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STGP7NC60HD
STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
N沟道14A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK
非常快的PowerMESH IGBT
表1 :一般特点
TYPE
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD
STGB7NC60HD
s
s
s
图1 :包装
I
C
@100°C
14 A
6A
14 A
3
1
2
V
CES
600 V
600 V
600 V
V
CE ( SAT )
(最大)
@25°C
< 2.5 V
< 2.5 V
< 2.5 V
s
s
s
s
更低的导通压降( V
CESAT
)
关损失包括尾电流
损失包括二极管恢复
能源
LOWER
水库
/C
IES
高工作频率最高为70
千赫
非常软超快速恢复反
并联二极管
全新一代产品
严格的参数分布
3
1
2
TO-220
TO-220FP
3
1
D
2
PAK
图2 :内部原理图
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局,意法半导体
设计的IGBT ,所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的,以优异的表演。
后缀"H"确定一个家庭的高优化
为了实现非常高频应用
高开关性能(降低TFALL )联机
泰宁一低的电压降。
应用
s
高频逆变器
s
SMPS和PFC以硬开关
及谐振拓扑结构
s
电机驱动器
表2 :订购代码
产品型号
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD
STGB7NC60HDT4
记号
GP7NC60HD
GF7NC60HD
GB7NC60HD
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
包装
磁带&卷轴
Rev.9
2005年6月
1/15
STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
表3 :绝对最大额定值
符号
参数
价值
STGP7NC60HD
STGB7NC60HD
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
I
F
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续)在T
C
= 25°C (#)
集电极电流(连续)在T
C
= 100°C (#)
集电极电流(脉冲)
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐电压AC ( T = 1秒TC = 25 ° C)
储存温度
工作结温
80
0.64
--
- 55 150
25
14
50
20
25
0.20
2500
600
20
±20
10
6
STGF7NC60HD
V
V
V
A
A
A
A
W
W / ℃,
V
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的最大。结温。
表4 :热数据
分钟。
Rthj情况
热阻结案件
TO-220
DPAK
TO-220FP
Rthj - AMB
T
L
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
(1.6毫米的情况下,为10秒)。
300
典型值。
马克斯。
1.56
5.0
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 :主要技术参数
符号
V
BR (CES)上
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
C
= 1毫安, V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值,T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15V ,我
C
= 7 A
V
GE
= 15V ,我
C
= 7的,TC = 125°C
3.75
1.85
1.7
分钟。
600
10
1
±100
5.75
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
mA
nA
V
V
V
(#)根据迭代公式计算:
T
–T
JMAX
C
-
I
(
T
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------
C C
R
×
V
(T
,
I )
THJ - C
CESAT
(
米斧
)
C C
2/15
STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
电气特性
(续)
表6 :动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
关断SOA最低
当前
V
CE
= 390 V,I
C
= 7 A,
V
GE
= 15 V
(参见图22)
V
= 480 V
,
TJ = 150℃
R
G
= 10
,
V
GE
= 15 V
50
测试条件
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 7 A
V
CE
= 25 V , F = 1兆赫,V
GE
= 0
分钟。
典型值。
4.30
720
81
17
35
7
16
48
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
A
( 1 )脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
表7 :接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
CC
= 390 V,I
C
= 7 A
R
G
= 10
,
V
GE
= 15V , TJ = 25°C
(参见图19)
V
CC
= 390 V,I
C
= 7 A
R
G
= 10
,
V
GE
= 15V , TJ = 125°C
(参见图20)
分钟。
典型值。
18.5
8.5
1060
18.5
7
1000
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
表8 :关闭
符号
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
参数
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
cc
= 390 V,I
C
= 7 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
(参见图20)
V
cc
= 390 V,I
C
= 7 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
(参见图20)
分钟。
典型值。
27
72
60
56
116
105
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表9 :开关能量
符号
宙(2)
E
关闭
(3)
E
ts
宙(2)
E
关闭
(3)
E
ts
参数
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390 V,I
C
= 7 A
R
G
= 10
,
V
GE
= 15V , TJ = 25°C
(参见图19)
V
CC
= 390 V,I
C
= 7 A
R
G
= 10
,
V
GE
= 15V , TJ = 125°C
(参见图20)
分钟。
典型值。
95
115
210
140
215
355
最大
125
150
275
单位
J
J
J
J
J
J
(2)宙是接通损耗时,一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT都与一个共同包提供一个包
二极管中,共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在同一温度( 25℃和125 ℃)下
( 3 )关断损耗还包括集电极电流的尾部。
3/15
STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
表10 :集电极 - 发射极二极管
符号
参数
测试Condiction
分钟。
典型值。
马克斯。
1.9
单位
V
f
t
rr
t
a
Q
rr
I
RRM
S
t
rr
t
a
Q
rr
I
RRM
S
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
二极管的软度因子
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
二极管的软度因子
IF = 3.5 A
如果= 3.5 A, TJ = 125°C
IF = 7 A,V
R
= 40 V,
T
j
= 25 ° C,的di / dt = 100 A / μs的
1.3
1.1
37
22
40
2.1
0.68
61
34
98
3.2
0.79
V
V
ns
ns
nC
A
IF = 7 A,V
R
= 40 V,
T
j
= 125°C ,的di / dt = 100 A / μs的
ns
ns
nC
A
4/15
STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
图3:输出特性
图6 :传输特性
图4:跨导
图7 :集电极 - 发射极电压上VS温
perature
图5 :集电极 - 发射极电压上VS同事
讲师电流
图8 :归栅极阈值VS温
perature
5/15
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STGP7NC60HD
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    终端采购配单精选

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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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74390
TO-220
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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ST/意法
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21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:18922805453
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地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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ST(意法)
23+
700000
TO-220(TO-220-3)
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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ST(意法)
22+
8141
原装原厂公司现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
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ST
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