产品说明
Sirenza的Microdevices的STA- 6033是一款高效率AB类
异质结双极晶体管（ HBT ）放大器装在一个
低成本表面安装塑料封装。这HBT放大器
是用的InGaP砷化镓（GaAs）器件技术和制造
用MOCVD法为低成本和高可靠性的理想组合
的能力。此产品是专为一个最终阶段
802.11设备在4.9 - 5.9 GHz频段。它可以从一个运行
3.0V至3.6V电源供电。优化的片上阻抗匹配
电路提供一个50Ω的标称RF输入阻抗。单一
外部输出匹配电路覆盖整个4.9-5.9GHz的
乐队。外部输出匹配允许载重线optimiza-
灰为其他应用程序或以上狭隘优化的性能
桨手带。它被设计为在替换降类似
部分在同级车。该产品是在符合RoHS标准
绿色包装与雾锡完成，通过“Z ”指定
包后缀。
STA-6033
STA-6033Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
4.9 - 5.9 GHz的3.3V功率放大器
16引脚3mm x 3mm的QFN
产品特点
802.11 54MB / s的AB类的性能
POUT = 18dBm的@ 3％的EVM ， 3.3V ， 210毫安
高增益= 27分贝
输出回波损耗< -12dB线性调
片上输出功率检测器
同时4.9- 5.9GHz宽带
引脚兼容于Microsemi的LX5506
坚固耐用 - 躲过RF输入功率= + 20dBm的
上电/掉电控制<为1μs
功能框图
VCC
动力
上/下
控制
活跃
BIAS
活跃
BIAS
活跃
BIAS
RFIN
RFOUT
应用
802.11 WLAN ， OFDM ， 5.8GHz的ISM频段
802.16 WiMax技术，固定无线， UNII
单位
兆赫
DBM
分钟。
4900
26.5
24.0
27.5
22.0
25.5
29.5
24.0
18
18
-38
5.7
11
8
15
12
为0.81.5
130
165
1.5
5
28
100
190
-34
31.5
26.0
典型值。
马克斯。
5900
功率检测器Vout的
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1dB
S
21
噘
IM3
NF
IRL
ORL
VDET范围
ICQ
I
VPC
I
泄漏
R
次，J -升
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50Ω, V
CC
VPC = = 3.3V ，ICQ = 165毫安，T
BP
= 30C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 4.9 GHz的
在1dB压缩输出功率 - 5.875 GHz的
增益4.9 GHz的
增益5.875 GHz的
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.15GHz
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.875GHz
三阶互调，每口气噘= 15dBm的 - 5.875GHz
噪声系数为5.875 GHz的
最坏情况下的输入回波损耗4.9-5.875GHz
最坏的情况下输出回波损耗4.9-5.875GHz
输出电压范围为噘= 7dBm至23dBm的
VCC静态电流
上电控制电流， VPC = 3.3V （I
VPC1
+ I
VPC2
+ I
VPC3
)
关Vcc的漏电流VPC = 0V
热阻（结 - 铅）
dB
DBM
dBc的
dB
dB
V
mA
mA
uA
摄氏度/ W
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利
的权利或许可的任何本文所述的电路被暗示或任何第三方授权。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备的使用
和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS- 103643 F版
STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
引脚输出说明
针＃
1,4,9,12,13
5
功能
N / C
VPC1
描述
引脚未使用。可以接地，开路，或连接到相邻的针。
VPC1是偏置控制引脚为1级有源偏置电路。外部串联电阻所需的
偏置电平进行合适的设置。请参考评估板原理图的电阻值。
为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚是不是适用于电压+ 1V更大
销16 （ V偏压）除非VPC供给电流能力小于10毫安。
VPC2是偏置控制引脚为舞台2有源偏置电路。外部串联电阻所需的
偏置电平进行合适的设置。请参考评估板原理图的电阻值。
为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚是不是适用于电压+ 1V更大
销16 （ V偏压）除非VPC供给电流能力小于10毫安。
VPC3是控制引脚为舞台3有源偏置电路。外部串联电阻所需的
偏置电平进行合适的设置。请参考评估板原理图的电阻值。
为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚是不是适用于电压+ 1V更大
销16 （ V偏压）除非VPC供给电流能力小于10毫安。
输出继电器功率检测电压。负载10K -100K欧姆到地获得最佳性能。
射频输入引脚。这是直流接地，在IC内部。不要施加电压到该引脚。所有这三个引脚必须
用于正确的操作。
RF输出引脚。这也是另一个连接到第三级集电极
第三阶段集电极偏置引脚。适用于3.0V至3.6V到该引脚。
第二阶段集电极偏置引脚。适用于3.0V至3.6V到该引脚。
