SP6120
低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
非常适合2A至10A，高性能， DC-DC电源转换器
特点
N / C 1
16 BST
■
优化了对单电源， 3V - 5.5V的应用
15 GH
启用2
■
高效率：大于95 ％的可能
14 SWN
ISP 3
SP6120
■
"AnyFET
TM"
技术：可切换无论是
13 GND
ISN 4
PFET或者NFET的高侧开关
16引脚TSSOP
12 PGND
V
FB
5
■
可选择断续或连续导通
11 GL
COMP 6
模式，可在电池或总线应用
10 V
CC
SS 7
■
快速瞬态响应
9 PROG
R
OSC
8
■
16引脚TSSOP封装，体积小
■
精确的1 ％参考整个电压，负载和温度
现在可以在无铅封装
■
精确的10 ％频率
应用
■
精准，轨至轨， 43mV ，过电流检测
■
DSP
■
电阻可编程频率
■
微处理器内核
■
电阻器可编程输出电压
■
I / O &逻辑
■
电容可编程软启动
■
工业控制
■
低静态电流： 950μA ， 10μA的停机
■
分布式电源
■
打嗝过流保护
■
低压电力
描述
的SP6120是一个固定的频率，电压模式，同步PWM控制器设计为工作
从单一5V或3.3V输入电源。 Sipex的独特"AnyFET
TM"
技术使得SP6120
用于解决多种价格/性能权衡。它是从PWM分离
控制器市场由是第一控制器提供的精度，速度，灵活性，保护和
效率在宽范围的操作条件。
典型应用电路
NMOS高边驱动器
PROG = GND
NC
启用
启用
ISP
ISN
V
FB
COMP
RZ
15k
CP
100pF
CZ
4.7nF
C
SS
0.33F
SS
R
OSC
R
OSC
18.7k
MBR0530
3.3V
V
IN
C
IN
330μF ×2
PMOS高边驱动器
PROG = V
CC
NC
CS
39nF
1.9V
1A至8A
V
OUT
3.3V
V
IN
C
IN
330μF ×2
QT1
RS
22.1k
L1
2.5H
CS
39nF
1.9V
1A至8A
V
OUT
BST
GH
SWN
GND
C
BST
1F
QT
BST
GH
SWN
GND
启用
启用
ISP
ISN
V
FB
RS
22.1k
L1
2.5H
SP6120
SP6120
保护地
GL
V
CC
PROG
CV
CC
2.2F
RI
10k
V
IN
QB
DS
C
OUT
470μF ×3
保护地
GL
V
CC
PROG
CV
CC
2.2F
RI
10k
V
IN
QB
DS
C
OUT
470μF ×3
COMP
RZ
15k
CP
100pF
CZ
4.7nF
C
SS
0.33F
SS
R
OSC
R
OSC
18.7k
RF
5.23k
RF
5.23k
QT ， QB = FAIRCHILD FDS6690A
QT1 = FAIRCHILD FDS6375 （ PMOS只）
L1 = PANASONIC ETQP6F2R5SFA
日期： 05年1月21日
DS = STMICROELECTRONICS STPS2L25U
C
IN
=三洋6TPB330M
C
OUT
=三洋4TPB470M
2005 Sipex的公司
SP6120低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
1
绝对最大额定值
这些仅仅是极限参数和功能操作
该设备在这些评级或高于任何其他的
在规范的操作部显示
下面是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下，长时间可能
影响可靠性。
V
CC
.................................................................................... 7V
BST ................................................. ............................ 13.2V
BST- SWN ............................................... .......................... 7V
SWN ................................................. ...................... - 1V至7V
GH ................................................. ......... -0.3V到+ BST 0.3V
GH- SWN ............................................... ........................... 7V
