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STB85NF55
STP85NF55
N沟道55V - 0.0062
- 80A
2
PAK/TO-220
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB85NF55
STP85NF55
s
s
V
DSS
55 V
55 V
R
DS （ ON）
<0.008
<0.008
I
D
80 A
80 A
典型
DS
（上） = 0.0062
通孔版联系
销售办事处
3
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC- DC转换器
s
汽车环境
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
TO-220
1
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(
)
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS
(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
55
55
±
20
80
80
320
300
2.0
10
980
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
(
）按封装电流限制
()
脉冲宽度有限的安全工作区
(1)
I
SD
≤80A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
.
(2)
起始物为
j
= 25
o
C I
D
= 40A V
DD
= 25V
2002年3月
1/10
STB85NF55/STP85NF55
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25
°C
除非另有规定编）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
=
±
20V
分钟。
55
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250
A
I
D
=40 A
分钟。
2
典型值。
3
0.0062
马克斯。
4
0.008
单位
V
动态
符号
g
fs
(*)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
=
15V
I
D
= 40 A
分钟。
典型值。
120
3700
900
310
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V F = 1MHz的V
GS
= 0
2/10
STB85NF55/STP85NF55
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 30 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图3 ）
V
DD=
30V我
D
= 80A V
GS
=10V
（见测试电路，图4 ）
分钟。
典型值。
25
100
马克斯。
单位
ns
ns
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
120
30
45
150
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 30 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7,
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
70
35
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
(*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A
V
GS
= 0
75
210
5.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 80 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 25 V
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/10
STB85NF55/STP85NF55
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/10
STB85NF55/STP85NF55
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度的关系。
.
.
5/10
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