SDT400
DC输入
光电耦合器
描述
该SDT400由一个光电晶体管的光耦合到发光二极管的。输入LED和输出之间的光耦合
光电晶体管允许高隔离级别,同时保持低电平的直流信号的控制能力。该SDT400提供光学
控制多接口应用,如电信,工业控制和仪器仪表电路的隔离方法。
特点
应用
高输入到输出隔离封装( 5000 Vrms的)
低输入功率消耗
高稳定性
小型4引脚DIP封装
CTR范围50-600 %
寄存器,复印机,自动售货机
系统设备,测量仪器
计算机终端, PLC的
电信,电话
家电
数字逻辑输入
微处理器的输入
开关电源
选项/ SUFFIXES *
绝对最大额定值*
参数
储存温度
工作温度
输入正向电流
输入正向峰值
当前
反向输入控制
电压
单位
C
C
mA
A
V
mW
民
-55
-40
典型值
最大
125
100
50
1
6
200
-H
-S
-TR
0.04" ( 10.16毫米)引线间距( VDE0884 )
表面贴装选项
磁带和卷轴选项
注意:上面列出的后缀不包括在标记上
设备部件号标识。
原理图
1
+输入
4
集热器
总功耗
2
- 输入
3
辐射源
*显示的值是绝对的收视率的压力。的功能操作
设备未在这些或任何条件中超出所定义的隐含
本文档的电气特性部分。暴露在绝对
额定值可能会导致器件永久性损坏,可能不利
影响可靠性。
认证
UL和C - UL认证,文件号: E201932
VDE认证,里克# 40011227
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修订版1.40 ( 2004年10月25日)
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光电耦合器
电气特性 - 25℃
参数
输入特定网络阳离子
正向电压
反向电流
V
A
1.2
1.4
10
如果= 20mA下
VR = 4V
单位
民
典型值
最大
测试条件
输出规格
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
暗电流
杂散电容
饱和电压
电流传输比
上升时间
下降时间
V
V
A
pF
V
%
s
s
50
4
3
0.6
0.1
60
6
0.1
1
0.2
600
IC = 10uA的
即=为10uA
VCE = 20V
V = 0 , F = 1MHz的
IF = 20mA时, IC = 1毫安
如果= 5毫安,的Vce = 5V
IC = 2毫安, VCC = 2V , RC = 100欧姆
IC = 2毫安, VCC = 2V , RC = 100欧姆
再加规格
隔离电压
绝缘电阻
V
G
5000
50
T = 1分钟
CTR分类
-A
-B
-C
-D
-E
%
%
%
%
%
60
130
200
300
50
160
260
400
600
600
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性能数据
SDT400
集电极 - 发射极饱和电压与正向电流
N = 100 ,环境温度= 25°C
SDT400
电流传输比与正向电流
N = 100 ,环境温度= 25°C
集电极 - 发射极饱和电压Vce ( V)
电流传输比CTR ( % )
正向电流I
F
(MA )
正向电流I
F
(MA )
SDT400
集电极耗散功率与环境温度
N = 100
SDT400
集电极暗电流与环境温度
N = 100
集电极耗散功率PC(毫瓦)
集电极暗电流ICEO ( A)
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
SDT400
典型分布VCEO
N = 100 ,环境温度= 25°C
SDT400
正向电流与环境温度
N = 100 ,环境温度= 25°C
30
20
10
0
60
63
66
69
72
75
78
81
Breakdow N个电压( V)
正向电流I
F
(MA )
40
设备数量
环境温度Ta (C )
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光电耦合器
性能数据
SDT400
集电极电流
与
集电极 - 发射极电压
N = 100 ,环境温度= 25°C
SDT400
正向电流与正向电压
N = 100 ,环境温度= 25°C
集电极电流Ic ( mA)的
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
正向电流IF (MA )
正向电压V
F
(V)
SDT400
上升时间与负载电阻
N = 100,
环境Termperature = 25°C
SDT400
下降时间与负载电阻
N = 100 ,环境温度= 25°C
响应上升时间(我们)
负载阻抗R
L
(千欧)
响应上升时间(我们)
负载阻抗R
L
(千欧)
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机械尺寸
4针
双列直插封装
(SDT400)
4针
表面安装器件
(SDT400-S)
4针
H
键入与
0.4"铅
间距
(SDT400-H)
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