所有其他引脚........................................... -0.3V到V
CC
+0.3V
峰值输出电流为10μs <
GH ， GL ............................................... .............................. 2A
工作温度范围
SP6120C ................................................ 0 ° C至+ 70°C
SP6120E .............................................. -40 ° C至+ 85°C
结温，T
J
.......................................... +125°C
存储温度范围....................... -65 ° C至+ 150°C
功耗
ESD额定值................................................ ............ 2kV的HBM
电气特性
除非另有规定： 3.0V < V
CC
<5.5V ， 3.0V < BST < 13.2 ，R
OSC
= 18.7kΩ ，C
COMP
= 0.1μF ，C
SS
= 0.1μF ， ENABLE = 3V ，
CGH = CGL =为3.3nF ，V
FB
= 1.25V ， ISP = ISN = 1.25V ， SWN = GND地线= = 0V ， -40°C <牛逼
AMB
<85 ° C（注1 ）
参数
静态电流
V
CC
电源电流
V
CC
电源电流（禁用）
BST电源电流
误差放大器器
误差放大器跨导器
COMP灌电流
条件
民
典型值
最大
单位
无开关
启用= 0V
无开关
-
-
-
0.95
5
1
1.8
20
20
mA
A
A
600
V
FB
= 1.35V ， COMP = 0.5V ，无
故障
V
FB
= 1.15V ， COMP = 1.6V
15
35
65
S
A
A
毫欧
100
nA
COMP源电流
COMP输出阻抗
V
FB
输入偏置电流
参考
误差放大器参考
15
35
3
65
-
60
镶着误差放大器的统一
收益
1.238
1.250
1.262
V
V
FB
3 ％比较低
V
FB
3％的比较高
振荡器&延迟路径
振荡器频率
振荡器频率＃ 2
占空比
R
OSC
= 10.2kOhm
在闭环控制-100 ％ DC
可能
仅供参考 - 与移动
振荡器调整
V
CC
> 4.5V ，斜坡上升COMP
电压> 0.6V至GH开始
开关
270
450
|-3|
3
VREF ％
VREF ％
300
500
95
330
550
千赫
千赫
%
R
OSC
电压
GH最小脉冲宽度
0.65
V
120
ns
日期： 05年1月21日
SP6120低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
2005 Sipex的公司
2
电气特性
除非另有规定： 3.0V < V
CC
<5.5V ， 3.0V < BST < 13.2 ，R
OSC
= 18.7kΩ ，C
COMP
= 0.1μF ，C
SS
= 0.1μF ， ENABLE = 3V ，
CGH = CGL =为3.3nF ，V
FB
= 1.25V ， ISP = ISN = 1.25V ， SWN = GND地线= = 0V ， -40°C <牛逼
AMB
<85 ° C（注1 ）
参数
软启动
SS充电电流
SS放电电流
COMP放电电流
COMP钳位电压
SS确定阈值
SS故障复位
SS钳位电压
条件
民
典型值
最大
单位
V
SS
= 1.5V
V
SS
= 1.5V
V
COMP
= 0.5V ，启动故障
V
FB
< 1.0V ，V
SS
= 2.5V
25
2
200
2.1
1.8
0.2
2.1
50
5
500
2.4
2.0
0.25
2.4
70
7
-
2.8
2.2
0.3
2.8
A
A
A
V
V
V
V
过电流&零电流比较
过流比较器的阈值
电压
ISN ， ISP输入偏置电流
零电流比较器的阈值
启用/ UVLO
V
CC
启动阈值
V
CC
停止阈值
V
CC
迟滞
启用阈值
使能引脚源电流
栅极驱动器
GH上升时间
GH下降时间
GL上升时间
GL下降时间
生长激素给GL非重叠时间
GL对GH的非重叠时间
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
-
-
-
-
40
40
40
40
60
60
110
110
110
110
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0.65
0.6
2.75
2.65
2.85
2.75
100
1.1
4
1.45
9
2.95
2.9
V
V
mV
V
A
VISP - VISN
轨至轨共模输入
