SENSITRON
半导体
数据表658 ， REV 。 -
SPXXMXXX -XXX
标准工业级MOSFET功率模块
产品特点：
高功率密度
低漏极至源极电阻（R
DS （ ON）
)
低热阻（R
JC
)
工业MOSFET产品图
I
D
（安培）
CON连接G-
uration
单身
100
300
600
1000
60
半
桥
100
300
600
1000
60
100
200
300
600
1000
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SPC4M012-100
V
DSS
(V)
60
10
-
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SPM2M025-100
SPM2M035-100
50
-
-
-
SPM1M070-060
SPM1M045-100
SPM1M065-100
100
-
-
SPM1M130-030
SPM1M160-030
SPM1M090-060
200
-
SPM1M250-010
300
-
SPM1M300-010
400
SPM1M350-006
SPM1M400-006
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SPM2M200-006
SPM2M250-006
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SPM2M150-010
SPM2M080-030
SPM2M120-030
-
-
-
SPM2M040-060
SPM2M050-060
-
SPM2M200-010
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SPC4M030-020
SPC4M075-006
SPC4M045-010
SPC4M075-010
SPM4M130-006
SPM4M130-010
H- BRIDGE
SPC4M050-020
SPC4M040-030
SPM4M040-060
-
SPM4M080-030
-
SPC4M020-060
SPM4M024-100
-
-
-
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
半导体
数据表658 ， REV 。 -
SPXXMXXX -XXX
工业级MOSFET功率模块
工业MOSFET产品图
I
D
（安培）
CON连接G-
uration
V
DSS
(V)
60
100
双
H- BRIDGE
3-Phase
桥
200
600
60
100
200
600
1000
10
-
-
-
SPC8M011-060
25
-
-
SPC8M030-020
50
SPC8M075-006
SPC8M045-010
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
-
-
-
-
-
-
-
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SPC6M075-006
SPC6M045-010
-
-
-
SPC6M030-020
-
-
-
SPC6M011-060
SPC6M006-100
-
-
-
-
-
注意：
工作温度范围为-40 ？ C至125 ？ ℃;储存温度范围为-40 ？ C至150 °C的
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
数据表658 ， REV 。 -
工业MOSFET模块
单一的设备
MOSFET特性
部分
数
SPXXMXXX -XXX
SPM1M350-006
SPM1M400-006
SPM1M250-010
SPM1M300-010
SPM1M130-030
SPM1M160-030
SPM1M070-060
SPM1M090-060
SPM1M045-100
SPM1M065-100
60
60
100
100
300
300
600
600
1000
1000
350
400
250
300
130
160
70
90
45
65
900
1000
700
900
400
600
250
350
140
200
0.003
0.002
0.007
0.005
0.030
0.018
0.100
0.070
0.300
0.200
半桥器件
MOSFET特性
部分
数
V
DSS
连续
漏
当前
I
C
@ T = 25
o
C
安培
脉冲
漏
当前
T
C
=25
o
C
伏
安培
SPM2M200-006
SPM2M250-006
SPM2M150-010
SPM2M200-010
SPM2M080-030
SPM2M120-030
SPM2M040-060
SPM2M050-060
SPM2M025-100
SPM2M035-100
60
60
100
100
300
300
600
600
1000
1000
200
250
150
200
80
120
40
50
25
35
500
600
400
500
250
350
150
200
75
120
0.005
0.004
0.013
0.009
0.055
0.035
0.180
0.120
0.55
0.37
H桥器件
MOSFET特性
部分
数
V
DSS
连续
漏
当前
o
I
C
@ T = 25℃
安培
脉冲
漏
当前
o
T
C
=25 C
R
DS （ ON）
@I
D
伏
安培
SPM4M130-006
SPM4M130-010
SPM4M080-030
SPM4M040-060
SPM4M024-100
SPC4M075-006
SPC4M045-010
SPC4M075-010
SPC4M030-020
SPC4M050-020
SPC4M040-030
SPC4M020-060
SPC4M012-100
60
100
300
600
1000
60
100
100
200
200
300
600
1000
130
130
80
40
24
75
45
75
30
50
40
20
12
400
400
300
120
70
220
130