6
VPC2
7
8
2,3
10,11
14
15
16
EPAD
VPC3
VDET
RFIN
RFOUT
VC3
VC2
VC1 ， V偏压第一阶段集电极偏置引脚和有源偏置网络VCC 。适用于3.0V至3.6V到该引脚。
GND
需要在封装的底面接触面积被焊接到电路板上的接地平面
为最佳的热和RF性能。多个通孔，应位于所述EPAD下，如图
推荐的焊盘布局（第5页） 。
简化的设备示意图
针
5
针
16
针
15
针
7
针
14
绝对最大额定值
参数
VC3集电极偏置电流（引脚16 ）
VC2集电极偏置电流（ pin18 ）
VC1集电极偏置电流（引脚19 ）
装置的电压（V
D
)
功耗
价值
400
140
50
4.5
1.4
-40至+85
20
-40到+150
+150
1000
单位
mA
mA
mA
V
W
C
DBM
C
C
V
针
6
第1阶段
BIAS
第2阶段
BIAS
第三阶段
BIAS
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率为50欧姆负载
引脚10,11
存储温度范围
工作结温（T
J
)
引脚2 ， 3
ESD人体模型 - 1C类
EPAD
EPAD
针
8
EPAD
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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2
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STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（VCC = VPC = 3.3V ，我
q
= 165毫安）
典型的S11输入回波损耗
0
-5
-10
S11(dB)
-20
-25
-30
-35
-40
4.5
5.0
5.5
频率（GHz ）
-40c
0c
25c
70c
85c
-40c
10
5
S21(dB)
35
30
25
20
15
典型增益S21
-15
6.0
6.5
4.5
5.0
5.5
频率（GHz ）
0c
25c
6.0
6.5
70c
85c
典型的S12隔离
-30
典型的S22输出回波损耗
0
-5
S22(dB)
-10
-15
-20
-35
S12(dB)
-40
-45
-50
4.5
5.0
5.5
频率（GHz ）
-40c
0c
25c
70c
85c
6.0
6.5
-25
4.5
5.0
5.5
频率（GHz ）
-40c
0c
25c
70c
85c
6.0
6.5
增益VS噘， T = 25℃
30
29
28
增益（ dB）的
26
25
24
23
22
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
的Pout （ dBm的）
4.9GHz
5.15GHz
5.35GHz
5.725GHz
5.875GHz
IM3 VS噘（每个音） T = + 25℃
音间距= 1.2MHz的
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
0
5
4.9GHz
IM3(dBc)
27
10
5.15GHz
5.35GHz
15
5.725GHz
20
5.875GHz
25
的Pout （ dBm的）
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3
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STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（VCC = 3.3V ，我
q
= 165毫安）
ICQ VS电压（ Vcc和VPC绑在一起）
0.45
0.4
0.35
0.3
ICQ （ A）
IDC （ A）
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.45
IDC VS噘，T = 25℃
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
2.4
2.6
2.8
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
VCC / VPC （ V）
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
0.15
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
的Pout （ dBm的）
20.0
22.0
24.0
26.0
F=4.9
F=5.15
F=5.35
F=5.725
F=5.875
0.3
0.25
ICQ VS VS VPC VPC允许设定电压时，
对于固定的Vcc = 3.3V ， T = + 25℃
20
19.5
19
的Pout （ dBm的）
POUT @ 3 ％的EVM VS VCC可获得固定VPC = 3.3 ， F = 5.725GHz
0.2
ICQ （ A）
0.15
0.1
0.05
0
1.2 1.4 1.6 1.8
2.9v
18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
2.7
2.9
3.1
工作电压（V ）
3.3
3.5
3.7
2 2.2 2.4 2.6 2.8
风靡VPC （ V）
3.0v
3.1v
3 3.2 3.4 3.6
3.3v
3.2v
0c
+25c
+70c
EVM （ ％ ） @噘= 18dBm的与VPC设定电压与温度
F=5.725GHz
4
3.5
EVM （％）
3
有意留为空白
2.5
2
1.5
