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S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
PSRAM 128兆位( 8M ×16位) CMOS 3.0伏只
同时操作,页面模式闪存
64/32/16兆位( 4M / 2M / 1M ×16位)伪静态RAM
ADVANCE
信息
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
- 65ns ( 65ns闪存, PSRAM为70ns )
- 8 X 11.6 X 1.2毫米64球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C (无线)
= -40 ° C至+ 85 ° C(工业级)
双CE#闪存
概述
该S71PL129J系列是堆叠多芯片产品的生产线(MCP)封装
年龄段和由以下组成:
一S29PL129J闪存存储器芯片
一个16M ,32M, 64M或PSRAM
包括在本文档中的产品列于下表中。有关详细信息
他们的规格,请参阅单独的数据表组成的
进一步的细节。
闪存密度
128Mb
64Mb
PSRAM
密度
32Mb
16Mb
S71PL129JC0
S71PL129JB0
S71PL129JA0
公开号
S71PL129Jxx_00
调整
A
修订
5
发行日期
2004年12月23日
本文件包含有关正在开发的产品在Spansion公司,有限责任公司的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。请不要在设计
该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
产品选择指南
128兆闪存
设备型号#
S71PL129JA0-9P
S71PL129JB0-9Z
S71PL129JB0-9B
S71PL129JB0-9U
S71PL129JC0-9Z
S71PL129JC0-9U
PSRAM的密度
16M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
64M PSRAM
64M PSRAM
闪存存取时间(纳秒) ( P) SRAM的访问时间(纳秒) PSRAM类型
65
65
65
65
65
65
70
70
70
70
70
70
7类
7类
TYPE 2
6类
7类
6类
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
2
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
2004年S71PL129Jxx_00_A5_E 12月23日,
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
MCP特点........................................................................................................ 1
写保护( WP # ) ............................................ ........................................... 36
持久保护位锁定.............................................. ..................... 37
高压扇区保护.............................................. ....................... 37
图1.在系统扇区保护/ unprotection的部门
算法................................................. ....................... 38
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.2
128兆闪存.............................................. ............................................ 2
临时机构撤消............................................... ......................... 39
图2.临时机构撤消操作................... 39
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7
输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
引脚说明......................................................................................................8
逻辑符号...........................................................................................................8
安全硅扇区闪存地区........................................... 39
工厂锁定的区域( 64个字) .......................................... .................... 40
客户可锁定区域( 64个字) .......................................... ............ 40
安全硅扇区保护位............................................. ....... 40
图3.安全硅部门保护验证...................... 41
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
TLA064-64球细间距球栅阵列( FBGA )
8× 11.6毫米包装............................................. ............................................... 11
硬件数据保护............................................... ............................... 41
低VCC写禁止.............................................. ................................... 41
写脉冲“毛刺”保护............................................ .................... 41
逻辑禁止....................................................................................................41
上电写禁止............................................. ................................... 41
S29PL129J的MCP
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
零延迟...................... 14同步读/写操作
页面模式功能............................................... ............................................ 14
标准闪存产品特点.............................................. ..................... 14
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 42
表8. CFI查询标识字符串................................ 42
表9.系统接口字符串......................................... 43
表10.设备几何定义................................... 43
表11.主要供应商特定的扩展查询................ 43
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
读阵列数据............................................... ............................................ 45
复位命令................................................ ................................................. 45
自选命令序列............................................... ..................... 46
进入安全硅行业/退出安全硅扇区命令硒
quence ....................................................................................................................46
Word程序命令序列.............................................. ............. 46
解锁绕道命令序列.............................................. .......... 47
图4.程序运行............................................. .. 48
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
表1. PL129J设备总线操作................................ 19
对于读阵列数据要求............................................. ............ 19
随机读取(非页读) .......................................... ..................... 20
页面模式读取............................................... .............................................. 20
表2页选择............................................. ............. 20
同时读/写操作............................................. ............. 20
写命令/命令序列............................................. .... 21
加快程序运行............................................... ................ 21
自选功能................................................ ..................................... 21
待机模式........................................................................................................21
自动休眠模式............................................... ...................................... 22
RESET # :硬件复位引脚............................................ ............................ 22
