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STPS10150CT/CG
高压功率肖特基整流器
主要产品特性
A1
I
F( AV )
V
RRM
Tj
V
F
(最大)
2x5A
150 V
175°C
0.75 V
K
A2
K
特点和优点
s
s
s
s
高结温度能力
较好的折中泄漏CUR-之间
出租和正向电压降
低漏电流
雪崩能力指明
A2
A1
A2
K
A1
D
2
PAK
STPS10150CG
TO-220AB
STPS10150CT
描述
双中心抽头肖特基整流设计
高频开关电源支持部门
层数。
绝对额定值
(限制值,每二极管)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流TO- 220AB
δ
= 0.5
D
2
PAK
浪涌不重复正向电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温
关键的增长速度反向电压
TC = 155℃
每二极管
每个器件
价值
150
10
5
10
120
3100
- 65 + 175
175
10000
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
TP = 10 ms的正弦
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
2003年7月 - 埃德: 5B
1/5
STPS10150CT/CG
热阻
符号
R
日(J -C )
R
日(三)
结到外壳
参数
TO- 220AB / D
2
PAK
TO- 220AB / D
2
PAK
TO- 220AB / D
2
PAK
每二极管
耦合
价值
4
2.4
0.7
单位
° C / W
当二极管1和2同时使用:
TJ (二极管1 ) = P ( diode1 )个R
日(J -C )
(每二极管) + P(二极管2 )个R
TH( C)
静态电气特性
(每二极管)
符号
I
R
*
V
F
**
参数
反向漏电流
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
脉冲测试:
* TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 380微秒,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
0.40
马克斯。
2.0
2.0
0.92
0.75
1
0.85
单位
A
mA
V
V
R
= V
RRM
I
F
= 5 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
0.79
0.69
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.65我
F( AV )
+ 0.02 I
F2(RMS)
图。 1 :
正向平均功耗与
平均正向电流(每二极管) 。
PF (AV) (W)的
5.0
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 0.1
4.5
4.0
δ
= 0.05
3.5
δ
=1
3.0
2.5
2.0
1.5
T
1.0
0.5
IF ( AV ) (A )
tp
δ
= TP / T
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
图。 2 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5,每二极管) 。
IF ( AV ) (A )
6
RTH ( J- A)=的Rth (J -C )
5
4
3
2
1
0
δ
= TP / T
tp
T
Rth(j-a)=15°C/W
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
175
0
25
2/5
STPS10150CT/CG
图。 3 :
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 :
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
150
图。 5 :
不重复浪涌峰值正向电流
与过载时间(最大值,每
二极管) 。
IM ( A)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-3
I
M
t
图。 6 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与(每二极管)脉冲持续时间。
第Z (J -C ) / Rth的(J -C )
1.0
0.8
Tc=50°C
0.6
0.4
0.2
δ
= 0.5
Tc=75°C
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Tc=125°C
T
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
单脉冲
TP (多个)
1E-2
1E-1
0.0
1E-3
δ
= TP / T
tp
1E+0
图。 7 :
反向漏电流与反向
应用(典型值,每个二极管)电压
IR( μA )
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
VR ( V)
0
25
50
75
100
125
150
Tj=75°C
Tj=175°C
Tj=150°C
Tj=125°C
图。 8 :
结电容与反向
施加电压(典型值,每二极管) 。
C( pF)的
200
100
50
F=1MHz
Tj=25°C
Tj=25°C
20
VR ( V)
10
1
2
5
10
20
50
100
200
3/5
STPS10150CT/CG
图。 9 :
正向压降与前进
电流(最大值,每个二极管) 。
图。 10 :
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面(环氧树脂印刷
电路板,铜箔厚度: 35μm的)
(仅STPS10150CG ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
80
Tj=125°C
典型值
IFM ( A)
100.0
70
60
50
Tj=25°C
10.0
Tj=125°C
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
1.0
VFM ( V)
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
S(平方厘米)
10
12
14
16
18
20
包装机械数据
TO-220AB
尺寸
REF 。
A
H2
迪亚
L5
