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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1297页 > SPB70N10L
初步数据
SPI70N10L
SPP70N10L,SPB70N10L
特征
SIPMOS
=
功率晶体管
N沟道
增强型
逻辑电平
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
100
16
70
P-TO220-3-1
V
A
TYPE
SPP70N10L
SPB70N10L
SPI70N10L
包
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
订购代码
Q67040-S4175
Q67040-S4170
Q67060-S7428
记号
70N10L
70N10L
70N10L
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
70
50
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
第1页
280
700
25
6
±20
250
-55... +175
55/175/56
2001-08-24
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=70A,
V
DS
=0V,
di/dt=200A/s
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I
D
=70 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25







m
初步数据
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
SPI70N10L
SPP70N10L,SPB70N10L
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.6
62.5
62
40
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=2mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
100
1.2
值
典型值。
-
1.6
马克斯。
-
2
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= 2毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=150°C
A
0.1
-
10
14
10
1
100
100
25
16
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=4.5V,
I
D
=50A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=50A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2001-08-24

漏源导通电阻
初步数据
SPI70N10L
SPP70N10L,SPB70N10L
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
I
D
=50A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
65
3630
640
345
70
250
250
95
马克斯。
-
4540
800
430
105
375
375
145
单位
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=50V,
V
GS
=4.5V,
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=140A
V
R
=50V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=70A
V
DD
=80V,
I
D
=70A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=80V,
I
D
=70A
I
S
I
SM
T
C
=25°C
第3页

I
D
=70A,
R
G
=1.3

跨
g
fs
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
30
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
ns
-
-
-
-
10
34
160
3.22
15
51
240
-
nC
V
-
-
-
-
-
-
-
1.2
100
600
70
280
1.8
150
900
A
V
ns
nC
2001-08-24
初步数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
280
SPP70N10L
SPI70N10L
SPP70N10L,SPB70N10L
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
10 V
75
SPP70N10L
W
A
240
220
200
60
55
P
合计
I
D
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
SPP70N10L
4瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
K / W
10
1
SPP70N10L
A
t
P = 18.0μs
10
0
10
2
Z
thJC
10
-1
I
D
100 s
/
I
D
=
V
10
-2
DS
10
1
DS
（上
)
1毫秒
10
-3
R
10毫秒
10
-4
单脉冲
DC
10
0 -1
10
10
-5 -7
10
10
0
10
1
10
2
V
10
3
10
-6
V
DS
第4页

T
C
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
2001-08-24
初步数据
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
170
SPP70N10L
SPI70N10L
SPP70N10L,SPB70N10L
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
80
SPP70N10L
P
合计
= 250W
ki
升汞F
V
GS [ V]
a
b
A
e
b
c
d
140
120
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
10.0
c
d
d
e
f
g
R
DS （ ON）
I
D
100
80
60
40
20
a
h
c
i
j
k
l
b
0
0
1
2
3
4
V
5.5
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
70
A
60
55
50
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
60
S
g
fs
I
D
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
V
GS
第5页

60
50
40
30
20
10
V
GS
[V] =
b
3.0
c
3.5
m
f
摹
I J
K·L
d
4.0
e
f
4.5 5.0
g
5.5
h
i
6.0 6.5
j
7.0
k
l
8.0 10.0
e
0
0
20
40
60
80
100
A
130
I
D

50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
A
55
I
D
2001-08-24
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SSC-MBT712
SFPD-MR-08-35-A
SN74LVC1G32DRYRG4
SS32-E3
SN74ALS845NT
SN54AS20FK
SD840CS
SD101CW-V
SGM2013-1.8
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SMCJ8.0(C)A
SMBJ50AT-01L
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型号
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数量
封装
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操作
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    SPB70N10L
    -
    -
    -
    -
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SPB70N10L
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10800
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