STGP3NB60MD - STGB3NB60MD
N沟道3A - 600V TO- 220 / D
2
PAK
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGP3NB60MD
STGB3NB60MD
s
s
s
s
s
s
s
V
CES
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）（最大）
@25°C
< 1.9 V
< 1.9V
I
C
@100°C
3A
3A
3
1
2
高输入阻抗
低导通压降（ V
CESAT
)
关损失包括尾电流
低栅电荷
高电流能力
高频率运行
CO-打包带TURBOSWITCH
反并联二极管
3
1
TO-220
D
2
PAK
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体拥有DE-
签署IGBT的，上电先进的家庭
MESH IGBT的，以优异的perfomances 。
后缀"M"标识系列进行了优化，以
实现极低的开关切换时间高
高频应用（ <20KHZ ）
内部原理图
应用
电机控制
s
SMPS和PFC和硬开关
及谐振拓扑结构
s
订购信息
销售类型
STGP3NB60MD
STGB3NB60MDT4
记号
GP3NB60MD
GB3NB60MD
包
TO-220
D
2
PAK
包装
管
磁带&卷轴
2003年6月
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STGP3NB60MD - STGB3NB60MD
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
±20
6
3
24
68
0.55
- 55 150
150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
1.8
62.5
° C / W
° C / W
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
BR （CES）上
I
CES
I
GES
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
测试条件
I
C
= 250 μA ，V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
分钟。
600
50
100
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 3 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 3 A， TJ = 125°C
分钟。
3
1.5
1.2
典型值。
马克斯。
5
1.9
单位
V
V
V
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STGP3NB60MD - STGB3NB60MD
电气特性
（续）
动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
闭锁电流
测试条件
V
CE
= 15 V ， IC = 3] A
V
CE
= 25V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
典型值。
5
240
33
6
15
2.2
8
20
20
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
A
V
CE
= 480V ，我
C
= 3 A,
V
GE
= 15V
V
钳
= 480V ，R
G
=10
TJ = 125°C
测试条件
V
CC
= 480 V，I
C
= 3A ，R
G
= 10
V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V，I
C
= 3A ，R
G
= 10
V
GE
= 15 V ， TJ = 125°C
分钟。
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
宙
参数
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
典型值。
10
4
570
30
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
J
关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
V
cc
= 480 V，I
C
= 3 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
测试条件
V
cc
= 480 V，I
C
= 3 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
330
85
120
240
175
205
810
270
344
515
458
488
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
集电极 - 发射极二极管
符号
I
f
I
fm
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电流
正向电流脉冲
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
f
= 1.5 A
I
f
= 1.5 A， TJ = 125°C
I
f
= 3 A，V
R
= 35 V,
TJ = 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
1.4
1.1
45
70
2.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
24
1.9
单位
A
A
V
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的最大值。结温。
（ ** ）的损失也包括尾（JEDEC标准）
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STGP3NB60MD - STGB3NB60MD
输出特性
传输特性
跨
归集电极发射极电压上VS温度。
集电极 - 发射极电压上VS集电极电流集电极 - 发射极电压上与温度
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STGP3NB60MD - STGB3NB60MD
栅极阈值与温度
归一化的击穿电压与温度
电容变化
栅极电荷VS栅极 - 发射极电压
开关损耗总VS栅极电阻
开关损耗总与温度
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