1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度（C ）
2.9v
3v
3.1v
3.2v
3.3v
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STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（VCC = VPC = 3.3V ，我
q
= 165毫安）
802.11a的EVM ，OFDM， 54MB /秒， 64QAM
EVM VS噘， F =的4.9GHz
5
4.5
4
3.5
EVM （％）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
EVM VS噘， T = 25℃
4.5
4
3.5
3
EVM （％）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4
6
8
10
12
14
的Pout （ dBm的）
5.725GHz
16
18
20
4
6
8
10
12
的Pout （ dBm的）
14
16
18
20
4.9GHz
5.15GHz
5.35GHz
5.875GHz
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
EVM VS噘， F = 5.15GHz
4.5
4
3.5
EVM （％）
EVM （％）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4
6
8
10
12
的Pout （ dBm的）
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
14
16
18
20
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4
6
EVM VS噘， F = 5.35GHz
8
10
12
的Pout （ dBm的）
14
16
18
20
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
EVM VS噘， F = 5.725GHz
6
5
EVM （％）
EVM （％）
4
3
2
1
0
4
6
8
10
12
的Pout （ dBm的）
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
14
16
18
20
7
6
5
4
3
2
1
0
4
6
EVM VS噘， F = 5.875GHz
8
10
12
的Pout （ dBm的）
14
16
18
20
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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EDS- 103643 F版
初步
产品说明
Sirenza的Microdevices的STA- 6033是一款高效率等级
AB异质结双极晶体管（ HBT ）放大器
容纳在一个低成本表面安装塑料封装。
这HBT放大器的GaAs器件与制作的InGaP
技术与制造用MOCVD一个理想的COM
bination低成本和高可靠性的。
此产品是专为一个最终阶段
802.11设备在4.9 - 5.9 GHz频段。它可以运行
从3.0V至3.6V电源供电。优化的片上阻抗
匹配电路提供了一个50Ω额定RF输入阻抗
ANCE 。一个单一的外部输出匹配电路覆盖
整个4.9-5.9GHz的频段。外部输出匹配允许
用于实现负载线路优化等应用程序或OPTICAL
得到优化的性能在较窄的频带。它被设计成
在更换下降了同级车类似的部件。
STA-6033
4.9 - 5.9 GHz的3.3V功率放大器
产品特点
高增益= 27分贝
16引脚3mm x 3mm的QFN
802.11 54MB / s的AB类的性能
POUT = 18dBm的@ 3％的EVM ， 3.3V ， 210毫安
输出回波损耗< -12dB线性调
片上输出功率检测器
同时4.9- 5.9GHz宽带
引脚兼容于Microsemi的LX5506
坚固耐用 - 躲过RF输入功率= + 20dBm的
上电/掉电控制<为1μs
功能框图
VCC
POW ER
上/陶
控制
ACTIV ê
BIAS
ACTIV ê
BIAS
ACTIV ê
BIAS
RFIN
RFOUT
应用
802.11 WLAN ， OFDM
通用的5.8GHz ISM频段
802.16 WiMax技术，固定无线， UNII
单位
兆赫
DBM
dB
DBM
dBc的
dB
dB
V
mA
mA
摄氏度/ W
140
11
8
分钟。
4900
26.5
24.0
28.0
23.6
25.5
30.0
25.6
18
18
-38
5.7
15
12
为0.81.5
165
1.5
28
190
-34
32.0
27.6
典型值。
马克斯。
5900
POW ER探测器
VOUT
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1dB
S
21
噘
IM3
NF
IRL
ORL
VDET范围
ICQ
I
VPC
R
次，J -升
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50, V
CC
VPC = = 3.3V ，ICQ = 165毫安，T
BP
= 30C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 4.9 GHz的
在1dB压缩输出功率 - 5.875 GHz的
增益4.9 GHz的
增益5.875 GHz的
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.15GHz
