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公告PD- 21098转。 B 08/06
STPS1045BPbF
肖特基整流器器
10 AMP
I
F( AV )
= 10AMP
V
R
= 45V
主要额定值及特点
特征
I
F( AV )
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
@ TP = 5
μs
正弦
V
F
T
J
@ 10 APK ,T
J
= 125°C
范围
描述/功能
单位
A
V
A
V
°C
该STPS1045BPbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用程序和
小脚印在PC板。典型的应用是在磁盘
驱动器,开关电源,转换器,随心所欲
二极管,电池充电和反向电池保护。
流行的D- PAK大纲
小脚印,表面moutable
低正向压降
高频率运行
保护环,增强耐用性和长期
可靠性
无铅( "PbF"后缀)
10
45
390
0.57
- 40 175
表壳款式
BASE
阴极
4, 2
1
3
阳极
阳极
D- PAK ( TO- 252AA )
www.irf.com
1
STPS1045BPbF
公告PD- 21098转。 B 08/06
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压( V)
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压( V)
STPS1045BPbF
45
绝对最大额定值
参数
I
F( AV )
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。五
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
390
75
20
3.0
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲额定V
RRM
应用的
价值
10
单位条件
A
占空比为50% @ T
C
= 151 ° C,矩形波的形式
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 3.0安培, L = 4.40 mH的
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
价值
0.63
0.84
0.57
0.72
单位条件
V
V
V
V
mA
mA
pF
nH
V/
μs
@ 10A
@ 20A
@ 10A
@ 20A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
(测试信号范围100kHz至1MHz ) 25℃
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流
*请参阅图。 2
(1)
典型结电容
典型的串联电感
0.2
15
760
5.0
10000
= 5V
DC
测铅铅从封装体5毫米
(额定V
R
)
(1 )脉冲宽度: LT ; 300μS ,占空比& LT ; 2 %
dv / dt的最大值。变化的电压率
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结脾气。范围( * )
马克斯。储存温度范围
价值
- 40 175
- 40 175
3.0
50
0.3 (0.01)
- PAK
单位条件
°C
°C
° C / W DC操作
° C / W
克(盎司)。
类似TO- 252AA
*请参阅图。 4
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
R
thJA
马克斯。热阻结
到环境
wt
大约重量
机箱样式
器件标识
( * ) dPtot
DTJ
& LT ;
1
Rth的第(j-一)
STPS1045B
热失控条件对自己的散热器二极管
2
www.irf.com
STPS1045BPbF
公告PD- 21098转。 B 08/06
100
1000
T = 175℃
100
反向电流(mA )
J
150C
125C
100C
10
1
75C
0.1
0.01
50C
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
0.001
0.0001
0
10
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
10000
结电容C
T
(PF )
T
J
= 25C
TJ = 175℃
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1000
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
正向电压下降 - V
FM
(V)
图。 1 - 最大正向电压降
特征
100
0
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
10
热阻抗 - z
thJC
( ° C / W)
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
t1
0.1
单脉冲
(热电阻)
注意事项:
1.占空比系数D = T1 / T2
t2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
www.irf.com
3
STPS1045BPbF
公告PD- 21098转。 B 08/06
180
允许外壳温度( ℃)
平均功耗(瓦)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
170
DC
160
150
方波( D = 0.50 )
80 %额定Vr的应用
见说明( 2 )
140
0
2
4
6
8
10 12 14 16
F( AV )
平均正向电流 - I
(A)
图。 5 - 最大允许外壳温度
与平均正向电流
平均正向电流 - I
F( AV )
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
1000
不重复浪涌电流 - 我
(A)
FSM
100
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
10
10
100
1000
10000
p
方波脉冲持续时间 - 吨
(微秒)
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
(2)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
@ (I
F( AV )
/
D) (参照图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
@ V
R1
= 80 %额定V
R
4
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STPS1045BPbF
公告PD- 21098转。 B 08/06
概要表
修改JEDEC外形TO- 252AA
尺寸以毫米(英寸)
最热资讯
这是一份STPS1045B
国际
整流器器
批号8024
标志
组装WW 02 , 2003
装配
批号
产品型号
STPS1045B
日期代码
P = LEAD -FREE
3年= 2003
02周
X = SITE ID
www.irf.com
5
STPS1045B/H
功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
V
F
(最大)
特点和优点
n
n
n
n
10 A
45 V
0.57 V
K
K
开关损耗极小
低正向电压降
低电容
高反向雪崩潮
能力
K
A
A
A
K
A
描述
高压肖特基整流器适用于开关
模式电源和其它电源
转换器。
包装DPAK和IPAK ,这些设备
用于在高频电路系统使用
其中,低开关损耗是必需的。
DPAK
STPS1045B
IPAK
STPS1045H
绝对最大额定值
符号
V
RRM
I
F( RMS )
/针
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
T
英镑
Tj
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流/针
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
反向重复峰值电流
存储温度范围
最高结温
关键的增长速度反向电压
TC = 150℃
d = 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 2
s
F = 1kHz时
价值
45
7
10
75
1
- 65 + 175
175
10000
单位
V
A
A