32
-
43
60
2
54
250
mV
nA
mV
注1 ：
规格为-40 ° C的设计，鉴定和相关的统计过程控制得以保证。
日期： 05年1月21日
SP6120低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
2005 Sipex的公司
3
引脚说明
名字
功能
针
数
SP6120
N / C
启用
ISP
ISN
无连接
TTL兼容输入，带内部上拉4uA的。浮动或Venable> 1.5V
将使一部分，维纳布尔< 0.65V禁用一部分。
电流检测正极输入：轨至轨输入用于过流检测，
43mV阈值与为10μs （典型值）响应时间。
电流检测负输入：轨至轨输入过流
检测。
反馈电压引脚：反相误差放大器的输入端，并作为
输出电压反馈点为降压转换器。输出
电压进行检测，并可以通过一个外部电阻分压器来调节。
误差放大器补偿引脚：一个超前滞后网络典型
连接到这个引脚，以补偿反馈回路。该引脚
由SS电压钳位并且被限制在2.8V最大。
软启动编程引脚：来源50μA的启动。一个0.01μF
为1μF电容在这个引脚通常是足够的电容软启动一
电源。此外，打嗝模式时序由此引脚控制
通过5μA放电电流。 SS电压被钳位到2.7V
最大。
频率编程引脚：一个接地电阻是用来方案
频率。典型值 - 18700欧姆， 300kHz的; 10200欧姆，频率500kHz 。
编程引脚：
PROG = GND ; MODE = NFET / CONTINOUS
PROG = 68K
到GND ; MODE = NFET /非连续
PROG = V
CC
; MODE = PFET / CONTINOUS
PROG = 68K
到V
CC
; MODE = PFET /非连续
I.C.电源引脚： ESD保护结构也迷上这个引脚。绕过正常
这个引脚PGND与低ESL / ESR的陶瓷电容。
同步FET驱动器： 1nF的/ 20ns的典型的驱动能力。
电源接地引脚：用于功率级。直接连接到GND时
I.C.上的标签以获得最佳性能。
接地引脚：主接地端子I.C.
开关节点参考：高边MOSFET驱动器的参考。也可以
连接到GND的低电压应用。
高边MOSFET驱动器：可以是NFET和PFET根据计划
模式。 1nF的/ 20ns的典型的驱动能力。最大额定电压
参考SWN 。
高边驱动器电源引脚。
1
2
3
4
V
FB
5
COMP
6
SS
7
R
OSC
8
PROG
9
V
CC
GL
保护地
摹ND
SWN
10
11
12
13
14
GH
BST
15
16
日期： 05年1月21日
SP6120低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
2005 Sipex的公司
4
框图
SS
2V
+
-
V
FB
3 ％的低ENABLE
V
FB
3%
+ -
-
+
-
+
RESET
优势
窗口
比较
逻辑
ON 100 ％
连续/
不连续
NFET / PFET
OFF 100 ％
节目
逻辑
9 PROG
启用2
参考
1.25V
3%
- +
V
FB
GND 13
SS
V
FB
5
16 BST
GM
误差放大器器
+
-
-
+
PWM锁存器
R
Q
S
QPWM
司机
逻辑
15 GH
同步
司机
14 SWN
11 GL
COMP 6
V
CC
10
0.65V
12 PGND
8 R
OSC
I
收费
-
2.85 V
ON
2.75 V
关闭
ISP 3
ISN 4
UVLO
1V RAMP
F（千赫） = 5.7E6 / R
OSC
()
设置主导
故障锁存器
S
+
OVC
+
x 10
+
10s
430mV
Q故障
R
-
软启动
&打嗝逻辑
T
关闭
-
-
+
-
+
过零检测
250mV
7
SS
应用原理
NMOS高边驱动器
PROG = GND
NC
启用
启用
ISP
ISN
V
FB
COMP
RZ
15k
CP
100pF
CZ
4.7nF
C
SS
0.33F
SS
R
OSC
R
OSC
18.7k
MBR0530
C
B
1F
QT
3.3V
V
IN
C
IN
330μF ×2
CS
39nF
1.9V
1A至8A
V
OUT
BST
GH
SWN
GND
C
BST
1F
RS
22.1k
L1
2.5H
SP6120
保护地
GL
V
CC
PROG
CV
CC
2.2F
RI
10k
V
IN
QB
DS
C
OUT
470μF ×3
RF
5.23k
图1.原理图3.3V至1.9V电源
QT ， QB = FAIRCHILD FDS6690A
L1 = PANASONIC ETQP6F2R5SFA
DS = STMICROELECTRONICS STPS2L25U
日期： 05年1月21日
C
IN
=三洋6TPB330M
C
OUT
=三洋4TPB470M
SP6120低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
