2兆位（ 256K ×8 ）多用途闪存
SST39SF020
初步规格
产品特点：
组织为256 ; K X 8
单5.0V读取和写入操作
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
快速读取访问时间：
- 70和90纳秒
锁存地址和数据
快速扇区擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 7毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 15毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 20 μs（典型值）
- 芯片重写时间： 5秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
pp
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- EEPROM的引脚和指令集
封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
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产品说明
该SST39SF020是256K ×8 CMOS多用途
闪存（ MPF）与SST专有的制造，高
高性能CMOS SuperFlash技术。拆分
栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现
更好的可靠性和可制造与比较
另一种方法。该SST39SF020设备写入
（编程或擦除）具有5.0V - only供电。该
SST39SF020装置符合JEDEC标准
引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节程序中，
SST39SF020装置提供的最大字节亲
克时间为30微秒。整个存储器可擦除
和编程的逐字节通常是在5秒
使用界面功能，如翻转位或当
数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作时，
SST39SF020器件具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，光谱
SST39SF020设备提供了保证endur-
ANCE的10,000次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST39SF020装置适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用
中，请在SST39SF020设备显著改善
性能和可靠性，同时降低功耗
消费。该SST39SF020本身使用较少
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。
因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪技
术使用的编程电流更低，且具有更短
擦除时间，在此期间的任何擦除所消耗的总能量
或编程操作是低于其他闪存技
nologies 。该SST39SF020设备也提高了flex-
ibility ，同时降低了成本，程序，数据和
配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍，独立耐力的数目
已经发生的周期。因此，该系统的软
制品或硬件没有被修改或DE-
额，这一点与其他闪存技术，
其擦除和编程次数的增加与accumu-
迟来的读写周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39SF020器件采用32引脚TSOP和32位提供
引脚PLCC封装。 A 600万， 32引脚PDIP ，也
可用。参见图1和图2的引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
在写入命令时将WE＃置为低电平，同时
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1998硅存储技术公司的SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
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规格若有变更，恕不另行通知。
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