新产品
Si1563EDH
Vishay Siliconix公司
补充20 -V （D -S ）低阈值MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
r
DS （ ON）
(Ω)
0.280在V
GS
= 4.5 V
0.360在V
GS
= 2.5 V
0.450在V
GS
= 1.8 V
0.490在V
GS
= - 4.5 V
P沟道
- 20
0.750在V
GS
= - 2.5 V
1.10在V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
1.28
1.13
1.0
- 1.0
- 0.81
- 0.67
特点
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.8 V额定
ESD保护： 2000 V
耐热增强型SC- 70封装
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
应用
负荷开关
PA的开关
液位开关
D
1
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
S
1
1
6
D
1
标识代码
EA
G
1
2
5
G
2
XX
YY
G
1
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
1k
S
2
G
2
3k
D
2
3
4
S
2
N沟道
顶部
意见
订货信息：
Si1563EDH-T1
Si1563EDH -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
1
P沟道
D
2
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
T
A
= 25 °C
最大功率耗散
a
T
A
= 85 °C
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
0.61
0.74
0.38
1.28
0.92
4.0
0.48
0.57
0.30
- 0.61
0.30
0.16
- 55 150
5s
稳定状态
20
± 12
1.13
0.81
- 1.0
- 0.72
- 3.0
- 0.48
0.57
0.3
W
°C
5s
P沟道
稳定状态
- 20
± 12
- 0.88
- 0.63
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
130
170
80
最大
170
220
100
° C / W
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 71416
S- 80257 -REV 。 C， 04 -FEB -08
www.vishay.com
1
新产品
Si1563EDH
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 100 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.13 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 0.88 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.99 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 0.71 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 0.20 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 0.20 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 0.88 A
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.13 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 20
Ω
I
D
0.5 A ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 20
Ω
I
D
- 0.5 A ，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.65
1.2
0.2
0.3
0.23
0.3
45
150
85
480
350
840
210
850
70
230
130
720
530
1200
320
1200
ns
1.0
1.8
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.13 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 0.88 A
I
S
= 0.48 V, V
GS
= 0 V
I
S
= - 0.48 V, V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
2
-2
0.220
0.400
0.281
0.610
0.344
0.850
2.6
1.5
0.8
- 0.8
1.2
- 1.2
0.280
0.490
0.360
0.750
0.450
1.10
S
V
Ω
0.45
- 0.45
±1
±1
± 10
± 10
1
-1
5
-5
A
A
V
A
mA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 71416
S- 80257 -REV 。 C， 04 -FEB -08
新产品
Si1563EDH
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
10000
1000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
8
I
GSS
- 栅电流（ μA ）
100
10
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
0
4
8
12
16
0.001
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
6
T
J
= 150 °C
4
2
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
栅极电流与栅源电压
2.0
V
GS
= 5通2
V
2.0
栅极电流与栅源电压
T
C
= - 55 °C
25 °C
1.5
125 °C
1.0
I
D
- 漏电流（ A）
1.5
V
1.0
0.5
1
V
0.0
0
1
2
3
4
I
D
- 漏电流（ A）
1.5
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.6
140
120
- 电容（pF ）
100
传输特性
0.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.4
V
GS
= 1.8
V
V
GS
= 2.5
V
V
GS
= 4.5
V
C
国际空间站
80
60
40
C
OSS
20
0
C
RSS
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
I
D
- 漏电流（ A）
1.5
2.0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
文档编号： 71416
S- 80257 -REV 。 C， 04 -FEB -08
电容
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3
新产品
Si1563EDH
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
5
V
DS
= 10
V
I
D
= 1.28 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻
1.6
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 1.13 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
4
1.4
（归一化）
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
2
T
J
= 150 °C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1
I
S
- 源电流（ A）
0.6
导通电阻与结温
0.5
0.4
I
D
= 1.13 A
0.3
T
J
= 25 °C
0.2
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 所以，
u
RCE到漏
V
oltage （
V
)
0.0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.2
I
D
= 100
A
5
导通电阻与栅极至源极电压
0.1
V
GS （ TH）
方差
(V)
4
0.0
功率（W）的
3
- 0.1
2
- 0.2
1
- 0.3
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
单脉冲功率，结到环境
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文档编号： 71416
S- 80257 -REV 。 C， 04 -FEB -08
新产品
Si1563EDH
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
P
DM
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
2.每单位基础= R
thJA
= 170 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
文档编号： 71416
S- 80257 -REV 。 C， 04 -FEB -08
www.vishay.com
5
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