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STQ1NK80ZR -AP - STN1NK80Z

STD1NK80Z - STD1NK80Z - 1

N沟道800V - 13

- 1 A TO - 92 / SOT- 223 / DPAK / IPAK

齐纳 - 保护超网 MOSFET

表1 ：一般特点

TYPE

STQ1NK80ZR-AP

STN1NK80Z

STD1NK80Z

STD1NK80Z-1

■

图1 ：包装

0.3 A

0.25A

1.0 A

DSS

800 V

DS （ ON）

< 16

2.5 W

45 W

典型

（上） = 13Ω

DV dt能力极高/

ESD能力的改进

100％的雪崩测试

新的高压BENCHMARK

栅极电荷最小化

TO- 92 （ Ammopack ）

SOT-223

描述

在超网系列是通过获得

ST的极端优化完善的

条形基础的PowerMESH 布局。此外

推导通电阻显著下来，特别

被照顾，以确保一个很好的dv / dt能力

为要求最苛刻的应用程序。这种系列

补充ST全系列高电压MOSFET导

场效应管，包括革命性的MDmesh 产品。

DPAK

IPAK

图2 ：内部原理图

应用

■

AC转接器和电池充电器

■

SWITH模式电源（ SMPS ）

表2 ：订购代码

销售类型

STQ1NK80ZR-AP

STN1NK80Z

STD1NK80ZT4

STD1NK80Z-1

记号

Q1NK80ZR

N1NK80Z

D1NK80Z

包

TO-92

SOT-223

DPAK

IPAK

包装

AMMOPAK

磁带&卷轴

管

第3版

2006年1月

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STQ1NK80ZR -AP - STN1NK80Z - STD1NK80Z - STD1NK80Z - 1

表3 ：绝对最大额定值

符号

DGR

( )

合计

ESD （G -S ）

dv / dt的（ 1 ）

英镑

参数

TO-92

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）

峰值二极管恢复电压斜率

工作结温

储存温度

0.025

0.3

0.19

价值

SOT-223

800

± 30

0.25

0.16

2.5

0.02

1000

4.5

-55到150

0.36

1.0

0.63

DPAK / IPAK

W / ℃，

V / ns的

°C

单位

（）脉冲宽度有限的安全工作区

(1) I

≤

1 ， di / dt的

≤

200 A / μs的，V

≤

640

表4 ：热数据

TO-92

Rthj情况

Rthj - AMB （＃）

Rthj铅

热阻结案件最大

热阻结到环境最大

热阻结铅最大

最大无铅焊接温度的

用途

120

260

SOT-223

DPAK / IPAK

2.78

100

300

单位

° C / W

°C

（＃）当安装在1inch的FR-4板， 2盎司铜

表5：雪崩特征

符号

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

MAX ）

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25 ° C，I

= I

, V

= 50 V)

最大值

单位

表6 ：门源齐纳二极管

符号

GSO

参数

栅源击穿

电压

测试条件

IGS = ± 1毫安（开放

漏）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

栅 - 源齐纳二极管保护功能

所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的

ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会

从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和

具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免

使用外部元件。

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电气特性

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表7 ：开/关

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= 1毫安， V

= 0

=最大额定值

=最大额定值，T

= 125 °C

= ± 20V

= V

, I

= 50 A

= 10V ，我

= 0.5 A

3.75

分钟。

800

±10

4.5

典型值。

马克斯。

单位

表8 ：动态

符号

(1)

国际空间站

OSS

RSS

OSS EQ 。

(3)

D（上）

D（关闭）

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

等效输出

电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 15 V

= 0.5 A

= 25 V

F = 1MHz时， V

= 0

分钟。

典型值。

0.8

160

6.7

9.5

7.7

1.4

4.5

马克斯。

单位

= 0V, V

= 0V至640V

= 400 V，I

= 0.5 A

= 4.7 V

= 10 V

（参见图21）

= 640V ，我

= 1.0 A,

= 10V

（参见图24）

表9 ：源极漏极二极管

符号

SDM

(2)

(1)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 1.0 A，V

= 0

= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 50 V ，T

= 25°C

（参见图22）

= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 50 V ，T

= 150°C

（参见图22）

365

802

4.4

388

802.7

4.6

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

1.6

单位

注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

2.脉冲宽度有限的安全工作区。

3. C

OSS EQ 。

被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C

OSS

当V

从0增加到80％

DSS

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STQ1NK80ZR -AP - STN1NK80Z - STD1NK80Z - STD1NK80Z - 1

图3 ：安全工作区SOT- 223

图6 ：热阻抗为SOT- 223

图4 ：安全工作区的TO- 92

图7：热阻抗TO-92

图5 ：安全工作区IPAK ， DPAK

图8： DPAK - IPAK热阻

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STQ1NK80ZR -AP - STN1NK80Z - STD1NK80Z - STD1NK80Z - 1

图9 ：输出特性

图12 ：传输特性

图10：跨导

图13 ：静态漏源导通电阻

图11 ：栅极电荷VS栅源电压

图14 ：电容变化

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