8
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
试验性条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.0A
分钟。
典型值。
1.5
280
38
7
30
11
2.25
6
15
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0V至480V
V
DD
= 480V ，我
D
= 2.0A
V
GS
=10V
（参见图18）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/16
STD2HNK60Z / -1 - STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR -AP
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
试验性条件
V
DD
= 300V ，我
D
=1.0A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图17）
V
DD
= 300V ，我
D
=1.0A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图17）
分钟。
典型值。
10
30
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
23
50
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2.0A ，V
GS
=0
I
SD
= 2.0A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20 V ， TJ = 25°C
178
445
5
200
500
5
试验性条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
8.0
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
I
SD
= 2.0A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20 V ， TJ = 150℃
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/16
STQ2HNK60ZR-AP
STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
N沟道600V - 4.4Ω - 2.0A TO- 92 / TO- 220FP / IPAK
齐纳保护的超网 MOSFET
TYPE
STQ2HNK60ZR-AP
STD2HNK60Z-1
STF2HNK60Z
V
DSS
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 4.8
< 4.8
< 4.8
I
D
0.5 A
2.0 A
2.0 A
P
W
3W
45 W
20 W
3
1
2
典型
DS
（上） = 4.4Ω
DV dt能力极高/
ESD能力的改进
100％的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
TO- 92 （ Ammopack ）
TO-220FP
3
2
1
IPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
AC转接器和电池充电器
SWITH模式电源（ SMPS ）
订购代码
产品型号
STD2HNK60Z-1
STQ2HNK60ZR-AP
STF2HNK60Z
记号
D2HNK60Z
Q2HNK60ZR
F2HNK60Z
包
IPAK
TO-92
TO-220FP
包装
管
AMMOPAK
管
2004年4月
1/12
STQ2HNK60ZR -AP - STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
IPAK
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
--
2.0
1.26
8
45
0.36
价值
TO-220FP
600
600
± 30
2.0 (*)
1.26 (*)
8 (*)
20
0.16
2000
4.5
2500
-55到150
--
0.5
0.32
2
3
0.025
TO-92
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤
2 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ * ）电流限制通过包装
热数据
IPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj铅
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结铅最大
最大无铅焊接温度的
用途
2.77
100
--
300
TO-220FP
6.25
62.5
--
300
TO-92
--
120
40
260
° C / W
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
2
120
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STQ2HNK60ZR -AP - STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0 A
3
3.75
4.4
分钟。
600
1
50
±10
4.5
4.8
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 1.0 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1.5
280
38
7
30
10
30
23
50
11
2.25
6
15
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
V
DD
= 300 V，I
D
= 1.0 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10V
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2.0 A，V
GS
= 0
I
SD
= 2.0 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 20 V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 13 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 20 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
178
445
5
200
500
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
8.0
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/12
STQ2HNK60ZR -AP - STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
安全工作区TO- 92
热阻抗对于TO- 92
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
安全工作区IPAK
热阻抗为IPAK
4/12
STQ2HNK60ZR -AP - STF2HNK60Z - STD2HNK60Z - 1
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
5/12
QQ：2881677436 复制