2005 Sipex的公司
5
SP6120
低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
非常适合2A至10A，高性能， DC-DC电源转换器
特点
N / C 1
16 BST
■
优化了对单电源， 3V - 5.5V的应用
15 GH
启用2
■
高效率：大于95 ％的可能
14 SWN
ISP 3
SP6120
■
"AnyFET
TM"
技术：可切换无论是
13 GND
ISN 4
PFET或者NFET的高侧开关
16引脚TSSOP
12 PGND
V
FB
5
■
可选择断续或连续导通
11 GL
COMP 6
模式，可在电池或总线应用
10 V
CC
SS 7
■
快速瞬态响应
9 PROG
R
OSC
8
■
16引脚TSSOP封装，体积小
■
精确的1 ％参考整个电压，负载和温度
现在可以在无铅封装
■
精确的10 ％频率
应用
■
精准，轨至轨， 43mV ，过电流检测
■
DSP
■
电阻可编程频率
■
微处理器内核
■
电阻器可编程输出电压
■
I / O &逻辑
■
电容可编程软启动
■
工业控制
■
低静态电流： 950μA ， 10μA的停机
■
分布式电源
■
打嗝过流保护
■
低压电力
描述
的SP6120是一个固定的频率，电压模式，同步PWM控制器设计为工作
从单一5V或3.3V输入电源。 Sipex的独特"AnyFET
TM"
技术使得SP6120
用于解决多种价格/性能权衡。它是从PWM分离
控制器市场由是第一控制器提供的精度，速度，灵活性，保护和
效率在宽范围的操作条件。
典型应用电路
NMOS高边驱动器
PROG = GND
NC
启用
启用
ISP
ISN
V
FB
COMP
RZ
15k
CP
100pF
CZ
4.7nF
C
SS
0.33F
SS
R
OSC
R
OSC
18.7k
MBR0530
3.3V
V
IN
C
IN
330μF ×2
PMOS高边驱动器
PROG = V
CC
NC
CS
39nF
1.9V
1A至8A
V
OUT
3.3V
V
IN
C
IN
330μF ×2
QT1
RS
22.1k
L1
2.5H
CS
39nF
1.9V
1A至8A
V
OUT
BST
GH
SWN
GND
C
BST
1F
QT
BST
GH
SWN
GND
启用
启用
ISP
ISN
V
FB
RS
22.1k
L1
2.5H
SP6120
SP6120
保护地
GL
V
CC
PROG
CV
CC
2.2F
RI
10k
V
IN
QB
DS
C
OUT
470μF ×3
保护地
GL
V
CC
PROG
CV
CC
2.2F
RI
10k
V
IN
QB
DS
C
OUT
470μF ×3
COMP
RZ
15k
CP
100pF
CZ
4.7nF
C
SS
0.33F
SS
R
OSC
R
OSC
18.7k
RF
5.23k
RF
5.23k
QT ， QB = FAIRCHILD FDS6690A
QT1 = FAIRCHILD FDS6375 （ PMOS只）
L1 = PANASONIC ETQP6F2R5SFA
日期： 04年5月25日
DS = STMICROELECTRONICS STPS2L25U
C
IN
=三洋6TPB330M
C
OUT
=三洋4TPB470M
2004年的Sipex公司
SP6120低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
1
绝对最大额定值
这些仅仅是极限参数和功能操作
该设备在这些评级或高于任何其他的
在规范的操作部显示
下面是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下，长时间可能
影响可靠性。
V
CC
............................................................................... 7V
BST ................................................. ....................... 13.2V
BST- SWN ............................................... ..................... 7V
SWN ................................................. ................. - 1V至7V
GH ................................................. .... -0.3V到+ BST 0.3V
GH- SWN ............................................... ...................... 7V
所有其他引脚....................................... -0.3V到V