输出禁止模式............................................... ........................................ 22
表3. S29PL129J部门架构............................... 23
表4.安全硅扇区地址............................ 29
芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 48
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 49
图5.擦除操作............................................. ...... 50
自选模式................................................ ................................................ 29
表5.自动选择编码PL129J ................................... 30
表6.为保护PL129J引导扇区/扇区块地址/
解除保护................................................. .................... 31
选择一个扇区保护模式............................................. ................. 32
表7.扇区保护计划..................................... 32
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
持久扇区保护............................................... ............................ 32
密码扇区保护............................................... ............................. 32
WP #硬件保护.............................................. ............................... 32
选择一个扇区保护模式............................................. ................. 32
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 50
密码程序命令............................................... ......................... 51
密码验证命令............................................... ............................... 51
密码保护模式锁定位程序命令............... 51
持久扇区保护模式锁定位程序命令52
安全硅扇区保护位程序命令.................. 52
PPB锁定位设置命令............................................. ............................... 52
DYB写命令............................................... ....................................... 52
密码解锁指令............................................... ........................... 52
PPB程序命令............................................... ................................... 53
所有PPB擦除命令.............................................. .................................... 53
DYB写命令............................................... ....................................... 53
PPB锁定位设置命令............................................. ............................... 53
命令............................................................................................................. 54
命令定义表............................................... .......................... 54
表12.内存阵列命令定义...................... 54
表13.扇区保护命令定义.................. 55
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56
DQ7 :数据#投票............................................. ............................................... 56
图6.数据#投票算法........................................ 58
持久扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
持久保护位( PPB ) ............................................ ........................... 33
持久保护位锁定( PPB锁) .......................................... ....... 33
动态保护位( DYB ) ............................................ ........................... 33
持久扇区保护模式锁定位........................................ 35
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .............................................. 58
DQ6 :切换位I ............................................. .................................................. 58
图7.切换位算法............................................ 59
密码保护模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
密码和密码模式锁定位............................................ .... 36
64位密码...................................................................................................36
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................. 60
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 60
DQ5 :超过时序限制............................................. ........................... 60
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .................................... 61
2004年12月23日S71PL129Jxx_00_A5
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
表14.写操作状态......................................... 61
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.62
图8.最大过冲波形............................. 62
写时序......................................................................................................85
图26.写周期# 1 ( WE#控制) (见注8 ) ....... 85
图27.写周期# 2 ( CE #控制) (见注8 ) ....... 86
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63
工业级(I )设备............................................. ............................................. 63
扩展( E)设备............................................. ............................................ 63
电源电压....................................................................................................63
深度掉电时序............................................. ................................. 86
图28.深度掉电时序.................................... 86
上电时序.............................................. .................................................. 86
图29.上电时序........................................... ..... 86
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.64
表15. CMOS兼容............................................. ... 64
地址偏移的规定.............................................. .............................. 87
读....................................................................................................................87
图30.读.............................................. ................... 87
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.65
测试条件...................................................................................................65
图9.测试设置............................................. ............ 65
表16.测试规范............................................. 65 ..