C
L7
L6
L2
F2
F1
L9
L4
F
G1
G
M
E
D
A
MILLIMETERS
分钟。
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.40
10
13
2.65
15.25
6.20
3.50
3.75
马克斯。
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.70
10.40
14
2.95
15.75
6.60
3.93
3.85
英寸
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
马克斯。
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.066
0.066
0.202
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.259
0.154
0.151
C
D
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
M
直径。
16.4典型。
0.645 (典型值) 。
2.6典型。
0.102典型。
4/5
STPS10150CT/CG
包装机械数据
D
2
PAK
尺寸
A
E
L2
C2
REF 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
L
L2
L3
R
V2
MILLIMETERS
分钟。
典型值。马克斯。分钟。
英寸
典型值。马克斯。
D
L
L3
A1
B2
B
G
A2
2.0分钟。
平坦区
V2
C
R
4.30
4.60 0.169
0.181
2.49
2.69 0.098
0.106
0.03
0.23 0.001
0.009
0.70
0.93 0.027
0.037
1.25 1.40
0.049 0.055
0.45
0.60 0.017
0.024
1.21
1.36 0.047
0.054
8.95
9.35 0.352
0.368
10.00
10.28 0.393
0.405
4.88
5.28 0.192
0.208
15.00
15.85 0.590
0.624
1.27
1.40 0.050
0.055
1.40
1.75 0.055
0.069
0.40
0.016
FOOT PRINT尺寸
(单位:毫米)
16.90
10.30
1.30
5.08
3.70
8.90
订货型号
STPS10150CT
STPS10150CG
STPS10150CG-TR
s
记号
STPS10150CT
STPS10150CG
STPS10150CG
TO-220AB
D
2
PAK
D
2
PAK
重量
2.2 g
1.48 g
1.48 g
基地数量
50
50
1000
配送方式
磁带&卷轴
环氧会见UL94 , V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件,不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
5/5
STPS10150C
高压功率肖特基整流器
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
T
j
V
F
(最大)
2x5A
150 V
175° C
0.75 V
A1
K
A2
A2
K
A1
TO-220FPAB
STPS10150CFP
K
特点和优点
高结温度能力
良好的权衡漏电流之间
正向电压降
低漏电流
雪崩能力指明
绝缘包
- TO- 220FPAB
绝缘电压= 2000 V
典型的封装电容为12pF
A2
A1
A1
A2
K
D
2
PAK
STPS10150CG
TO-220AB
STPS10150CT
订购代码
产品型号
STPS10150CT
STPS10150CG
STPS10150CG-TR
STPS10150CFP
记号
STPS10150CT
STPS10150CG
STPS10150CG
STPS10150CFP
描述
双中心抽头肖特基整流设计
高频开关电源。
表1中。
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
ARM
T
英镑
T
j
dv / dt的
1.
dPtot
---------------
DTJ
绝对额定值(限制值)
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电压
平均正向电流
δ
= 0.5
TO-220AB
D
2
PAK
TO-220FPAB
T
C
= 155° C
T
C
= 145° C
每二极管
每个器件
价值
150
10
5
10
120
3100
-65到+ 175
175
10000
A
W
单位
V
A
A
浪涌不重复正向电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
最大工作结温
(1)
关键的增长速度反向电压
t
p
= 10 ms的正弦
t
p
= 1微秒牛逼
j
= 25° C
°C
°C
V / μs的
1
& LT ;
--------------------------
条件,以避免热失控的自身散热片的二极管
RTH
(
j
a
)
2006年6月
REV 6
1/9
www.st.com
9
特征
STPS10150C
1
表2中。
符号
特征
热阻
参数
TO- 220AB ,D
2
PAK
每二极管
TO-220FPAB
R
日(J -C )
结到外壳
TO- 220AB ,D
2
PAK
TO-220FPAB
TO- 220AB ,D
2
PAK
R
TH( C)
耦合
TO-220FPAB
3.7
5.3
0.7
7
2.4
° C / W
价值
4
单位
当二极管1和2同时使用:
T
j
(二极管1) = P(二极管1)×
R
号(j -1)的
(每个二极管)+ p (二极管2)×
R
TH( C)
表3中。
符号
I
R (1)
静态电气特性(每二极管)
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25° C
T
j
= 125° C
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
分钟。
典型值
马克斯。
2.0
0.40
2.0
0.92
I
F
= 5 A
0.69
0.75
V
1
I
F
= 10 A
0.79
0.85
单位
A
mA
V
F (2)
正向电压降
T
j
= 125° C
T
j
= 25° C
T
j
= 125° C
1. t
p
= 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
2. t
p
= 380 s,
δ
& LT ; 2 %
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.65 ×1
