32Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3.0V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商业，工业温度
小尺寸SOIC & SSOP封装（ RoHS-
柔顺
STK14D88
描述
该SIMTEK STK14D88是256KB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（在
商店
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （在
召回
操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
量子辐照充氧陷阱
512 X 512
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
商店/
召回
控制
V
帽
动力
控制
HSB
软件
检测
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
13
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0033版本2.0
2008年1月
STK14D88
V
帽
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
NC
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
V
CC
NC
HSB
W
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
V
帽
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
NC
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
（ TOP）
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
（ TOP）
32 - 引脚SOIC
48 - 引脚SSOP
相对的PCB面积的使用。
详细请参阅第17页
封装尺寸规格。
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 15地址输入的nvSRAM阵列中选择32,768字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 3.3V ， + 10 ％ ， -20 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
未标记引脚没有内部连接。
V
帽
V
SS
（空）
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0033版本2.0
2008年1月
2
SSOP
STK14D88
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ℃ 140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
NF （ SOP- 32 ）封装的热特性
θ
jc
5.4 C / W ;
θ
ja
44.3 [ 0fpm ] ， 37.9 [ 200fpm ] ， 35.1 ℃/ W [ 500fpm 。
RF （ SSOP - 48 ）封装热特性
θ
jc
6.2 C / W ;
θ
ja
51.1 [ 0fpm ] ， 44.7 [ 200fpm ] ， 41.8 ℃/ W [ 500fpm 。
DC特性
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
55
50
70
60
55
mA
mA
mA
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
3
mA
I
CC3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
I
CC4
平均V
帽
目前在
自动存储
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
mA
I
SB
3
3
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
120
– 40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
120
V
°C
V
μF
K
岁月
3.3V +10%, -20%
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
文件控制＃ ML0033版本2.0
2008年1月
3
STK14D88
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但未经测试。
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1
:
AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图2
:
对于三态功能AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0033版本2.0
2008年1月
4
32Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商业，工业温度
小尺寸SOIC & SSOP封装（ RoHS-
柔顺
STK14D88
描述
该SIMTEK STK14D88是256KB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（在
商店
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （在
召回
操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
量子辐照充氧陷阱
512 X 512
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
V
CC
V
帽
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
13
– A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0033版本1.7
2007年2月
STK14D88
V
帽
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
V
帽
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
V
SS
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
32引脚的SOIC
48引脚SSOP
相对的PCB面积的使用。
访问网站了解详细方案
尺寸规格。
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 15地址输入的nvSRAM阵列中选择32,768字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
未标记引脚没有内部连接。
V
帽
V
SS
（空）
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0033版本1.7
2007年2月
2
STK14D88
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ℃ 140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
封装热特性 - 参见网址： http://www.simtek.com
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
55
50
70
60
55
mA
mA
mA
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
3
mA
I
CC3
I
CC4
平均V
帽
目前在
自动存储
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
3
3
mA
I
SB
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
120
– 40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
120
V
°C
V
μF
K
岁月
3.3V + 0.3V
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
文件控制＃ ML0033版本1.7
2007年2月
3
STK14D88
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但未经测试。
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1
:
AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图2
:
对于三态功能AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0033版本1.7
2007年2月
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