STP40NF10
STD40NF10 - STB40NF10
N沟道100V - 0.024Ω - 50A TO- 220 / DPAK / D
2
PAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP40NF10
STD40NF10
STB40NF10
s
s
s
s
V
DSS
100 V
100 V
100 V
R
DS （ ON）
< 0.028
< 0.028
< 0.028
I
D
50 A
50 A
50 A
3
3
1
2
s
典型
DS
（上） = 0.024Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
加后缀“ T4 ” ，供订购在磁带&
REEL
1
TO-220
DPAK
3
1
D
2
PAK
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与STMicro-
电子产品独有的STripFET进程specifical-
LY旨在最大限度地减少输入电容和
栅极电荷。因此，适合于作为主
开关在先进的高效率隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。它
也适用于具有低门的任何应用程序
充电驱动要求。
内部原理图
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
大电流开关应用
订购信息
销售类型
STP40NF10
STD40NF10T4
STB40NF10T4
记号
P40NF10
D40NF10
B40NF10
包
TO-220
DPAK
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
磁带&卷轴
2003年10月
1/13
STP40NF10 - STD40NF10 - STB40NF10
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
E
AS
(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
150
1
20
150
- 55 175
价值
的TO-220 - DPAK
100
100
± 20
50
35
200
125
0.83
35
135
DPAK
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
（ * ）有限公司按封装
(1) I
SD
≤
50A ， di / dt的
≤
600 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ 2 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 50A ，V
DD
= 25V
热数据
的TO-220 - DPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
300
DPAK
1.2
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
ON
/
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 25 A
2
2.8
0.024
分钟。
100
1
10
±100
4
0.028
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2/13
STP40NF10 - STD40NF10 - STB40NF10
电气特性
（续）
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 25V
,
I
D
= 25 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
20
1780
265
112
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 25 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 80V ，我
D
= 50A ，V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
28
63
60.6
9.6
22.8
80
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 25 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
84
28
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 50 A，V
GS
= 0
I
SD
= 50 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 25V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
114
456
8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
200
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/13
STP40NF10 - STD40NF10 - STB40NF10
安全工作区TO-220 / D2PAK
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK
安全工作区DPAK
对于DPAK热阻抗
输出特性
传输特性
4/13
STP40NF10 - STD40NF10 - STB40NF10
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/13
STD40NF10
STP40NF10
N沟道100V - 0.025Ω - 50A TO- 220 / DPAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
特点
TYPE
STD40NF10
STP40NF10
■
■
■
V
DSS
100V
100V
R
DS （ ON）
最大
<0.028
<0.028
I
D
50A
50A
3
1
1
2
3
DV dt能力EXCEPTIONAL /
低栅电荷
100％的雪崩测试
DPAK
TO-220
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"single功能size"
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整措施，允许显着
制造重复性。
表1中。
设备简介
记号
P40NF10
D40NF10
包
TO-220
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
订购代码
STP40NF10
STD40NF10
2007年9月
转4
1/15
www.st.com
15
目录
STP40NF10 - STD40NF10
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
电气特性
STP40NF10 - STD40NF10
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
=125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
2
3
0.025
分钟。
100
1
10
±100
4
0.028
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
=28A
分钟。
典型值。
22
2180
298
83.7
V
DD
= 50V ，我
D
= 40A,
V
GS
= 10V
（参见图17）
46.5
13.3
17.5
22.5
62
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 。
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50V ，我
D
= 25A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（参见图16）
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图16）
分钟。
典型值。
21
46
54
13
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
4/15
STP40NF10 - STD40NF10
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 50A ，V
GS
= 0
I
SD
= 50A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的，
T
j
= 150°C
（参见图18）
80
250
6.4
测试条件
分钟。
典型值。
最大
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/15
QQ：2880707522 复制