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.875GHz
三阶互调，每口气噘= 15dBm的 - 5.875GHz
噪声系数为5.875 GHz的
最坏情况下的输入回波损耗4.9-5.875GHz
最坏的情况下输出回波损耗4.9-5.875GHz
输出电压范围为噘= 7dBm至23dBm的
VCC静态电流
上电控制电流， VPC = 3.3V （I
VPC1
+ I
VPC2
+ I
VPC3
)
热阻（结 - 铅）
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 103643修订版B
初步
STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
引脚输出说明
针＃
1,4,9,12,13
5
功能
N / C
VPC1
描述
引脚未使用。可以接地，开路，或连接到相邻的针。
VPC1是偏置控制引脚为1级有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。
为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的适用于针16
（ V偏压）除非VPC供给电流能力小于10毫安。
VPC2是偏置控制引脚为舞台2有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。
为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的适用于针16
（ V偏压）除非VPC供给电流能力小于10毫安。
VPC3是控制引脚为舞台3有源偏置电路。外部串联电阻需要进行适当的设定
挺偏的水平。请参考评估板原理图的电阻值。
为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的适用于针16
（ V偏压）除非VPC供给电流能力小于10毫安。
输出继电器功率检测电压。负载10K -100K欧姆到地获得最佳性能。
射频输入引脚。这是直流接地，在IC内部。不要施加电压到该引脚。所有这三个引脚必须
用于正常工作。
RF输出引脚。这也是另一个连接到第三级集电极
第三阶段集电极偏置引脚。适用于3.0V至3.6V到该引脚。
第二阶段集电极偏置引脚。适用于3.0V至3.6V到该引脚。
第一阶段集电极偏置引脚和有源偏置网络VCC 。适用于3.0V至3.6V到该引脚。
需要在封装的底面露出区域被焊接到电路板上的接地平面
最佳的热和RF性能。多个通孔，应位于所述EPAD下所示的消遣
ommended焊盘布局（第5页） 。
6
VPC2
7
8
2,3
10,11
14
15
16
EPAD
VPC3
VDET
RFIN
RFOUT
VC3
VC2
VC1,Vbias
GND
简化的设备示意图
绝对最大额定值
参数
针
5
针
16
针
6
针
15
针
7
针
14
价值
400
140
50
4.5
1.4
-40至+85
20
-40到+150
+150
>1000
单位
mA
mA
mA
V
W
C
DBM
C
C
V
VC3集电极偏置电流（引脚16 ）
VC2集电极偏置电流（ pin18 ）
VC1集电极偏置电流（引脚19 ）
装置的电压（V
D
)
第1阶段
BIAS
第2阶段
BIAS
第三阶段
BIAS
引脚10,11
功耗
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率为50欧姆负载
存储温度范围
工作结温（T
J
)
ESD人体模型
引脚2 ， 3
EPAD
EPAD
针
8
EPAD
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（VCC = VPC = 3.3V ，我
q
= 165毫安）
典型的S11输入回波损耗
-5
-10
S11(dB)
-15
-20
-25
-30
4.5
5
5.5
频率（GHz ）
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
+25c
S21(dB)
35
30
25
20
15
10
5
典型增益S21
6
6.5
4.5
5
5.5
频率（GHz ）
0c
-40c
6
6.5
+70c
+85c
典型的S22输入回波损耗
0
-5
S22(dB)
-10
-15
-20
-25
4.5
+25c
5
0c
5.5
频率（GHz ）
-40c
+70c
+85c
4.9GHz
增益VS噘， T = 25℃
30
29
增益（ dB）的
28
27
26
25
24
23
22
6
6.5
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
的Pout （ dBm的）
5.15GHz
5.35GHz
5.725GHz
5.875GHz
-20
-30
IM3 VS噘（每个音） T = + 25℃
音间距= 1.2MHz的
IM3(dBc)
-40
-50
-60
-70
0
4.9GHz
有意留为空白
5
5.15GHz
10
5.35GHz
15
20
5.725GHz
25
5.875GHz
的Pout （ dBm的）
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3
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STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（VCC = 3.3V ，我
q
= 165毫安）
ICQ VS电压（ Vcc和VPC绑在一起）
0.45
0.4
0.35
0.3
