额定值和特性曲线（ SL32 -AL THRU SL34 -AL ）
图1 - 典型正向
特征
平均正向电流（ A）
图2 ，典型正向电流降额曲线
50
瞬时正向电流（ A）
1.2
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
单相
半波60Hz的
负载电阻或电感
2-A
L
SL
3
1.0
TJ = 25℃
脉宽300US
1 ％占空比
SL
3
3-
3.0
AL
/
SL
3
4-
AL
10
环境温度（ ℃）
图4 -最大非重复正向
浪涌电流
PEAK FORWAARD浪涌电流（ A）
100
0.1
.01
.1
.3
.5
.7
.9
1.1
1.3
1.5
80
FORWARD VOLT
年龄， （ V）
60
TJ = 25℃
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法
40
20
图3 - 典型的反向
特征
100
0
1
5
10
50
100
循环次数在60Hz
反向漏电流（毫安）
10
700
600
500
400
300
200
100
0
图5 - 典型结电容
1.0
TJ = 75℃
.1
TJ = 25℃
.01
0
结电容（PF ）
.01
.05
.1
.5
1
5
10
50
100
20
40
60
80
100 120 140
反向电压， （V）的
百分比额定峰值反向VOL
TAGE
3.0A
低VF
肖特基二极管-20V- 40V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SMA - L封装
SOD-123
包
威伦
FM120-M
THRU
SL32-AL
FM1200-M
SL34-AL
无铅产品
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
包装外形
SOD-123H
特点
电路板空间。
OPTIMIZE
低调的表面安装，以便应用程序
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SMA -L
0.012 （ 0.3 ）典型值。
批量处理的设计，出色的功耗报价
低功耗，高效率。
更好的反向漏电流和耐热性。
高电流能力，低正向电压降。
低
高浪涌能力。
为了申请
型材表面安装
优化电路板空间。
Guardring过电压保护。
低
超高速开关。
功率损耗，效率高。
高
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
电流能力，低正向电压降。
高
无铅零件符合环保标准
浪涌能力。
Guardring过电压保护。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
超高速开关。
代号后缀"G"
符合RoHS的产品包装
硅外延平面芯片，金属
代号后缀"H"
无卤素产品包装
硅结。
湿度敏感度等级1
机械数据
0.209(5.3)
0.185(4.7)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.114(2.9)
0.091(2.3)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
机械数据
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.080(2.0)
0.063(1.6)
极性：由阴极频带指示
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
MOUNTING
塑料，
：任何
案例：模压
位置
SMA -L
重量：的逼近0.011克
码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
0.032 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
0.032 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
极性：由阴极频带指示
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
安装位置：任意
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
重量：
负载，减免电流
克
对于电容
逼近0.05
由20％的
评级
标识代码
最大
最大额定值和电气特性
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
o
15
18
115
T
A
=25 C
16
除非另有
10
说明）
20
30
40
50
60
80
100
150
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
典型值。马克斯。单位
参数
条件
符号最小值。
14
21
28
35
42
56
70
105
最大RMS电压
V
RMS
I
O
3.0
A
正向整流电流
见图2
最大直流阻断电压
20
30
40
50
60
80
100
150
V
DC
80
I
FSM
1.0
最大正向平均整流电流
8.3ms单半正弦波叠加
正向浪涌电流
A
I
O
率负荷（ JEDEC梭）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
30
I
FSM
O
V
R
= V
RRM
T
J
= 25 C
I
R
mA
1.0
反向电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
12
13
14
额定值和电气特性
（在
120
200
140
200
伏特
伏特
伏特
AMP
AMP
典型
二极管的结电容
热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
储存温度
f=1MHz
R
θJA
应用4V直流反向电压
和
C
J
-55到+125
T
J
TSTG
T
英镑
C
J
40
120
-55
300
pF
O
℃/W
℃
℃
+150
-55到+150
C
PF
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
*1
*3
*2
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UNI
V
F
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
伏特
V
RRM
额定阻断电压DC
(V)
符号
注意事项：
SL32-AL
V
RMS
(V)
14
V
R
@T A = 125 ℃
(V)
20
*4
V
F
I
R
(V)
0.38
操作
温度
T
J
, (
O
C)
-55到+100
0.5
* 1重复峰值反向电压
10
* 2 RMS电压
MAM
20
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
* 3连续反向电压
* 4最大正向电压@ I
F
=3.0A
SL34-AL
40
28
2-热阻结点到环境
40
0.40
2012-06
威伦电子股份有限公司。
201 -
威伦电子股份有限公司。
3.0A
低VF
肖特基二极管-20V- 40V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SMA - L封装
SOD-123
包
威伦
FM120-M
THRU
SL32-AL
FM1200-M
SL34-AL
无铅产品
瞬时正向电流（ A）
更好的反向漏电流和耐热性。
特征
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
50
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
10
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
3.0
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
1.0
无卤素产品的包装代号后缀"H"
L
SL
32
-A
L
批量处理的设计，出色的功耗报价
图1 - 典型正向
特点
评级及特点
包装外形
曲线
图2 ，典型正向电流降额曲线
SOD-123H
1.2
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
平均正向电流（ A）
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SL
34
-A
机械数据
200
T
J
=25 C
脉宽300US
1 ％占空比
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
0.1
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
铅温度（ ℃）
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
图4 -最大非重复正向
浪涌电流
极性：由阴极频带指示
.01
.1
位置
.7
MOUNTING
.3 .5
：任何
.9 1.1 1.3
前锋
重量：的逼近
电压（ V）
0.011克
PEAK FORWAARD浪涌电流（ A）
100
尺寸以英寸（毫米）
80
1.5
60
T
J
=25 C
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
图3 - 典型的反向
评级
标识代码
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
反向漏电流（毫安）
40
20
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
特征
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
最大
1000
经常峰值反向电压
12
20
14
20
0
13
1
30
21
14
40
28
40
15