写..................................................................................................................87
图31.写.............................................. .................. 87
开关波形................................................ ........................................ 65
表17.钥匙开关波形................................. 65
图10.输入波形和测量水平............. 66
PSRAM类型1
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89
时序测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 94
输出负载电路............................................... ........................................... 95
图32.输出负载电路............................................ 。 95
VCC变化斜率................................................ .................................................. 66
读操作................................................ ................................................ 66
表18.只读操作.......................................... 66
图11.读操作时序....................................... 67
图12.页读操作时序............................... 67
重置...................................................................................................................... 68
表19.硬件复位( RESET # ) .................................... 68
图13.复位时序............................................. ........ 68
上电顺序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 96
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107
读周期...........................................................................................................107
图33.时序读周期
( CE # = OE # = V
IL
, WE# = ZZ # = V
IH
) .............................. 107
图34.时序读周期的波形
( WE# = ZZ # = V
IH
)......................................................... 108
的页面模式读取周期图35.时序波形
( WE# = ZZ # = V
IH
)......................................................... 109
图36.定时写周期的波形
( WE#控制, ZZ # = V
IH
)................................................ 110
图37.定时写周期的波形
( CE #控制, ZZ # = V
IH
)................................................. 110
的页面模式写周期图38.时序波形
( ZZ # = V
IH
) ................................................................... 111
擦除/编程操作.............................................. ............................... 69
表20.擦除和编程操作.............................. 69
时序图................................................ ................................................. 70
图14.编程操作时序.................................. 70
图15.加速程序时序图.................... 70
图16.芯片/扇区擦除操作时序..................... 71
图17.返回到后端的读/写周期时序................. 72
图18.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................ 72
图19.触发位计时(在嵌入式算法) .. 73
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ........... 73
写周期..........................................................................................................110
保护/取消保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74
表21.临时机构撤消................................. 74
图21.临时机构撤消时序图.......... 74
图22.行业/部门块保护和撤消时序
图................................................. ........................... 75
控制擦除操作............................................... ........................... 76
表22.备用CE #控制擦除和
方案业务................................................ ........... 76
表23.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ............. 77
表24. # CE1 / CE2 #时序......................................... .... 77
图23.时序图交替之间# CE1和CE2 #
控制................................................. ............................ 78
表25.擦除和编程性能.................... 78
部分阵列自刷新(PAR) ........................................... .......................... 111
温度补偿刷新(为64兆) ..................................... 112
深度睡眠模式............................................... ................................................ 112
降低内存大小(对于32M和16M ) ......................................... ......... 112
其他的模式寄存器设置( 64M ) .......................................... .......... 112
BGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 78
图39.模式寄存器............................................. ..... 113
图40.模式寄存器更新时序( UB # , LB # , OE #是
不关心) ............................................. ........................ 113
图41.深度睡眠模式 - 进入/退出时序(对于64M ) ... 114
图42.深度睡眠模式 - 进入/退出时序
(对于32M和16M ) ............................................ ............... 114
PSRAM类型6
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
交流特性和工作条件。 81
AC测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 82
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.83
读时序........................................................................................................83
图24.读周期............................................. ............ 83
图25.页读周期( 8个字访问) ........................ 84
2型PSRAM
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
产品信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
上电顺序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
118
118
118
119
119
上电..............................................................................................................119
图43.上电1 ( CS1 #控制) ........................... 119
图44.上电2 ( CS2控制) .............................. 119
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120
DC推荐工作条件。 。 。 。 120
2004年S71PL129Jxx_00_A5 12月23日,
4
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
DC和工作特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 121
常见............................................................................................................... 121
16M PSRAM ......................................................................................................... 122
32M PSRAM ........................................................................................................ 122
64M PSRAM ........................................................................................................ 123
128M PSRAM ....................................................................................................... 123
掉电参数............................................... ................................ 137
其他时序参数............................................... ................................ 137
AC测试条件............................................... .......................................... 138
AC测量输出负载电路............................................. ...... 138
图53. AC输出负载电路 - 16兆.......................... 138
图54. AC输出负载电路 - 32兆和64兆.......... 138
交流工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 124
测试条件(测试负载和测试输入/输出参考) ....... 124
图45.输出负载............................................. ........ 124
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 139
读时序.......................................................................................................139
图55.读时序# 1 (基本时序) .......................... 139
图56.读时序# 2 ( OE #地址访问................. 139
图57.读时序# 3 ( LB # / UB #字节访问) ............. 140
图58.读时序#后, CE1 # 4 (页面地址访问
为32M和64M控制访问只) ............................... 140
图59.读时序# 5 (随机和页面地址的访问
32M和64M只) ............................................. ............ 141
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 126
读时序...................................................................................................... 126
图46.时序读周期的波形( 1 ) ...................... 126
图47.时序读周期的波形( 2 ) ...................... 126
图48.时序的页面周期波形(页模式) 127
写时序................................................ .................................................. 127 ..
图49.写周期# 1 ( WE#控制) ........................
( CS1 #控制)图50.写周期# 2 .......................
图51.定时写周期的波形( 3 )
( CS2控制) .............................................. ................
