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Si7852DP
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道80 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
80
r
DS （ ON）
(W)
0.0165 @ V
GS
= 10 V
0.022 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
12.5
10.9
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
新的低热阻PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
D
PWM优化的快速切换
应用
D
初级侧开关的DC / DC应用
PowerPAKt SO- 8
D
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
6.15 mm
5.15 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
Avalanch电流
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
80
"20
12.5
稳定状态
单位
V
7.6
6.1
50
40
A
I
D
I
DM
I
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10.0
4.7
5.2
3.3
-55到150
1.7
1.9
1.2
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
19
52
1.5
最大
24
65
1.8
单位
° C / W
C / W
1
Si7852DP
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 64 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 64 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 6.0 V，I
D
= 8.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
I
S
= 2.8 A，V
GS
= 0 V
50
0.0135
0.0175
25
0.75
1.1
0.0165
0.022
W
S
V
2.0
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源导通电阻
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电阻
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
t
rr
I
F
= 2.8 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 40 V ，R
L
= 40
W
I
D
^
1.0 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 40 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
34
7.5
11.0
17
11
40
31
0.85
45
75
25
17
60
45
W
ns
ns
41
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10通6 V
40
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
40
50
传输特性
30
30
20
5V
20
T
C
= 125_C
10
25_C
–55_C
0
10
3, 4 V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
www.vishay.com
2
Si7852DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.04
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
3000
Vishay Siliconix公司
电容
2500
0.03
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
0.02
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
1500
1000
C
RSS
500
C
OSS
0.01
0.00
0
10
20
30
40
50
0
0
20
40
60
80
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 40 V
I
D
= 10 A
16
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
2.0
12
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
30
45
60
1.5
8
1.0
4
0.5
0
0
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.06
I
D
= 10 A
1
T
J
= 25_C
0.1
0.04
0.02
0.01
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
www.vishay.com
3
Si7852DP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
1.0
100
雪崩电流与时间
0.5
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
I
DAV
(A)
10
0.0
中T = 25℃
–0.5
1
–1.0
T = 125°C
–1.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
时间（秒）
10
–1
1
10
T
J
- 温度（ _C ）
单脉冲功率， Juncion到环境
100
80
功率（W）的
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
Si7852DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
www.vishay.com
5
Si7852DP
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道80 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
80
r
DS （ ON）
(W)
0.0165 @ V
GS
= 10 V
0.022 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
12.5
10.9
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
新的低热阻PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
D
PWM优化的快速切换
应用
D
初级侧开关的DC / DC应用
PowerPAKt SO- 8
D
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
6.15 mm
5.15 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
Avalanch电流
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
80
"20
12.5
稳定状态
单位
V
7.6
6.1
50
40
A
I
D
I
DM
I
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10.0
4.7
5.2
3.3
-55到150
1.7
1.9
1.2
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
19
52
1.5
最大
24
65
1.8
单位
° C / W
C / W
1
Si7852DP
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 64 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 64 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 6.0 V，I
D
= 8.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
I
S
= 2.8 A，V
GS
= 0 V
50
0.0135
0.0175
25
0.75
1.1
0.0165
0.022
W
S
V
2.0
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源导通电阻
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电阻
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
t
rr
I
F
= 2.8 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 40 V ，R
L
= 40
W
I
D
^
1.0 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 40 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
34
7.5
11.0
17
11
40
31
0.85
45
75
25
17
60
45
W
ns
ns
41
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10通6 V
40
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
40
50
传输特性
30
30
20
5V
20
T
C
= 125_C
10
25_C
–55_C
0
10
3, 4 V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
www.vishay.com
2
Si7852DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.04
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
3000
Vishay Siliconix公司
电容
2500
0.03
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
0.02
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
1500
1000
C
RSS
500
C
OSS
0.01
0.00
0
10
20
30
40
50
0
0
20
40
60
80
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 40 V
I
D
= 10 A
16
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
2.0
12
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
30
45
60
1.5
8
1.0
4
0.5
0
0
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
0.08
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.06
I
D
= 10 A
1
T
J
= 25_C
0.1
0.04
0.02
0.01
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
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3
Si7852DP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
1.0
100
雪崩电流与时间
0.5
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
I
DAV
(A)
10
0.0
中T = 25℃
–0.5
1
–1.0
T = 125°C
–1.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
时间（秒）
10
–1
1
10
T
J
- 温度（ _C ）
单脉冲功率， Juncion到环境
100
80
功率（W）的
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
Si7852DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 71627
S- 03829 -REV 。 A， 28日， 01
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STWD100NPWY3F
SN74GTLPH306PWR
SB2506
SN74LVC1G34YZPR
SHB-04-500V
S5C-215LV
SN75ALS057DWG4
STK11C88-S35I
STPS10150CG
SN65C1168EPW
SN74HC245PWRE4
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