ICQ （ A）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
2.4
2.6
2.8
3
3.2
VCC / VPC （ V）
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
3.4
3.6
3.8
4
IDC VS噘，T = 25℃
0.45
0.4
0.35
IDC （ A）
0.3
0.25
0.2
0.15
10
12
14
16
18
的Pout （ dBm的）
4.9GHz
5.15GHz
5.35GHz
5.725GHz
5.875GHz
20
22
24
26
0.3
0.25
ICQ VS VS VPC VPC允许设定电压时，
对于固定的Vcc = 3.3V ， T = + 25℃
20
19.5
19
的Pout （ dBm的）
POUT @ 3 ％的EVM VS VCC可获得固定VPC = 3.3 ， F = 5.725GHz
0.2
ICQ （ A）
0.15
0.1
0.05
0
1.2 1.4 1.6 1.8
2.9v
18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
2.7
2.9
3.1
工作电压（V ）
3.3
3.5
3.7
2
2.2 2.4 2.6 2.8
风靡VPC （ V）
3.1v
3
3.2 3.4 3.6
3.3v
3.0v
3.2v
0c
+25c
+70c
EVM （ ％ ） @噘= 18dBm的与VPC设定电压与温度
F=5.725GHz
4
3.5
EVM （％）
3
2.5
2
1.5
1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度（C ）
2.9v
3v
3.1v
3.2v
3.3v
有意留为空白
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STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（VCC = VPC = 3.3V ，我
q
= 165毫安）
802.11a的EVM ，OFDM， 54MB /秒， 64QAM
EVM VS噘， T = 25℃
6
5
EVM （％）
EVM （％）
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
EVM VS噘， F =的4.9GHz
4
3
2
1
0
4
6
4.9GHz
8
10
12
14
的Pout （ dBm的）
5.35GHz
16
18
5.875GHz
20
4
6
8
10
12
的Pout （ dBm的）
14
16
18
20
5.15GHz
5.725GHz
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
EVM VS噘， F = 5.15GHz
4.5
4
3.5
3
EVM （％）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4
6
8
10
12
的Pout （ dBm的）
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
14
16
18
20
EVM （％）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4
6
EVM VS噘， F = 5.35GHz
8
+25c
10
0c
12
14
的Pout （ dBm的）
-40c
+70c
16
18
+85c
20
EVM VS噘， F = 5.725GHz
6
5
4
EVM （％）
EVM （％）
7
6
5
4
3
2
1
0
EVM VS噘， F = 5.875GHz
3
2
1
0
4
6
8
+25c
10
0c
12
14
的Pout （ dBm的）
-40c
+70c
16
18
+85c
20
4
6
8
+25c
10
0c
12
的Pout （ dBm的）
-40c
14
+70c
16
18
+85c
20
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产品说明
Sirenza的Microdevices的STA- 6033是一款高效率等级
AB异质结双极晶体管（ HBT ）放大器
容纳在一个低成本表面安装塑料封装。
这HBT放大器的GaAs器件与制作的InGaP
技术与制造用MOCVD一个理想的COM
bination低成本和高可靠性的。
此产品是专为一个最终阶段
802.11设备在4.9 - 5.9 GHz频段。它可以运行
从3.0V至3.6V电源供电。优化的片上阻抗
匹配电路提供了一个50Ω额定RF输入阻抗
ANCE 。一个单一的外部输出匹配电路覆盖
整个4.9-5.9GHz的频段。外部输出匹配允许
用于实现负载线路优化等应用程序或OPTICAL
得到优化的性能在较窄的频带。它被设计成
在更换下降了同级车类似的部件。
STA-6033
4.9 - 5.9 GHz的3.3V功率放大器
产品特点
高增益= 27分贝
16引脚3mm x 3mm的QFN
802.11 54MB / s的AB类的性能
POUT = 18dBm的@ 3％的EVM ， 3.3V ， 210毫安
输出回波损耗< -12dB线性调
片上输出功率检测器
同时4.9- 5.9GHz宽带
引脚兼容于Microsemi的LX5506
坚固耐用 - 躲过RF输入功率= + 20dBm的
上电/掉电控制<为1μs
功能框图
VCC
POW ER
上/陶
控制
ACTIV ê
BIAS
ACTIV ê
BIAS
ACTIV ê
BIAS
RFIN
RFOUT
应用
802.11 WLAN ， OFDM
通用的5.8GHz ISM频段
802.16 WiMax技术，固定无线， UNII
单位
兆赫
DBM
