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首字符S的型号第1232页
> STP55NE06FP
STP55NE06
STP55NE06FP
N - 沟道增强型
“单一特征尺寸 ” POWER MOSFET
TYPE
ST P55NE06
ST P55NE06FP
s
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS ( ON)
< 0.022
< 0.022
I
D
55 A
30 A
典型
DS ( ON)
= 0.019
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
低栅电荷100
o
C
DV dt能力高/
面向应用
表征
TO-220
1
2
3
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有的“单一特征尺寸”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机控制
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
TO-220FP
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
价值
STP55NE06
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
V
ISO
dv / dt的
T
英镑
T
j
绝缘耐压( DC )
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
UNI吨
STP55NE06FP
60
60
±
20
V
V
V
30
21
220
35
0.27
2000
7
A
A
A
W
W / C
V
V / ns的
o
o
o
55
39
220
130
0.96
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
55 A, di / dt的
≤
300 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX
C
C
1/9
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1998年1月
STP55NE06/FP
热数据
T O服务- 220
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
R
thc- SI NK
T
l
热阻结案件
最大
1.15
62.5
0.5
300
TO- 220F P
4.28
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
SYMB OL
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
单脉冲雪崩能量
o
(起始物为
j
= 25℃ ,我
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
最大VALU ê
55
200
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
SYMB OL
V
( BR ) DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
60
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
取消它
V
A
A
nA
零加速度吃的电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
o
C
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
I
GSS
开( *)
SYMB OL
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D( 0:N )
参数
栅极阈值
电压
V
DS
= V
GS
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
I
D
= 27.5 A
55
分钟。
2
典型值。
3
0.019
马克斯。
4
0.022
取消它
V
A
静态漏源V
GS
= 10V
阻力
论国有漏电流V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON) MAX
V
GS
= 10 V
动态
SYMB OL
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
倒T转让(BOT)
电容
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON) MAX
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=27.5 A
V
GS
= 0
分钟。
25
典型值。
35
3050
380
100
4000
500
130
马克斯。
取消它
S
pF
pF
pF
2/9
STP55NE06/FP
电气特性
(续)
接通
SYMB OL
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 30 V
I
D
= 27.5 A
R
G
=4.7 W
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 48 V
I
D
= 55 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
30
120
80
13
25
马克斯。
40
160
105
取消它
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
SYMB OL
t
R( VOF F)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 48 V I
D
= 55 A
R
G
=4.7
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
20
50
75
马克斯。
30
70
100
取消它
ns
ns
ns
源漏二极管
SYMB OL
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 60 A
V
GS
= 0
110
430
7.5
测试电导率银行足球比赛s
分钟。
典型值。
马克斯。
55
220
1.5
取消它
A
A
V
ns
C
A
的di / dt = 100 A / μs的
I
SD
= 55 A
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 30 V
(见测试电路,图5 )
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP55NE06/FP
对于TO- 220热阻抗
热阻抗forTO - 220FP
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/9
STP55NE06/FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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STP55NE06FP
PDF信息
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SC600DIMSTR
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SFF1602
SS-73800-030
STV2145
SN74AUC2G00DCURG4
S-80153BLMC-JFET2G
SY10H603_06
STD40NF10
SPD16B1002BSLF13
SB1005332KL
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