SGP07N120
SGB07N120
在NPT技术的快速IGBT
40lower
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS
NPT -科技提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
C
G
E
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
P- TO- 263-3-2 （ D -PAK ）
(TO-263AB)
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SGP07N120
SGB07N120
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 8A,
V
CC
= 50V,
R
GE
= 25Ω ，开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
T
j
,
T
英镑
-
-55...+150
260
°C
1)
V
CE
1200V
I
C
8A
E
关闭
0.7mJ
T
j
150°C
包
TO-220AB
TO-263AB(D2PAK)
订购代码
Q67040-S4272
Q67040-S4273
符号
V
CE
I
C
价值
1200
16.5
7.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
t
SC
P
合计
27
27
±20
40
10
125
V
mJ
s
W
V
GE
= 15V, 100V
≤
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
Jul-02
功率半导体
SGP07N120
SGB07N120
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
SMD版本， PCB上的元件
1)
符号
条件
马克斯。值
单位
R
thJC
R
thJA
R
thJA
TO-220AB
TO-263AB(D2PAK)
1
62
40
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 8 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 35 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
=1200V,V
摹ê
=0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
1200
2.5
-
3
-
-
-
典型值。
-
3.1
3.7
4
-
-
-
6
-
-
-
-
-
-
720
60
40
70
7
75
马克斯。
-
3.6
4.3
5
单位
V
A
100
400
100
-
870
75
50
90
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
=0V,V
摹ê
=20V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 8 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=8 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 22 0A B
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
10 0 V≤
V
C C
≤
12 0 0 V,
T
j
≤
15 0° C
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1)
2
功率半导体
2
Jul-02
SGP07N120
SGB07N120
在NPT技术的快速IGBT
40lower
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS
NPT -科技提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
C
G
E
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
P- TO- 263-3-2 （ D -PAK ）
(TO-263AB)
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SGP07N120
SGB07N120
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 8A,
V
CC
= 50V,
R
GE
= 25Ω ，开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
T
j
,
T
英镑
-
-55...+150
260
°C
1)
V
CE
1200V
I
C
8A
E
关闭
0.7mJ
T
j
150°C
包
TO-220AB
TO-263AB(D2PAK)
订购代码
Q67040-S4272
Q67040-S4273
符号
V
CE
I
C
价值
1200
16.5
7.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
t
SC
P
合计
27
27
±20
40
10
125
V
mJ
s
W
V
GE
= 15V, 100V
≤
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
Jul-02
功率半导体
SGP07N120
SGB07N120
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
SMD版本， PCB上的元件
1)
符号
条件
马克斯。值
单位
R
thJC
R
thJA
R
thJA
TO-220AB
TO-263AB(D2PAK)
1
62
40
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 8 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 35 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
=1200V,V
摹ê
=0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
1200
2.5
-
3
-
-
-
典型值。
-
3.1
3.7
4
-
-
-
6
-
-
-
-
-
-
720
60
40
70
7
75
马克斯。
-
3.6
4.3
5
单位
V
A
100
400
100
-
870
75
50
90
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
=0V,V
摹ê
=20V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 8 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=8 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 22 0A B
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
10 0 V≤
V
C C
≤
12 0 0 V,
T
j
≤
15 0° C
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1)
2
功率半导体
2
Jul-02
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