STB50NE10
N沟道100V - 0.021Ω - 50A - D
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB50NE10
■
■
■
■
V
DSS
100V
R
DS （ ON）
<0.027
I
D
50A
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低栅电荷，在100℃
面向应用的表征
3
1
D
2
PAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB50NE10T4
记号
B50NE10
包
D
2
PAK
包装
磁带&卷轴
2006年6月
第5版
1/13
www.st.com
13
目录
STB50NE10
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
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电气特性
STB50NE10
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
2
3
0.021
分钟。
100
1
10
±100
4
0.027
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=V
DS
＆ GT ;我
D（上）
xR
DS （ ON）
最大，
I
D
= 20A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
20
典型值。
35
4350
500
175
25
100
45
35
123
24
47
166
6000
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 50V ，我
D
= 25A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图12）
V
DD
= 80V ，我
D
= 50A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
（见
图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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STB50NE10
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 50A ，V
GS
= 0
155
815
10.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
200
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 50A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 30V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图14）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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