A
A
°C
°C
V / μs的
2000年5月 - 埃德: 2B
1/5
STPS1045B/H
热阻
符号
R
日(J -C )
结到外壳
参数
价值
3
单位
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
**
参数
反向漏电流
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
脉冲测试:
* TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
** TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
7
马克斯。
100
15
0.63
0.57
0.84
0.72
单位
A
mA
V
V
R
= 45 V
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
0.65
0.5
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.42 ×1
F( AV )
+ 0.015 I
F2(RMS)
图。 1 :
正向平均功耗与
平均正向电流。
PF (AV) (W)的
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
IF ( AV ) (A )
5
6
7
8
9
δ
= TP / T
T
图。 2 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) 。
IF ( AV ) (A )
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
12
RTH ( J- A)=的Rth (J -C )
10
δ
=1
8
6
4
T
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=70°C/W
2
tp
10
11
12
0
δ
= TP / T
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
175
0
25
图。 3 :
不重复浪涌峰值正向电流
相对于过载持续时间(最大值) 。
IM ( A)
120
100
80
Tc=50°C
图。 4 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间。
第Z (J -C ) / Rth的(J -C )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
δ
= 0.5
60
Tc=100°C
40
Tc=150°C
δ
= 0.2
δ
= 0.1
T
20
I
M
t
0
1E-3
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
单脉冲
TP (多个)
1E-2
0.0
1E-4
δ
= TP / T
tp
1E-3
1E-1
1E+0
2/5
STPS1045B/H
图。 5 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR( μA )
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
0
5
10
15
Tj=150°C
图。 6 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
C( pF)的
1000
F=1MHz
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=100°C
Tj=75°C
Tj=50°C
Tj=25°C
500
200
VR ( V)
30
35
40
45
VR ( V)
20
25
100
1
2
5
10
20
50
图。 7 :
正向压降与前进
电流(最大值) 。
图。 8 :
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面(环氧树脂印刷
电路
板,
厚度:
35m)
(STPS1045B).
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
100
IFM ( A)
100.0
Tj=125°C
(典型值)
80
10.0
Tj=125°C
Tj=25°C
60
40
1.0
20
VFM ( V)
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
S(铜)(平方厘米)
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
3/5
STPS1045B/H
包装机械数据
IPAK
尺寸
REF 。
A
E
B2
L2
C2
MILLIMETERS
分钟。
典型值。马克斯。分钟。
2.4
1.1
1.3
0.9
5.4
0.85
0.3
0.45
0.48
6
6.4
4.4
15.9
9
0.8
0.8
10°
0.95
0.6
0.6
6.2
6.6
4.6
16.3
9.4
1.2
1
0.017
0.019
0.236
0.252
0.173
0.626
0.354
0.031
0.086
0.035
0.027
0.025
0.204
2.2
0.9
0.7
0.64
5.2
英寸
典型值。马克斯。
0.094
0.043
0.051
0.035
0.212
0.033
0.035
0.037
0.023
0.023
0.244
0.260
0.181
0.641
0.370
0.047
0.031 0.039
10°
D
H
L
L1
B6
B3
B
V1
A1
B5
G
C
A3
A
A1
A3
B
B2
B3
B5
B6
C
C2
D
E
G
H
L
L1
L2
V1
n
冷却方式:通过传导( C)
4/5
STPS1045B/H
包装机械数据
DPAK
尺寸
REF 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
MILLIMETERS
分钟。
2.20
0.90
0.03
0.64
5.20
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
9.35
0.80
0.60
1.00 0.023
典型值。
最大
2.40
1.10
0.23
0.90
5.40
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
10.10
分钟。
0.086
0.035
0.001
0.025
0.204
0.017
0.018
0.236
0.251
0.173
0.368
0.031
0.039
英寸
典型值。马克斯。
0.094
0.043
0.009
0.035
0.212
0.023
0.023
0.244
0.259
0.181
0.397
n
冷却方式:通过传导( C)
FOOT PRINT尺寸
(单位:毫米)
6.7
6.7
6.7
3
1.6
2.3
2.3
1.6
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2000意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
5/5
STPS1045BPbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 10 A
特点
??流行的D- PAK大纲
可用的
BASE
阴极
4, 2
??小脚印,表面贴装
低正向压降
??高频工作
RoHS指令*
柔顺
D- PAK
1
阳极
3
阳极
??保护环,增强耐用性和长期
可靠性
铅(Pb ) -free ( “的PbF ”后缀)
设计和合格的AEC Q101等级
描述
产品概述
I
F( AV )
V
R
10 A
45 V
该STPS1045BPbF表面贴装肖特基整流器
已设计用于要求低的应用
正向压降和PC板的小脚印。典型
应用是在磁盘驱动器,开关电源,
转换器,续流二极管,电池充电,并
电池反接保护。
主要额定值及特点
符号
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
10 APK ,T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
10
45
390
0.57
- 40 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
STPS1045BPbF
45
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F( AV )
测试条件
50%的占空比在T
C
= 151 ℃,矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
10
390
75
20