dB
DBM
dBc的
dB
dB
V
mA
mA
摄氏度/ W
140
11
8
分钟。
4900
26.5
24.0
28.0
23.6
25.5
30.0
25.6
18
18
-38
5.7
15
12
为0.81.5
165
1.5
28
190
-34
32.0
27.6
典型值。
马克斯。
5900
POW ER探测器
VOUT
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1dB
S
21
噘
IM3
NF
IRL
ORL
VDET范围
ICQ
I
VPC
R
次，J -升
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50, V
CC
VPC = = 3.3V ，ICQ = 165毫安，T
BP
= 30C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 4.9 GHz的
在1dB压缩输出功率 - 5.875 GHz的
增益4.9 GHz的
增益5.875 GHz的
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.15GHz
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.875GHz
三阶互调，每口气噘= 15dBm的 - 5.875GHz
噪声系数为5.875 GHz的
最坏情况下的输入回波损耗4.9-5.875GHz
最坏的情况下输出回波损耗4.9-5.875GHz
输出电压范围为噘= 7dBm至23dBm的
VCC静态电流
上电控制电流， VPC = 3.3V （I
VPC1
+ I
VPC2
+ I
VPC3
)
热阻（结 - 铅）
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
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初步
STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
引脚输出说明
针＃
1,4,9,12,13
5
功能
N / C
VPC1
描述
引脚未使用。可以接地，开路，或连接到相邻的针。
VPC1是偏置控制引脚为1级有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。
为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的适用于针16
（ V偏压）除非VPC供给电流能力小于10毫安。
VPC2是偏置控制引脚为舞台2有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。
为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的适用于针16
（ V偏压）除非VPC供给电流能力小于10毫安。
VPC3是控制引脚为舞台3有源偏置电路。外部串联电阻需要进行适当的设定
挺偏的水平。请参考评估板原理图的电阻值。
为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的适用于针16
（ V偏压）除非VPC供给电流能力小于10毫安。
输出继电器功率检测电压。负载10K -100K欧姆到地获得最佳性能。
射频输入引脚。这是直流接地，在IC内部。不要施加电压到该引脚。所有这三个引脚必须
用于正常工作。
RF输出引脚。这也是另一个连接到第三级集电极
第三阶段集电极偏置引脚。适用于3.0V至3.6V到该引脚。
第二阶段集电极偏置引脚。适用于3.0V至3.6V到该引脚。
第一阶段集电极偏置引脚和有源偏置网络VCC 。适用于3.0V至3.6V到该引脚。
需要在封装的底面露出区域被焊接到电路板上的接地平面
最佳的热和RF性能。多个通孔，应位于所述EPAD下所示的消遣
ommended焊盘布局（第5页） 。
6
VPC2
7
8
2,3
10,11
14
15
16
EPAD
VPC3
VDET
RFIN
RFOUT
VC3
VC2
VC1,Vbias
GND
简化的设备示意图
绝对最大额定值
参数
针
5
针
16
针
6
针
15
针
7
针
14
价值
400
140
50
4.5
1.4
-40至+85
20
-40到+150
+150
>1000
单位
mA
mA
mA
V
W
C
DBM
C
C
V
VC3集电极偏置电流（引脚16 ）
VC2集电极偏置电流（ pin18 ）
VC1集电极偏置电流（引脚19 ）
装置的电压（V
D
)
第1阶段
BIAS
第2阶段
BIAS
第三阶段
BIAS
引脚10,11
功耗
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率为50欧姆负载
存储温度范围
工作结温（T
J
)
ESD人体模型
引脚2 ， 3
EPAD
EPAD
针
8
EPAD
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
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在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（VCC = VPC = 3.3V ，我
q
= 165毫安）
典型的S11输入回波损耗
-5
-10
S11(dB)
-15
-20
-25
-30
4.5
5
5.5
频率（GHz ）
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
+25c
S21(dB)
35
30
25
20
15
10
5
典型增益S21
6
6.5
4.5
5
5.5
