SR05
保护产品
应用信息
（续）
对于负面事件，底部的二极管会偏
当电压超过V
F
的二极管。起初
近似中，钳位电压是由于字符
保护二极管的开创性意义由下式给出：
V
C
= V
CC
+ V
F
（正脉冲的持续时间）
引脚说明
（负脉冲的持续时间）
V
C
= -V
F
然而，对于快速上升时间的瞬态事件，则
寄生电感的影响，还必须consid-
ERED如示于图2。因此，在实际
钳位电压看到的保护电路将是：
V
C
= V
CC
+ V
F
+ L
P
di
ESD
/ DT （正脉冲的持续时间）
V
C
= -V
F
- L
G
di
ESD
/ DT
（负脉冲的持续时间）
ESD电流达到30A的在1ns的峰值幅度
每IEC 1000-4-2 4级ESD接触放电。
因此，在电压过冲是由于一系列1nH的
电感为：
V = L
P
di
ESD
/ DT = 1×10
-9
(30 / 1X10
-9
) = 30V
例如：
考虑一个V
CC
= 5V ，典型的V
F
30V （在30A ）对的
转向二极管和10nH到一系列的走线电感。
所述钳位电压为一看到受保护的集成电路
正8kV的（30A）的ESD脉冲将是：
V
C
= 5V， + 30V + （ 10nH到X 30V / NH） = 335V
这并不考虑到ESD电流是
引导到供电轨，具有潜在危害的任何
连接到该导轨的组件。另外请注意
这并不罕见对于V
F
分立二极管的
超过保护IC的损坏阈值。这
是由于典型的比较小的接合面积
分立元件。另外，也可以使
分立二极管的功率耗散能力将
被超过，从而破坏设备。
该RailClamp旨在克服固有
采用了ESD离散信号二极管的缺点
抑制。该RailClamp的集成TVS二极管
有助于降低寄生电感的影响
图2 - 寄生电感的影响
用分立元件何时实现
轨到轨镨吨挠度
铁路-T
亲
“铁-T
亲
拓扑
图1 - “轨到轨”公关OT拓扑结构挠度
（第一近似值）
铁路-T
亲
图3 - 轨至轨镨吨挠度使用
RailClamp
阵列
RailClam P T·V·S阿拉YS
2000升特公司
5
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