N沟道60V - 0.020
- 40A DPAK
齐纳保护的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STD40NF06LZ
s
s
s
s
s
STD40NF06LZ
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
< 25毫欧
I
D
40 A
s
典型
DS
(上) = 0.020Ω
100%的雪崩测试
低栅电荷
逻辑电平栅极驱动器
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
内置齐纳二极管,以提高ESD
保护达2kV的
3
1
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
单端开关电源中的MONITOTS ,
计算机以及工控
应用
s
焊接设备
s
汽车
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
V
ESD (G -S )
dv / dt的
(1)
E
AS(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD( HBM -C = 100pF电容, R = 15kΩ的)
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
内部原理图
价值
60
60
±
16
40
28
160
100
0.67
±
2.5
9
450
-55至175
(1)
I
SD
≤40A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX
.
(2)
起始物为
j
= 25
o
C I
D
= 20A V
DD
= 45V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
kV
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度限制了安全工作区主编。
2002年10月
.
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