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STP80NF55L-08
STB80NF55L-08
N沟道55V - 0.0065Ω - 80A - TO- 220 / D
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
初步数据
TYPE
STP80NF55L-08
STB80NF55L-08
s
s
s
V
DSS
55 V
55 V
R
DS （ ON）
0.008
0.008
I
D
80 A
80 A
典型
DS
（上） = 0.0065Ω
低阈值DRIVE
逻辑电平器件
1
3
3
2
1
TO-220
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
”
条形基础的过程。由此产生的转录
体管显示了极高的堆积密度
低导通电阻，坚固的雪崩characteris-
抽动和不太重要的调整措施，因此一重
可标记制造重复性。
D
2
PAK
内部原理图
应用
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC- DC转换器
s
汽车环境
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(1)
I
D
(1)
I
DM
( )
P
合计
的dV / dt （2）
E
AS
(3)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
55
55
± 16
80
80
320
300
2
15
870
-55至175
175
（ 1 ）按封装电流限制
(2) I
SD
≤80A,
的di / dt
≤500A/s,
V
DD
= 40V牛逼
j
≤
T
JMAX 。
（ 3 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
=40V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2003年4月
1/8
STP80NF55L-08
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 16V
分钟。
55
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 40 A
分钟。
1
典型值。
1.6
0.0065
0.008
马克斯。
2.5
0.008
0.01
单位
V
动态
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
=15V
,
I
D
=40 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
150
4350
800
260
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STP80NF55L-08
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 27.5 V，I
D
= 80A,
V
GS
= 4.5V
分钟。
典型值。
35
145
75
20
30
100
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
85
65
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
85
280
6.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/8
STP80NF55L-08
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/8
STP80NF55L-08
TO- 220机械数据
mm.
分钟。
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
4.95
1.23
6.20
2.40
13
3.50
16.40
28.90
3.75
2.65
3.85
2.95
0.147
0.104
典型值
马克斯。
4.60
0.88
1.70
0.70
15.75
10.40
2.70
5.15
1.32
6.60
2.72
14
3.93
分钟。
0.173
0.024
0.045
0.019
0.60
0.393
0.094
0.194
0.048
0.244
0.094
0.511
0.137
0.645
1.137
0.151
0.116
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.034
0.066
0.027
0.620
0.409
0.106
0.202
0.052
0.256
0.107
0.551
0.154
DIM 。
A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
5/8
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