Si2325DS
Vishay Siliconix公司
P沟道150 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 150
R
DS （ ON）
(Ω)
1.2在V
GS
= - 10 V
1.3在V
GS
= - 6.0 V
I
D
(A)
- 0.69
- 0.66
Q
g
（典型值）。
7.7
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
TrenchFET
功率MOSFET
超低导通电阻
·小尺寸
应用
在DC / DC电源有源钳位电路
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
S
2
D
顶视图
Si2325DS （D5） *
*标识代码
订货信息：
Si2325DS -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si2325DS -T1 - GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
L = 1.0 mH的
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
1.25
0.8
- 55 150
- 1.0
4.5
1.01
0.75
0.48
mJ
W
°C
- 0.69
- 0.55
- 1.6
- 0.6
5s
稳定状态
- 150
± 20
- 0.53
- 0.43
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
75
120
40
最大
100
166
50
° C / W
单位
文档编号： 73238
S09-0133 -REV 。 B， 02 - 09
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1
Si2325DS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
体二极管反向恢复电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
rr
V
DD
= - 75 V ，R
L
= 75
Ω
I
D
- 1.0 A，V
根
= - 10 V
R
g
= 6
Ω
I
F
= 0.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的
7
11
16
11
90
11
17
25
17
135
nC
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= - 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= - 75 V, V
GS
= 10 V,
I
D
- 0.5 A
F = 1.0 MHz的
7.7
1.5
2.5
9
340
30
16
510
pF
Ω
12
nC
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 150 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 150 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≤
- 15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
=
- 10 V，I
D
= - 0.5 A
V
GS
= - 6.0 V，I
D
= - 0.5 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 0.5 A
I
S
= - 1.0 A，V
GS
= 0 V
- 1.6
1.0
1.05
2.2
0.7
- 1.2
1.2
1.3
- 150
- 2.5
- 4.5
± 100
-1
- 10
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试： PW
≤
300占空比
≤
2 %.
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 73238
S09-0133 -REV 。 B， 02 - 09
Si2325DS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.6
1.4
1.2
I
D
- 漏电流（ A）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
2
4
6
8
4V
3V
10
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10直通5 V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
T
C
= 125 °C
25 °C
- 55 °C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
2.00
1.75
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
400
1.50
- 电容（pF ）
500
传输特性
C
国际空间站
300
1.25
1.00
0.75
0.50
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
200
100
0.25
0.00
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
C
OSS
C
RSS
0
30
60
90
120
150
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 75 V
I
D
= 0.5 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
2.0
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.5 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
（归一化）
1.5
4
1.0
2
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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Si2325DS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
3
3.0
I
D
= 0.5 A
2.5
T
J
= 150 °C
I
S
- 源电流（ A）
1
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
2.0
1.5
1.0
T
J
= 25 °C
0.5
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.3
12
导通电阻与栅极至源极电压
1.0
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250 A
0.7
功率（W）的
10
8
0.4
6
0.1
4
T
A
= 25 °C
- 0.2
2
- 0.5
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
10
I
DM
有限
限于由R
DS （ ON） *
1
I
D
- 漏电流（ A）
10
s
100
s
单脉冲功率
1毫秒
0.1
I
D（上）
有限
T
A
= 25 °C
单脉冲
10毫秒
100毫秒
10 s, 1 s
100秒， DC
BVDSS有限公司
0.001
0.1
1
10
100
1000
0.01
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
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文档编号： 73238
S09-0133 -REV 。 B， 02 - 09
Si2325DS
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 120 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?73238 。
文档编号： 73238
S09-0133 -REV 。 B， 02 - 09
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