频率（GHz ）
0c
-40c
6
6.5
+70c
+85c
典型的S22输入回波损耗
0
-5
S22(dB)
-10
-15
-20
-25
4.5
+25c
5
0c
5.5
频率（GHz ）
-40c
+70c
+85c
4.9GHz
增益VS噘， T = 25℃
30
29
增益（ dB）的
28
27
26
25
24
23
22
6
6.5
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
的Pout （ dBm的）
5.15GHz
5.35GHz
5.725GHz
5.875GHz
-20
-30
IM3 VS噘（每个音） T = + 25℃
音间距= 1.2MHz的
IM3(dBc)
-40
-50
-60
-70
0
4.9GHz
有意留为空白
5
5.15GHz
10
5.35GHz
15
20
5.725GHz
25
5.875GHz
的Pout （ dBm的）
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3
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STA- 6033 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（VCC = 3.3V ，我
q
= 165毫安）
ICQ VS电压（ Vcc和VPC绑在一起）
0.45
0.4
0.35
0.3
ICQ （ A）
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
2.4
2.6
2.8
3
3.2
VCC / VPC （ V）
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
3.4
3.6
3.8
4
IDC VS噘，T = 25℃
0.45
0.4
0.35
IDC （ A）
0.3
0.25
0.2
0.15
10
12
14
16
18
的Pout （ dBm的）
4.9GHz
5.15GHz
5.35GHz
5.725GHz
5.875GHz
20
22
24
26
0.3
0.25
ICQ VS VS VPC VPC允许设定电压时，
对于固定的Vcc = 3.3V ， T = + 25℃
20
19.5
19
的Pout （ dBm的）
POUT @ 3 ％的EVM VS VCC可获得固定VPC = 3.3 ， F = 5.725GHz
0.2
ICQ （ A）
0.15
0.1
0.05
0
1.2 1.4 1.6 1.8
2.9v
18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
2.7
2.9
3.1
工作电压（V ）
3.3
3.5
3.7
2
2.2 2.4 2.6 2.8
风靡VPC （ V）
3.1v
3
3.2 3.4 3.6
3.3v
3.0v
3.2v
0c
+25c
+70c
EVM （ ％ ） @噘= 18dBm的与VPC设定电压与温度
F=5.725GHz
4
3.5
EVM （％）
3
2.5
2
1.5
1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度（C ）
2.9v
3v
3.1v
3.2v
3.3v
有意留为空白
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4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（VCC = VPC = 3.3V ，我
q
= 165毫安）
802.11a的EVM ，OFDM， 54MB /秒， 64QAM
EVM VS噘， T = 25℃
6
5
EVM （％）
EVM （％）
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
EVM VS噘， F =的4.9GHz
4
3
2
1
0
4
6
4.9GHz
8
10
12
14
的Pout （ dBm的）
5.35GHz
16
18
5.875GHz
20
4
6
8
10
12
的Pout （ dBm的）
14
16
18
20
5.15GHz
5.725GHz
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
EVM VS噘， F = 5.15GHz
4.5
4
3.5
3
EVM （％）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4
6
8
10
12
的Pout （ dBm的）
+25c
0c
-40c
+70c
+85c
14
16
18
20
EVM （％）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4
6
EVM VS噘， F = 5.35GHz
8
+25c
10
0c
12
14
的Pout （ dBm的）
-40c
+70c
16
18
+85c
20
EVM VS噘， F = 5.725GHz
6
5
4
EVM （％）
EVM （％）
7
6
5
4
3
2
1
0
EVM VS噘， F = 5.875GHz
3
2
1
0
4
6
8
+25c
10
0c
12
14
的Pout （ dBm的）
-40c
+70c
16
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+85c
20
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的Pout （ dBm的）
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