50
50
5
16
10
60
60
18
80
80
10
50
100
70
100
115
100
150
105
150
120
200
140
200
VOL
循环次数在60Hz
35
42
56
VOL
30
VOL
100
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
700
600
1.0
图5 - 典型结电容
30
Am
Am
结电容（PF ）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
10
工作温度范围
存储温度范围
T
J
=75 C
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
500
-55到+125
400
300
200
100
0
40
120
-
65
到+175
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
1
T
J
=25
特征
C
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
VOL
I
R
MAM
注意事项：
.1
0
20
40
60
80
100 120 140
百分比额定峰值反向电压
.01
.05
.1
.5
1
5
10
50
100
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
反向电压， （V）的
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
201 -
威伦电子股份有限公司。
3.0A
低VF
肖特基二极管-20V- 40V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SMA - L封装
SOD-123
包
威伦
FM120-M
THRU
SL32-AL
FM1200-M
SL34-AL
SOD-123H
无铅产品
特点
钉扎
工艺设计，出色的功耗报价
批量
信息
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
针
简化的
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，
PIN1阴极
低正向压降。
高浪涌能力。
PIN2阳极
1
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
卷轴包装
包装代号后缀"G"
符合RoHS的产品
无卤素产品的包装代号后缀"H"
包
包装外形
概要
符号
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
2
1
0.071(1.8)
0.056(1.4)
2
机械数据
带尺寸
REEL
4.0
2,000
SMA -L
案例：模压塑料， SOD- 123H
183*170*183
7"
20,000
,
4.0
15,000
7,500
337*337*37
SMA -L
码头
13"
：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
部件
间距
（ PCS）的
(m/m)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
箱
（ PCS）的
内
箱
(m/m)
REEL
直径，
(m/m)
纸板箱
SIZE
(m/m)
纸板箱
（ PCS）的
160,000
120,000
约。
总重量
0.040(1.0)
（公斤）
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
178
382*356*387
0.031 （ 0.8 ）典型值。
330
350*330*360
15.5
14.2
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
记号
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
类型编号
最大额定值和电气特性
标识代码
SL32-AL-TH
SL32
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
SL34-AL-TH
SL34
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
注： AL ：包装编码， SMA -L
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
-T ：大坪卷
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
伏特
V
RRM
无铅封装可用
伏特
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
伏特
最大直流阻断电压
包装代号后缀“G”
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
符合RoHS的产品
Am
最大正向平均整流电流
I
O
1.0
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
R
θJA
30
Am
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
建议
范围
工作温度
SOLDER
存储温度范围
焊盘布局
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
40
120
-55到+150
℃/W
PF
-
65
到+175
℃
℃
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
C
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UNI
V
F
@T A = 125 ℃
A
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
VOL
I
R
MAM
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
B
尺寸以英寸（毫米）
包
A
0.110 (2.80)
B
0.059 (1.50)
C
0.110 (2.80)
2012-06
SMA -L
威伦电子股份有限公司。
201 -
威伦电子股份有限公司。
3.0A
低VF
肖特基二极管-20V- 40V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SMA - L封装
SOD-123
包
威伦
FM120-M
THRU
SL32-AL
FM1200-M
SL34-AL
无铅产品
包装信息
特点
包装外形
SOD-123H
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
P
0
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
P
1
高电流能力，低正向电压降。
d
高浪涌能力。
E
Guardring过电压保护。
超高速开关。
F
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
B
W
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
A
P
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
T
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
C
D
2
D
1
D
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
18
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
W
1
伏特
56
单位：mm
60
80
1.0
SMA -L
30
伏特
伏特
AMP
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
项
I
FSM
符号
公差
AMP
2.90
载波宽度
A
0.1
40
R
θJA
5.50
载体长度
B
0.1
120
典型结电容（注1 ）
C
J
C
-55到+125
运营商深度
0.1
2.10
-55到+150
工作温度范围
T
J
1.50
d
链轮孔
0.1
-
65
到+175
存储温度范围
TSTG
330.00
13"卷筒外径
D
2.0
50.00
13"卷内径
D
1
民
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
178.00
7"卷筒外径
D
2.0
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
62.00
7"卷内径
D
1
民
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
13.00
饲料孔直径
I
R
D
2
0.5
10
@T
孔位
额定阻断电压DC
1.75
链
A=125℃
E
0.1
5.50
打孔的位置
F
0.1
注意事项：
4.00
打孔节距
P
0.1
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
4.00
链轮孔间距
P
0
0.1
2-热阻结点到环境
2.00
浮雕中心
P
1
0.1
0.23
总体胶带厚度
T
0.1
12.00
胶带宽度
W
0.3
18.00
卷筒宽度
W
1
1.0
典型热阻（注2 ）
℃/W
PF
℃
℃
UNI
伏特
MAM
注：设备是装在雅舞蹈与EIA STANDAR RS - 481 -A和规格上面列出。
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威伦电子股份有限公司。
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