STD9NM50N - STD9NM50N - 1
STF9NM50N - STP9NM50N
N沟道500V - 0.47Ω - 7.5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK
第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STD9NM50N
STD9NM50N-1
STP9NM50N
STF9NM50N
V
DSS
（ @Tjmax ）
550V
550V
550V
550V
R
DS （ ON）
<0.56
<0.56
<0.56
<0.56
I
D
3
7.5A
1
3
2
2
1
7.5A
7.5A
7.5A
(1)
3
1
IPAK
TO-220
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
DPAK
描述
该系列器件实现第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
需要高效率的转换器。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
O
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
od
r
TO-220FP
s)
t(
uc
3
1
2
产品型号
记号
D9NM50N
D9NM50N
P9NM50N
F9NM50N
包
IPAK
DPAK
TO-220
TO-220FP
包装
管
磁带&卷轴
管
管
STD9NM50N-1
STD9NM50N
STP9NM50N
STF9NM50N
2007年4月10日
REV 1
1/17
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17
目录
STD9NM50N - STD9NM50N - 1 - STP9NM50N - STF9NM50N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
O
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
od
r
s)
t(
uc
2/17
STD9NM50N - STD9NM50N - 1 - STP9NM50N - STF9NM50N
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
DPAK / IPAK
500
± 25
7.5
5
30
70
15
--
7.5
(1)
5
(1)
30
(1)
25
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
(t=1s;T
C
=25°C)
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
7.5A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
=80%
V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
热数据
O
bs
l
o
te
e
T
l
ro
P
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
uc
d
s)
t(
so
b
-O
te
le
-55到150
r
P
od
2500
s)
t(
uc
V
°C
V / ns的
参数
TO-220
DPAK / IPAK
1.78
62.5
300
TO-220FP
5
单位
° C / W
° C / W
°C
表3中。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
= 50V)
最大值
3
150
单位
A
mJ
3/17
电气特性
STD9NM50N - STD9NM50N - 1 - STP9NM50N - STF9NM50N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
VDD = 400V ，ID = 7.5A ，
Vgs=10V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.7A
2
民
500
35
1
100
100
4
典型值
最大
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
特征值在关闭感性负载
表5 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
特征
b
O
so
te
le
Q
g
1.
Rg
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
测试条件
P
te
le
od
r
民
0.47
s)
t(
uc
3
0.56
最大
5
典型值
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.7A
V
DS
= 50V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
570
46
6
94
V
GS
=0, V
DS
= 0V至400V
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 400V ，我
D
= 7.5A
V
GS
=10V
（参见图16）
门输入电阻
6
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
20
4
10
nC
nC
nC
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/17
STD9NM50N - STD9NM50N - 1 - STP9NM50N - STF9NM50N
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250V ，我
D
=3.7A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图15）
民
典型值
11
16
45
19
最大
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7.5A ，V
GS
=0
I
SD
= 7.5A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100V ， TJ = 150℃
（参见图17）
I
SD
= 7.5A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100V ， TJ = 25°C
（参见图17）
测试条件
民
典型值
最大
7.5
30
1.2
单位
A
A
V
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
O
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
od
r
420
3
14
280
2
14
s)
t(
uc
ns
C
A
ns
C
A
5/17
QQ：2880707522 复制
