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最终数据
SPI07N60S5
SPP07N60S5 , SPB07N60S5
酷MOS 功率晶体管
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
优化电容
提高抗干扰
P-TO262
产品概述
V
DS
@
T
JMAX
R
DS ( ON)
I
D
P-TO263-3-2
650
0.6
7.3
V
A
P-TO220-3-1
TYPE
SPP07N60S5
SPB07N60S5
SPI07N60S5
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262
订购代码
Q67040-S4172
Q67040-S4185
Q67040-S4328
记号
07N60S5
07N60S5
07N60S5
G,1
D,2
S,3
最大额定值,
at
T
C = 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
7.3
4.6
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
1)
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
1
14.6
230
0.5
7.3
6
±20
83
-55... +150
A
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量,单脉冲
I
D
= 5.5 A,
V
DD
= 50 V
雪崩能量(重复的,受
T
JMAX
)
I
D
= 7.3 A ,
V
DD
= 50 V
雪崩电流(重复的,受
T
JMAX
)
反向二极管的dv / dt
I
S
=7.3A,
V
DS
& LT ; V
DSS
,的di / dt = 100A / μs的,
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
2002-07-26
最终数据
SPI07N60S5
SPP07N60S5 , SPB07N60S5
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
热特性
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境
(含铅和通孔封装)
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
2)
R
thJA
-
-
-
35
62
-
R
thJC
R
thJA
-
-
-
-
1.5
62
K / W
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 350 A,
T
j
= 25 °C
零栅极电压漏极电流,
V
DS
=V
DSS
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 4.6 A
R
DS ( ON)
-
0.54
0.6
I
GSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-
-
-
0.5
-
-
1
100
100
nA
3.5
4.5
5.5
A
V
( BR ) DSS
600
-
-
V
1当前被T的限制
JMAX
2设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
2
2002-07-26
最终数据
SPI07N60S5
SPP07N60S5 , SPB07N60S5
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=350V,
I
D
=7.3A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=350V,
I
D
=7.3A
符号
条件
分钟。
典型值。
4
970
370
10
120
40
170
20
马克斯。
-
-
-
-
-
-
255
30
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=4.6A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
V
DD
=350V,
V
GS
=10V,
I
D
=7.3A,
R
G
=12
ns
-
-
-
7.5
16.5
27
-
-
35
nC
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直接
目前,脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=7.3A
V
R
=350V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
I
S
I
SM
T
C
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
1
750
4.9
7.3
14.6
1.2
1275
-
A
V
ns
C
3
2002-07-26
最终数据
功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
100
W
SPP07N60S5
SPI07N60S5
SPP07N60S5 , SPB07N60S5
漏电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数:
V
GS
10 V
8
A
SPP07N60S5
80
6
70
P
合计
I
D
°C
60
50
40
30
5
4
3
2
20
10
0
0
1
20
40
60
80
100
120
160
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
= F(V
DS
)
参数:
D = 0.01 ,T
C
=25°C
10
2
SPP07N60S5
瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
1
K / W
SPP07N60S5
A
10
0
t
P = 27.0μs
I
D
=
V
DS
/
I
10
1
Z
thJC
100 s
10
-1
on
)
D
DS
(
10
-2
D = 0.50
0.20
10
0
1毫秒
R
10
-3
0.10
0.05
10
10毫秒
-4
单脉冲
0.02
0.01
10
-1 0
10
DC
10
1
10
2
V
10
3
10
-5 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
V
DS
4
s
t
p
10
0
2002-07-26
最终数据
典型值。输出特性
I
D
= F(V
DS
)
参数:
V
GS
,
T
j
= 25 °C
24
SPI07N60S5
SPP07N60S5 , SPB07N60S5
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
=
f
(T
j
)
参数:
I
D
= 4.6 A,
V
GS
= 10 V
3.4
SPP07N60S5
A
20V
2.8
R
DS ( ON)
12V
2.4
I
D
16
10V
2
1.6
12
9V
8
8V
1.2
98%
典型值
7V
6V
0.8
0.4
4
0
0
5
10
15
V
V
DS
25
0
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
典型值。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS ( ON)最大值
24
典型值。电容
C
=
f
(V
DS
)
参数:
V
GS
=0 V,
f=1
兆赫
10
4
pF
A
C
国际空间站
10
16
3
I
D
C
12
10
2
C
OSS
8
10
1
C
RSS
4
0
0
4
8
12
V
GS
V
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
100
V
DS
5
2002-07-26
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SPI07N60S5_02
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