3.0
mJ
A
A
单位
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 3.0 A,L = 4.40 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 94323
修订: 23 -APR- 08
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
STPS1045BPbF
日前,Vishay高功率产品
电气规格
参数
符号
10 A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频(1)
20 A
10 A
20 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
(1)
脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2 %
I
RM ( 1 )
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
0.63
0.84
0.57
0.72
0.2
15
760
5.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
肖特基整流器, 10 A
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
(测试信号范围100 kHz至1 MHz)的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻,
结到外壳
最大热电阻,
结到环境
大约重量
打标设备
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
直流操作
见图。 4
测试条件
- 40 175
3.0
单位
°C
° C / W
50
0.3
0.01
g
盎司
机箱样式D- PAK (类似TO- 252AA )
STPS1045B
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94323
修订: 23 -APR- 08
STPS1045BPbF
肖特基整流器, 10 A
日前,Vishay高功率产品
100
1000
I
R
- 反向电流(mA )
100
10
1.0
0.1
0.01
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
I
F
- 瞬时
正向电流( A)
10
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4 1.6 1.8 2.0
0
10
20
30
40
50
V
FM
- 正向压降( V)
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
10 000
C
T
- 结电容(pF )
1000
T
J
= 25 °C
100
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
(热电阻)
0.01
0.00001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.001
0.01
0.1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
0.0001
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号: 94323
修订: 23 -APR- 08
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3
STPS1045BPbF
日前,Vishay高功率产品
180
肖特基整流器, 10 A
16
允许外壳温度( ℃)
平均功耗( W)
14
12
10
8
6
4
2
0
RMS限制
170
DC
160
150
WAVE
(D = 0.50)
80 %
评级
V
R
应用的
见注( 1 )
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
140
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流(A )
1000
100
在任何额定负载条件
评级
V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间(微秒)
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
(1)
式中: T = - ( PD +钯
C
J
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
= 80 %额定V
R
www.vishay.com
4
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94323
修订: 23 -APR- 08
STPS1045BPbF
肖特基整流器, 10 A
日前,Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
STPS
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
10
2
45
3
B
4
TRL的PbF
5
6
肖特基STPS系列
额定电流( 10 A )
电压额定值( 45 = 45 V)
B =基本部件号
无=管( 50件)
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴(左为导向)
TRR =带和卷轴(右导向)
无=标准生产
PBF =铅(Pb ) - 免费
6
-
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最热资讯
包装信息
http://www.vishay.com/doc?95016
http://www.vishay.com/doc?95059
http://www.vishay.com/doc?95033
文档编号: 94323
修订: 23 -APR- 08
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5
STPS1045BPbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 10 A
特点
??流行的D- PAK大纲
可用的
BASE
阴极
4, 2
??小脚印,表面贴装
低正向压降
??高频工作
RoHS指令*
柔顺
D- PAK
1
阳极
3
阳极
??保护环,增强耐用性和长期
可靠性
铅(Pb ) -free ( “的PbF ”后缀)
设计和合格的AEC Q101等级
描述
产品概述
I
F( AV )
V
R
10 A
45 V
该STPS1045BPbF表面贴装肖特基整流器
已设计用于要求低的应用
正向压降和PC板的小脚印。典型
应用是在磁盘驱动器,开关电源,
转换器,续流二极管,电池充电,并
电池反接保护。
主要额定值及特点
符号
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
10 APK ,T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
10
45
390
0.57
- 40 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
STPS1045BPbF
45
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F( AV )
测试条件
50%的占空比在T
C
= 151 ℃,矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
10
390
75
20
3.0
mJ
A
A
单位
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 3.0 A,L = 4.40 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
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STPS1045BPbF
日前,Vishay高功率产品
电气规格
参数
符号
10 A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频(1)
20 A
10 A
20 A
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
(1)
脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2 %
I