CC
+0.3V
峰值输出电流为10μs <
GH ， GL ............................................... ......................... 2A
工作温度范围
SP6120C ................................................ 0 ° C至+ 70°C
SP6120E .............................................. -40 ° C至+ 85°C
结温，T
J
...................................... +125°C
存储温度范围.................. -65C至+ 150C
功耗
引线温度（焊接10秒） ................... + 300°C
ESD额定值................................................ ........ 2kV的HBM
电气特性
除非另有规定： 3.0V < V
CC
<5.5V ， 3.0V < BST < 13.2 ，R
OSC
= 18.7kΩ ，C
COMP
= 0.1μF ，C
SS
= 0.1μF ， ENABLE = 3V ，
CGH = CGL =为3.3nF ，V
FB
= 1.25V ， ISP = ISN = 1.25V ， SWN = GND地线= = 0V ， -40°C <牛逼
AMB
<85 ° C（注1 ）
参数
静态电流
V
CC
电源电流
V
CC
电源电流（禁用）
BST电源电流
误差放大器器
误差放大器跨导器
COMP灌电流
条件
民
典型值
最大
单位
无开关
启用= 0V
无开关
-
-
-
0.95
5
1
1.8
20
20
mA
A
A
600
V
FB
= 1.35V ， COMP = 0.5V ，无
故障
V
FB
= 1.15V ， COMP = 1.6V
15
35
65
S
A
A
毫欧
100
nA
COMP源电流
COMP输出阻抗
V
FB
输入偏置电流
参考
误差放大器参考
15
35
3
65
-
60
镶着误差放大器的统一
收益
1.238
1.250
1.262
V
V
FB
3 ％比较低
V
FB
3％的比较高
振荡器&延迟路径
振荡器频率
振荡器频率＃ 2
占空比
R
OSC
= 10.2kOhm
在闭环控制-100 ％ DC
可能
仅供参考 - 与移动
振荡器调整
V
CC
> 4.5V ，斜坡上升COMP
电压> 0.6V至GH开始
开关
270
450
|-3|
3
VREF ％
VREF ％
300
500
95
330
550
千赫
千赫
%
R
OSC
电压
GH最小脉冲宽度
0.65
V
120
ns
日期： 04年5月25日
SP6120低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
2004年的Sipex公司
2
电气特性
除非另有规定： 3.0V < V
CC
<5.5V ， 3.0V < BST < 13.2 ，R
OSC
= 18.7kΩ ，C
COMP
= 0.1μF ，C
SS
= 0.1μF ， ENABLE = 3V ，
CGH = CGL =为3.3nF ，V
FB
= 1.25V ， ISP = ISN = 1.25V ， SWN = GND地线= = 0V ， -40°C <牛逼
AMB
<85 ° C（注1 ）
参数
软启动
SS充电电流
SS放电电流
COMP放电电流
COMP钳位电压
SS确定阈值
SS故障复位
SS钳位电压
条件
民
典型值
最大
单位
V
SS
= 1.5V
V
SS
= 1.5V
V
COMP
= 0.5V ，启动故障
V
FB
< 1.0V ，V
SS
= 2.5V
25
2
200
2.1
1.8
0.2
2.1
50
5
500
2.4
2.0
0.25
2.4
70
7
-
2.8
2.2
0.3
2.8
A
A
A
V
V
V
V
过电流&零电流比较
过流比较器的阈值
电压
ISN ， ISP输入偏置电流
零电流比较器的阈值
启用/ UVLO
V
CC
启动阈值
V
CC
停止阈值
V
CC
迟滞
启用阈值
使能引脚源电流
栅极驱动器
GH上升时间
GH下降时间
GL上升时间
GL下降时间
生长激素给GL非重叠时间
GL对GH的非重叠时间
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
V
CC
＆ GT ; 4.5V
-
-
-
-
40
40
40
40
60
60
110
110
110
110
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0.65
0.6
2.75
2.65
2.85
2.75
100
1.1
4
1.45
9
2.95
2.9
V
V
mV
V