图52.定时写周期的波形( 4 ) ( UB # , LB #
控制) ................................................ ......................
127
128
128
129
写时序......................................................................................................141
图60.写时序# 1 (基本时序) ..........................
图61.写时序# 2 ( WE#控制) ..........................
图62.写时序# 3-1
( WE# / # LB / UB #字节写入控制) .................................
图63.写时序# 3-3
( WE# / # LB / UB #字节写入控制) .................................
图64.写时序# 3-4
( WE# / # LB / UB #字节写入控制) .................................
图65.读/写时序#1-1 ( CE1 #控制) .............
图66.读/写时序#1-2
( CE1 # / WE# / OE #控制) ....................................... .........
图67.读/写时序# 2 ( OE # , WE#控制) .......
图68.读/写时序# 3
( OE # , WE# , LB # , UB #控制) .................................... ....
图69.上电时序# 1 .........................................
图70.上电时序# 2 .........................................
图71.掉电进入和退出时机.....................
后读或写图72.待机进入时机............
图73.掉电时序方案(对于32M / 64M只) 。
141
142
142
143
143
144
144
145
145
146
146
146
147
147
PSRAM类型7
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 131
掉电(对于32M , 64M只) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 131
掉电....................................................................................................... 131
掉电程序序列.............................................. ................... 132
地址键....................................................................................................... 132
读/写时序.............................................. ............................................ 144
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 133
封装电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 133
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 134
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135
读操作..................................................................................................135
写操作................................................ ............................................... 136
修订概要
2004年12月23日S71PL129Jxx_00_A5
5
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
PSRAM 128兆位( 8M ×16位) CMOS 3.0伏只
同时操作,页面模式闪存
64/32/16兆位( 4M / 2M / 1M ×16位)伪静态RAM
数据表
ADVANCE
信息
请注意,以读者:
进展情况的信息表明,该
文档包含正在开发一个或多个产品信息
在Spansion公司。该信息旨在帮助您评估该产品。
本产品无需联系厂家不要设计。 Spansion公司
保留对本建议的产品修改权利或停止工作
恕不另行通知。
公开号
S71PL129Jxx_00
调整
A
修订
8
发行日期
2005年10月28日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范,在 -
cluding开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮
点燃他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性
cific产品,但并没有承诺任何设计到生产。在doc-提供的信息
输稿带,该名称是可能发生变化,并且在某些情况下,开发产品上
可能会中止。因此, Spansion公司在推进信息放置在下列条件
化的内容:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面
UCT生命周期,包括产品合格,初始生产,并在随后的阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件
进制内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通
销售网络的CE 。
ii
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
2005年S71PL129Jxx_00_A8 10月28日,
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
PSRAM 128兆位( 8M ×16位) CMOS 3.0伏只
同时操作,页面模式闪存
64/32/16兆位( 4M / 2M / 1M ×16位)伪静态RAM
数据表
ADVANCE
信息
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
- 65ns ( 65ns闪存, PSRAM为70ns )
- 8 X 11.6 X 1.2毫米64球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C (无线)
= -40 ° C至+ 85 ° C(工业级)
双CE#闪存
概述
该S71PL129J系列是堆叠多芯片产品的生产线(MCP)封装
年龄段和由以下组成:
一S29PL129J闪存存储器芯片
一个16M ,32M, 64M或PSRAM
包括在本文档中的产品列于下表中。有关详细信息
他们的规格,请参阅单独的数据表组成的
进一步的细节。
闪存密度
128Mb
64Mb
PSRAM
密度
32Mb
16Mb
S71PL129JC0
S71PL129JB0
S71PL129JA0
公开号
S71PL129Jxx_00
调整
A
修订
8
发行日期
2005年10月28日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。别
在设计该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
产品选择指南
128兆闪存
设备型号#
S71PL129JA0-9P
S71PL129JB0-9Z
S71PL129JB0-9B
S71PL129JB0-9U
S71PL129JC0-9B
S71PL129JC0-9Z
S71PL129JC0-9U
PSRAM的密度
16M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
64M PSRAM
64M PSRAM
64M PSRAM
闪存存取时间(纳秒) ( P) SRAM的访问时间(纳秒) PSRAM类型
65
65
65
65
65
65
65
70
70
70
70
70
70
70
7类
7类
TYPE 2
6类
TYPE 2
7类
6类
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
2
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
2005年S71PL129Jxx_00_A8 10月28日,
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
请注意在数据表指定。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。二
超前信息................................................ ....................................... II
初步..........................................................................................................ii
组合.......................................................................................................ii
满负荷生产(无文件上指定) ...................................二
持久保护位( PPB ) ............................................ ........................... 33
持久保护位锁定( PPB锁) .......................................... ........ 33
动态保护位( DYB ) ............................................ ............................ 33
持久扇区保护模式锁定位....................................... 35
密码保护模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
密码和密码模式锁定位............................................ .... 36
64位密码.............................................. .................................................. .. 36
写保护( WP # ) ............................................ ........................................... 36
持久保护位锁定.............................................. ..................... 37
高压扇区保护.............................................. ....................... 37
图1.在系统扇区保护/ unprotection的部门
