S T U / D5025NLS
S amHop微电子 ORP 。
12月30日
,
2005
NC hannel逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
25V
F ê乌尔（E S）
( m
W
)
I
D
50A
R
DS （ ON）
最大
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
8 @ V
的s
= 10V
12 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E IE S
TO- 252AA （D -P AK ）
的TD性S E IE S
的TO- 251 （1- P AK）的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS （ TA = 25 C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许目标电压r阿婷
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
-P ulsed
a
S ymbol
Vspike
c
V
DS
V
GS
@ T
C
=25 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
25
20
50
200
20
50
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
工作和S torage温度法兰
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到C的酶
热 esistance ，结到环境
1
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
S T U / D5025NLS
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
b
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A
最小值典型值
C
最大单位
25
1
V
uA
100 nA的
1
1.7
6.5
9
50
22
1150
340
185
0.33
22
27
42
20
29
13
3.5
8
3
8
12
V
兆欧
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
a
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
栅极电阻
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
b
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1.0MH
Z
V
DD
= 15V
I
D
= 1 A
V
GS
= 10V
R
GE
= 6欧姆
V
DS
= 15V ，我
D
=20A,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ，我
D
=20A,V
GS
=4.5V
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 15V ，我
D
= 20A
V
GS
=10V
2
S T U / D5025NLS
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 10A
最小典型最大单位
0.85
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
笔记
a.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
c.Guaranteed当外部R G = 6欧姆和TF < TF最大
60
V
的s
=4V
48
V
的s
=4.5V
20
25 C
15
T J = 125℃
10
-55 C
I
D
，排水光凭目前 （A ）
36
V
的s
=10V
V
的s
=3.5V
24
12
0
I
D
，排水光凭目前 （A ）
V
的s
=8V
5
V
的s
=3V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
12
1.5
F igure 2.跨FER haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
10
V
的s
=4.5V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.0
V
的s
=10V
I
D
=20A
R
DS （ ON）
(m
W
)
8
6
4
2
0
V
的s
=10V
V
的s
=4.5V
I
D
=10A
1
12
24
36
48
60
0
25
50
75
100
125
150
T J （ C）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前
和G吃了V oltage
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S T U / D5025NLS
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
6
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
42
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=20A
是，S环境允许的漏电流（ A）
35
10.0
75 C
25 C
R
DS （ ON）
(m
W
)
28
21
75 C
14
7
25 C
0
0
2
4
6
8
10
125 C
125 C
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
的s
，G ate- S环境允许的电压（V ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
4
S T U / D5025NLS
1800
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
10
8
6
4
2
0
V
DS
=15V
I
D
=20A
1500
C，C apacitance （PF ）
C为S
1200
900
600
300
RS s
0
0
5
10
15
20
25
30
OS s
6
0
5
10
15
20
25
30
35 40
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
F igure 9 apacitance
F igure 10摹吃哈耶
220
S魔力牛逼IME （ NS ）
Tf
600
100
N)
(O
S
I
D
，排水光凭目前 （A ）
100
60
10
吨D（关闭）
Tr
吨D（上）
升IM
10
DC
10
1m
ms
it
s
0m
10
R
D
s
1s
1
1
V DS = 15V ， ID = 1A
V G S = 10V
1
0.5
0.1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
6 10
60 100 300 600
1
10
30
60
R G ，G吃 ES是tance （
W
)
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 11.s魔力characteris抽动
F igure 12和最大S AFE
操作摄像区
5
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