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S71NS -N MCP产品
的MirrorBit
TM
1.8伏只同时读/写,
突发模式复用的快闪记忆体:
256 MB ( 16兆×16位) , 128 MB(兆8 ×16位)和
64 MB(兆4 ×16位)突发模式复用
PSRAM :64 MB (4 MB ×16位) , 32 MB (2 MB ×16位)
和16 MB (1 MB ×16位)
数据表
ADVANCE
信息
请注意,以读者:
进展情况的信息表明,该
文档包含正在开发一个或多个产品信息
在Spansion公司的信息旨在帮助您评估该产品。
本产品无需联系厂家不要设计。 Spansion公司
保留对本建议的产品修改权利或停止工作
恕不另行通知。
公开号
S71NS-N_00
调整
A
修订
3
发行日期
2006年10月10日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范,在 -
cluding开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮
点燃他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或多个
具体的产品,但并没有承诺任何设计到生产。在提交信息
与此指定文件很可能会改变,并且在某些情况下,开发上在本产品
UCT可能会停止。因此, Spansion公司在高级Infor公司则以下列条件
息内容:
“本文件包含有关正在开发中的一个或多个产品的信息,在Spansion公司的
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面
UCT生命周期,包括产品合格,初始生产,并在随后的阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件
进制内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通
销售网络的CE 。
ii
2006年S71NS - N_00_A3 10月10日,
S71NS -N MCP产品
的MirrorBit
TM
1.8伏只同时读/写,
突发模式复用的快闪记忆体:
256 MB ( 16兆×16位) , 128 MB(兆8 ×16位)和
64 MB(兆4 ×16位)突发模式复用
PSRAM :64 MB (4 MB ×16位) , 32 MB (2 MB ×16位)
和16 MB (1 MB ×16位)
ADVANCE
信息
概述
该S71NS -N系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线,由
:下列项目
一个或多个S29NS -N闪速存储器芯片
MUX突发模式PSRAM
包括在本文档中的产品列于下表中。有关它们的光谱细节
ifications ,请参考他们的个人资料了解更多详细信息。
PSRAM
密度
64 MB
FL灰
128 MB
256 MB
16兆
S71NS064NA0
S71NS128NA0
S71NS128NB0
S71NS256NB0
S71NS128NC0
S71NS256NC0
32 MB
64 MB
特色鲜明
MCP特点
1.7 V至1.95 V电源电压
连拍速度: 66兆赫
套餐 - MCP BGA为0.5mm焊球间距
- 8.0× 9.2毫米, 56球NS064N和NS128N基于MCP的
- 10.0 X 11.0毫米, 60球NS256N基于MCP的
工作温度
- 无线, -25 ° C至+ 85°C
有关详细规格,请参阅单独的数据表:
文件
S29NS-N
16M的PSRAM复用型2
16M的PSRAM复用型3
32男多路复用PSRAM类型3
64男多路复用PSRAM类型3
出版识别号码
S29NS-N_00
muxpsram_05
muxpsram_03
muxpsram_04
muxpsram_01
公开号
S71NS-N_00
调整
A
修订
3
发行日期
2006年10月10日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
1
订购信息
订货编号由下一个有效的组合形成:
S71NS
128
N
C
0
BJ
W
R
N
0
填料
0
=
2
=
3
=
TYPE
TRAY
7英寸磁带和卷轴
13英寸磁带和卷轴
内存供应商和速度组合
N
= PSRAM 3类, 70纳秒, 66兆赫
T
= PSRAM 2型, 70纳秒, 66兆赫
包修改
R
= 1.2毫米, 8.0× 9.2 , 56焊球VFBGA
V
= 1.2毫米, 11 ×10毫米, 60球VFBGA
温度范围
W
=无线( -25 ° C至+ 85°C )
套餐类型
BJ
=非常薄细间距球栅阵列( VFBGA )
铅(Pb ) - 免费套餐( LF35 )
芯片内容- 2
没有内容
PSRAM的密度
C = 64兆
B = 32 MB
A = 16兆
工艺技术
N
= 110纳米MirrorBit技术
FL灰
256
128
064
密度
= 256 MB
= 128兆
= 64 MB
器件系列
S71NS =多芯片产品
1.8伏只同时读/写突发模式
复闪存+ PSRAM
表1.1
底座部分订购
数(注2 )
S71NS064NA0
S71NS128NA0
S71NS128NB0
S71NS128NC0
S71NS256NB0
S71NS256NC0
BJW
包装&
温度
MCP配置和有效组合
模型
RT
RN
RN
RN
RN
VN
VN
0, 1, 2
填料
TYPE
PSRAM类型
PSRAM类型2
PSRAM类型3
PSRAM类型3
PSRAM类型3
PSRAM类型3
PSRAM类型3
PSRAM类型3
闪存速度
选项
66兆赫
66兆赫
66兆赫
66兆赫
66兆赫
66兆赫
66兆赫
PSRAM速度
选项
66兆赫
66兆赫
66兆赫
66兆赫
66兆赫
66兆赫
66兆赫
包装标记注:
包装标识省略领先
S
从订购型号。
有效组合
有效组合列表配置计划在音量此设备支持。请教
您当地的销售办事处,以确认具体的有效组合的可用性和对新检查
发布组合。
2
S71NS -N MCP产品
2006年S71NS - N_00_A3 10月10日,
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
2
输入/输出说明
表2.1
标识设置在设备上的输入和输出包的连接。
表2.1
符号
AMAX - A16
ADQ15 - ADQ0
OE #
WE#
V
SS
NC
RDY
CLK
地址输入
复用的地址/数据
输入/输出说明
描述
FL灰
X
X
X
X
X
X
X
X
内存
X
X
X
X
X
X
X
X
输出使能输入。异步相对于CLK的连拍模式。
写使能输入。
无连接;在内部没有连接
准备好输出。指示读取突发的状况。在WAIT #引脚
PSRAM被绑定到RDY 。
时钟输入。在连拍模式下,初始字后输出,随后
CLK的有效边沿递增内部地址计数器。应在
V
IL
或V
IH
而在异步模式
解决的有效输入。指示装置,该有效地址存在
在地址输入。
低=异步模式下,表示有效的地址;对于突发模式,
导致起始地址被锁存。
高=设备将忽略地址输入
硬件复位输入。低=设备重置并返回读取阵列
数据
硬件写保护输入。在V
IL
,禁止编程和擦除功能
在四个最外部门。应该是在V
IH
对于所有其他情况。
加快输入。在V
HH
,加快编程;自动放置
装置在解锁旁路模式。在V
IL
,禁止所有的编程和擦除
功能。应该是在V
IH
对于所有其他情况。
芯片使能输入PSRAM 。
芯片使能输入为Flash 。异步相对于CLK的突发模式。
控制寄存器使能( PSRAM ) 。
闪存1.8伏,只有单电源供电。
PSRAM电源。
高字节控制( PSRAM ) 。
低字节控制( PSRAM )
不要使用
AVD #
X
X
F- RST #
F- WP #
F- ACC
R-CE1#
F- CE #
R- CRE
F- VCC
R- VCC
R- UB #
R- LB #
DNU
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
2006年10月10日S71NS , N_00_A3
S71NS -N MCP产品
3
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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