F( AV )
+ 0.02 I
F
2
( RMS)
图1 。
平均正向力量
功耗与平均
正向电流(每二极管)
图2中。
平均正向电流随
环境温度( = 0.5,每
二极管)
P
F( AV )
(W)
5.0
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 0.1
4.5
4.0
δ
= 0.05
3.5
δ
=1
3.0
2.5
2.0
1.5
T
1.0
0.5
I
F( AV )
(A)
tp
δ
= TP / T
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
6.0
5.0
4.0
3.0
I
F( AV )
(A)
R
号(j -a)的
=R
日(J -C )
TO-220FPAB
TO-220AB/DPAK
R
号(j -a)的
= 15 ° C / W
2.0
T
1.0
d
= TP / T
tp
T
AMB
(°C)
50
75
100
125
150
175
0.0
0
25
2/9
STPS10150C
特征
网络连接gure 3 。
归一化的雪崩功率
降额与脉冲持续时间
图4中。
归一化的雪崩功率
降额与结
温度
1
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1.2
1
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
T
j
(°C)
0.001
0.01
t
p
(s)
0
0.1
1
10
100
1000
25
50
75
100
125
150
图5中。
不重复浪涌峰值
正向电流与过载保护
时间 - 最大值,每
二极管( TO- 220AB ,D
2
PAK )
图6 。
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
- 最高值,每二极管
(TO-220FPAB)
I
M
(A)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-3
I
M
t
70
60
50
Tc=50°C
I
M
(A)
40
30
20
10
I
M
t
T
C
=50 °C
Tc=75°C
T
C
=75 °C
T
C
=125 °C
Tc=125°C
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
0
1.E-3
d
=0.5
T( S)
1.E-2
1.E-1
1.E+0
图7 。
热相对变化
网络连接gure 8 。
阻抗结到外壳与
脉冲持续时间(TO- 220AB ,D-
2
PAK )
1.0
热相对变化
阻抗结到外壳与
脉冲持续时间(TO- 220FPAB )
1.0
第Z (J -C ) / Rth的(J -C )
单脉冲
TO-220AB
DPAK
第Z (J -C ) / Rth的(J -C )
单脉冲
TO-220FPAB
0.1
0.1
1.E-3
TP (多个)
1.E-2
1.E-1
1.E+0
0.0
1.E-3
TP (多个)
1.E-2
1.E-1
1.E+0
1.E+1
3/9
特征
STPS10150C
图9 。
反向漏电流对
加反向电压(典型
值,每二极管)
图10.结电容与
加反向电压(典型
值,每二极管)
C( pF)的
I
R
(A)
1E+5
1E+4
1E+3
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
V
R
(V)
0
25
50
75
100
125
150
Tj=75°C
Tj=175°C
Tj=150°C
Tj=125°C
1000
F = 1 MHz的
V
OSC
= 30毫伏
RMS
T
j
=25 °C
100
Tj=25°C
V
R
(V)
10
1
10
100
1000
图11.正向压降与
正向电流(每二极管)
图12.热阻,结到
环境,对铜表面
在选项卡 - 环氧印刷电路
板,电子
cu
35微米(D
2
百只)
80
70
60
R
号(j -a)的
( ° C / W)
DPAK
100
I
FM
(A)
TJ = 125°C
(最大值)
10
TJ = 125°C
(典型值)
TJ = 25°C
(最大值)
50
40
30
20
1
V
FM
(V)
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
10
0
S
CU
(平方厘米)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
图13.热阻,结到
环境,对铜表面
在选项卡 - 环氧印刷电路
板,电子
cu
35微米( TO220FPAB只)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
R
号(j -a)的
( ° C / W)
TO220FPAB
S
CU
(平方厘米)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
4/9
STPS10150C
包装信息
2
包装信息
环氧符合UL94 , V0 。
表4 。
D
2
PAK尺寸
尺寸
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
A
E
L2
C2
英寸
分钟。
0.173
0.098
0.001
0.027
0.045
0.017
0.048
0.352
0.393
0.192
0.590
0.050
0.055
0.094
马克斯。
0.181
0.106
0.009
0.037
0.067
0.024
0.054
0.368
0.409
0.208
0.624
0.055
0.069
0.126
马克斯。
4.60
2.69
0.23
0.93
1.70
0.60
1.36
9.35
10.40
5.28
15.85
1.40
1.75
3.20
A
A1
A2
B
D
4.40
2.49
0.03
0.70
1.14
0.45
1.23
8.95
10.00
4.88
15.00
1.27
1.40
2.40
L
L3
A1
B2
B
G
A2
2.0分钟。
平坦区
V2
C
R
B2
C
C2
D
E
G
L
L2
L3
M
R
V2
0.40 (典型值) 。
0.016典型。
图14.
2
PAK足迹尺寸(单位:mm )
16.90
10.30
1.30
5.08
3.70
8.90
5/9
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    -
    -
    -
    -
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ST
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