RM ( 1 )
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
0.63
0.84
0.57
0.72
0.2
15
760
5.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
肖特基整流器, 10 A
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
(测试信号范围100 kHz至1 MHz)的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻,
结到外壳
最大热电阻,
结到环境
大约重量
打标设备
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
直流操作
见图。 4
测试条件
- 40 175
3.0
单位
°C
° C / W
50
0.3
0.01
g
盎司
机箱样式D- PAK (类似TO- 252AA )
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dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
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肖特基整流器, 10 A
日前,Vishay高功率产品
100
1000
I
R
- 反向电流(mA )
100
10
1.0
0.1
0.01
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
I
F
- 瞬时
正向电流( A)
10
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4 1.6 1.8 2.0
0
10
20
30
40
50
V
FM
- 正向压降( V)
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
10 000
C
T
- 结电容(pF )
1000
T
J
= 25 °C
100
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容比。
反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
(热电阻)
0.01
0.00001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.001
0.01
0.1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
0.0001
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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16
允许外壳温度( ℃)
平均功耗( W)
14
12
10
8
6
4
2
0
RMS限制
170
DC
160
150
WAVE
(D = 0.50)
80 %
评级
V
R
应用的
见注( 1 )
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
140
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流(A )
1000
100
在任何额定负载条件
评级
V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间(微秒)
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
(1)
式中: T = - ( PD +钯
C
J
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
= 80 %额定V
R
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-
-
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10
2
45
3
B
4
TRL的PbF
5
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肖特基STPS系列
额定电流( 10 A )
电压额定值( 45 = 45 V)
B =基本部件号
无=管( 50件)
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴(左为导向)
TRR =带和卷轴(右导向)
无=标准生产
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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    STPS1045B
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    STPS1045B
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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ST
22+
7227
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:0755-82797406
联系人:李
地址:龙岗区坂田街道雅宝路1号星河WORLD-A座13楼06室
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ST
19+
12500
TO252
原装正品,现货库存
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电话:0755-84507690
联系人:马先生
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河World-A座2203A室
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ST
22+
6980
TO-252
新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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ST(意法)
22+
2351
原装原厂公司现货
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电话:010-82610856
联系人:李小姐
地址:北京市海淀区中关村大街32号新中发电子市场B1815
STPS1045B
ST
22+
680
TO252
全新现货13521044822假一罚十
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电话:0755-82533534
联系人:欧阳
地址:深圳市福田区华强北街道上步路上步工业区201栋316室
STPS1045B
ST
21+
2690
原封装
新到现货、一手货源、当天发货、价格低于市场
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-83254731 82779476
联系人:付
地址:广东省深圳市福田区华强北华匀大厦1栋302
STPS1045B
ST
22+
1744
SOT252
公司现货库存,只做原装
QQ: 点击这里给我发消息

电话:13590988529
联系人:张小姐
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西4层C区4A31
STPS1045B
ST
22+
6000
TO252
现货特卖,100%原装正品
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电话:13428921985
联系人:张小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦三栋三单元608
STPS1045B
ST/意法
22+
27000
N
一级代理,全新原装正品,公司现货!
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-89587343
联系人:李湘
地址:深圳龙岗区钧豪MIXpark1栋B座15层棕科云端大厦
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ST/华雄半导体
2309+
4810
TO252
一级代理,全新原装正品,公司现货!
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