300
120
200
150
80
45
0.006
0.011
0.053
0.180
0.55
0.010
0.030
0.020
0.075
0.05
0.085
0.350
1.00
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
伏
安培
安培
A
nF
ns
瓦
o
C / W
60
100
60
100
60
90
30
50
20
25
18
28
18
28
18
28
18
28
18
28
60
60
200
200
200
200
250
250
250
250
800
1000
1000
1500
1000
1500
1000
1500
1000
1500
0.14
0.11
0.11
0.07
0.11
0.07
0.11
0.07
0.11
0.07
R
DS （ ON）
@I
D
C
国际空间站
典型值
t
rr
最大
25
o
C
最大
P
D
@
T
C
=25
o
C
瓦
R
A
nF
ns
o
C / W
40
60
40
60
40
60
20
30
10
15
9.0
14
9.0
14
9.0
14
9.0
14
9.0
14
60
60
200
200
200
200
250
250
250
250
460
600
600
900
600
900
600
900
600
900
0.27
0.20
0.20
0.13
0.20
0.13
0.20
0.13
0.20
0.13
C
国际空间站
典型值
t
rr
最大
25
o
C
最大
P
D
@
T
C
=25
o
C
瓦
R
JC
A
nF
ns
o
C / W
20
20
20
20
15
20
20
20
15
15
20
10
6.0
6.0
9.0
9.0
9.0
9.0
2.8
3.5
4.5
2.8
4.5
4.8
4.5
4.0
60
200
200
250
250
60
170
200
360
200
200
250
250
230
600
600
900
600
150
180
300
180
300
300
300
300
0.56
0.20
0.20
0.20
0.20
1.0
0.70
0.40
0.70
0.40
0.40
0.40
0.40
V
DSS
连续
漏
当前
o
I
C
@ T = 25℃
脉冲
漏
当前
o
T
C
=25 C
R
DS （ ON）
@I
D
C
国际空间站
典型值
t
rr
最大
o
25 C
最大
P
D
@
o
T
C
=25 C
R
JC
JC
SPXXMXXX -XXX
数据表658 ， REV 。 -
双H桥器件
MOSFET特性
部分
数
V
DSS
连续
漏
当前
o
I
C
@ T = 25℃
安培
脉冲
漏
当前
o
T
C
=25 C
R
DS （ ON）
@I
D
C
国际空间站
典型值
t
rr
最大
o
25 C
最大
P
D
@
o
T
C
=25 C
瓦
R
JC
伏
安培
A
nF
ns
o
C / W
SPC8M075-006
SPC8M045-010
SPC8M030-020
SPC8M011-060
60
100
200
600
75
45
30
11
220
130
120
45
0.010
0.030
0.075
0.55
20
20
15
5.0
2.8
3.5
2.8
2.7
60
170
360
250
150
180
180
180
1.0
0.70
0.70
0.40
二极管的特性
部分
数
典型值
ns
¤
额定电流
I
FAVM
@ D = 0.5 ，TC
安培
o
C
SPC8M075-006
SPC8M045-010
SPC8M030-020
SPC8M011-060
25
25
25
15
80
80
80
80
1.05
1.05
1.05
1.6
25
25
25
15
30
30
30
50
1.6
1.6
1.6
1.6
三相桥式设备
MOSFET特性
部分
数
V
DSS
连续
漏
当前
I
C
@ T = 25
o
C
安培
脉冲
漏
当前
T
C
=25
o
C
R
DS （ ON）
@I
D
C
国际空间站
典型值
t
rr
最大
o
25 C
最大
P
D
@
o
T
C
=25 C
瓦
伏
安培
A
nF
ns
SPC6M075-006
SPC6M045-010
SPC6M030-020
SPC6M011-060
SPC6M006-060
60
100
200
600
1000
75
45
30
11
6.0
220
130
120
45
24
0.010
0.030
0.075
0.55
2.0
20
20
15
5.0.
3.0
2.8
3.5
2.8
2.7
2.6
60
170
360
250
250
150
180
180
180
180
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
V
F
@ I
F
T
J
=25
o
C
典型值
伏安培
t
rr
@ -di / DT = 100A /秒，T
J
=25
o
C
热
阻力
R
JC
o
C / W
R
JC
o
C / W
1.0
0.70
0.70
0.70
0.70
SPXXMXXX -XXX
数据表658 ， REV 。 -
原理图
（对于SPMxMxxx -XXX ）
销1
引脚1,2
5脚
7针
7针
引脚8
9针
3,4引脚
引脚11
引脚4
9针
引脚11
针
10
引脚4
引脚2 ， 3
5脚
7针
引脚8
销2
Pin3
销1
引脚6
示意图
SPM1Mxxx-xxx
示意图
SPM2Mxxx-xxx
示意图
SPM4Mxxx-xxx
（对于SPM1Mxxx - XXX ， SPM2Mxxx -XXX ， SPM4Mxxx -XXX ）
（所有尺寸以英寸为单位）
包装外形
信号引脚
铜基
电源引脚
0.40
0.32
=
0.2
11
10
1.5
9
信号
6
8
7
码头
4
电源端子
3
= 0.10
0.6
2.60
3.62
0.3
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
0.34
= 0.05
0.23
0.10
5
0.23
2
1
0.27
0.75
QQ：2881677436 复制
