STD25NE03L
N - CHANNEL 30V - 0.019
- 25A - TO- 251 / TO- 252
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STD25NE03L
s
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS (O N)
& LT ; 0.025
I
D
25 A
典型
DS ( ON)
= 0.019
100%的雪崩测试
低栅电荷
面向应用
表征
3
2
1
1
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
“条形基础的过程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻,崎岖雪崩特征
并不太重要,因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制,音频放大器
s
DC-DC & DC - AC IN HIGH转换器
VRM的性能
s
汽车环境(注射,
ABS , AIR- BG , LAMPDRIVERS ,等等)
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
ST克
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额F演员
存储牛逼emperature
马克斯。工作结温
o
价值
30
30
±
20
20**
18**
100
45
0.3
-65 175
175
( ** )值的包只限于
单位
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1999年3月
1/9