A
VISP - VISN
轨至轨共模输入
32
-
43
60
2
54
250
mV
nA
mV
注1 ：
规格为-40 ° C的设计，鉴定和相关的统计过程控制得以保证。
日期： 04年5月25日
SP6120低电压， AnyFET
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，同步，降压控制器
2004年的Sipex公司
3
引脚说明
名字
功能
针
数
SP6120
N / C
启用
ISP
ISN
无连接
TTL兼容输入，带内部上拉4uA的。浮动或Venable> 1.5V
将使一部分，维纳布尔< 0.65V禁用一部分。
电流检测正极输入：轨至轨输入用于过流检测，
43mV阈值与为10μs （典型值）响应时间。
电流检测负输入：轨至轨输入过流
检测。
反馈电压引脚：反相误差放大器的输入端，并作为
输出电压反馈点为降压转换器。输出
电压进行检测，并可以通过一个外部电阻分压器来调节。
误差放大器补偿引脚：一个超前滞后网络典型
连接到这个引脚，以补偿反馈回路。该引脚
由SS电压钳位并且被限制在2.8V最大。
软启动编程引脚：来源50μA的启动。一个0.01μF
为1μF电容在这个引脚通常是足够的电容软启动一
电源。此外，打嗝模式时序由此引脚控制
通过5μA放电电流。 SS电压被钳位到2.7V
最大。
频率编程引脚：一个接地电阻是用来方案
频率。典型值 - 18700欧姆， 300kHz的; 10200欧姆，频率500kHz 。
编程引脚：
PROG = GND ; MODE = NFET / CONTINOUS
PROG = 68K
到GND ; MODE = NFET /非连续
PROG = V
CC
; MODE = PFET / CONTINOUS
PROG = 68K
到V
CC
; MODE = PFET /非连续
I.C.电源引脚： ESD保护结构也迷上这个引脚。绕过正常
这个引脚PGND与低ESL / ESR的陶瓷电容。
同步FET驱动器： 1nF的/ 20ns的典型的驱动能力。
电源接地引脚：用于功率级。直接连接到GND时
I.C.上的标签以获得最佳性能。
接地引脚：主接地端子I.C.
开关节点参考：高边MOSFET驱动器的参考。也可以
连接到GND的低电压应用。
高边MOSFET驱动器：可以是NFET和PFET根据计划
模式。 1nF的/ 20ns的典型的驱动能力。最大额定电压
参考SWN 。
高边驱动器电源引脚。
1
2
3
4
V
FB
5
COMP
6
SS
7
R
OSC
8
PROG
9
V
CC
GL
保护地
摹ND
SWN
10
11
12
13
14
GH
BST
15
16
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4
框图
SS
2V
+
-
V
FB
3 ％的低ENABLE
V
FB
3%
+ -
-
+
-
+
RESET
优势
窗口
比较
逻辑
ON 100 ％
连续/
不连续
NFET / PFET
OFF 100 ％
节目
逻辑
9 PROG
启用2
参考
1.25V
3%
- +
V
FB
GND 13
SS
V
FB
5
16 BST
GM
误差放大器器
+
-
-
+
PWM锁存器
R
Q
S
QPWM
司机
逻辑
15 GH
同步
司机
14 SWN
11 GL
COMP 6
V
CC
10
0.65V
12 PGND
8 R
OSC
I
收费
-
2.85 V
ON
2.75 V
关闭
ISP 3
ISN 4
UVLO
1V RAMP
F（千赫） = 5.7E6 / R
OSC
()
设置主导
故障锁存器
S
+
OVC
+
x 10
+
10s
430mV
Q故障
R
-
软启动
&打嗝逻辑
T
关闭
-
-
+
-
+
过零检测
250mV
7
SS
应用原理
NMOS高边驱动器
PROG = GND
NC
启用
启用
ISP
ISN
V
FB
COMP
RZ
15k
CP
100pF
CZ
4.7nF
C
SS
0.33F
SS
R
OSC
R
OSC
18.7k
MBR0530
C
B
1F
QT
3.3V
V
IN
C
IN
330μF ×2
CS
39nF
1.9V
1A至8A
V
OUT
BST
GH
SWN
GND
C
BST
1F
RS
22.1k
L1
2.5H
SP6120
保护地
GL
V
CC
PROG
CV
CC
2.2F
RI
10k
V
IN
QB
DS
C
OUT
470μF ×3
RF
5.23k
图1.原理图3.3V至1.9V电源
QT ， QB = FAIRCHILD FDS6690A
L1 = PANASONIC ETQP6F2R5SFA
DS = STMICROELECTRONICS STPS2L25U
日期： 04年5月25日
C
IN
=三洋6TPB330M
C
OUT
=三洋4TPB470M
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