算法................................................. ....................... 38
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
MCP特点........................................................................................................ 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.2
128兆闪存.............................................. ............................................ 2
临时机构撤消............................................... ......................... 39
图2.临时机构撤消操作................... 39
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7
输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
引脚说明......................................................................................................8
逻辑符号...........................................................................................................8
安全硅扇区闪存地区........................................... 39
工厂锁定的区域( 64个字) .......................................... .................... 40
客户可锁定区域( 64个字) .......................................... ............ 40
安全硅扇区保护位............................................. ....... 40
图3.安全硅部门保护验证...................... 41
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
TLA064-64球细间距球栅阵列( FBGA )
8× 11.6毫米包装............................................. ............................................... 11
硬件数据保护............................................... ............................... 41
低VCC写禁止.............................................. ................................... 41
写脉冲“毛刺”保护............................................ .................... 41
逻辑禁止....................................................................................................41
上电写禁止............................................. ................................... 41
S29PL129J的MCP
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
零延迟...................... 14同步读/写操作
页面模式功能............................................... ............................................ 14
标准闪存产品特点.............................................. ..................... 14
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 42
表8. CFI查询标识字符串................................ 42
表9.系统接口字符串......................................... 43
表10.设备几何定义................................... 43
表11.主要供应商特定的扩展查询................ 43
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
读阵列数据............................................... ............................................ 45
复位命令................................................ ................................................. 45
自选命令序列............................................... ..................... 46
进入安全硅行业/退出安全硅
部门命令序列............................................... ............................. 46
Word程序命令序列.............................................. ............. 46
解锁绕道命令序列.............................................. .......... 47
图4.程序运行............................................. .. 48
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
表1. PL129J设备总线操作................................ 19
对于读阵列数据要求............................................. ............ 19
随机读取(非页读) .......................................... ..................... 20
页面模式读取............................................... .............................................. 20
表2页选择............................................. ............. 20
同时读/写操作............................................. ............. 20
写命令/命令序列............................................. .... 21
加快程序运行............................................... ................ 21
自选功能................................................ ..................................... 21
待机模式........................................................................................................21
自动休眠模式............................................... ...................................... 22
RESET # :硬件复位引脚............................................ ............................ 22
输出禁止模式............................................... ........................................ 22
表3. S29PL129J部门架构............................... 23
表4.安全硅扇区地址............................ 29
芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 48
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 49
图5.擦除操作............................................. ...... 50
自选模式................................................ ................................................ 29
表5.自动选择编码PL129J ................................... 30
表6.为保护PL129J引导扇区/扇区块地址/
解除保护................................................. .................... 31
选择一个扇区保护模式............................................. ................. 32
表7.扇区保护计划..................................... 32
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
持久扇区保护............................................... ............................ 32
密码扇区保护............................................... ............................. 32
WP #硬件保护.............................................. ............................... 32
选择一个扇区保护模式............................................. ................. 32
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 50
密码程序命令............................................... ......................... 51
密码验证命令............................................... ............................... 51
密码保护模式锁定位程序命令............... 51
持久扇区保护模式锁定位程序命令52
安全硅扇区保护位程序命令.................. 52
PPB锁定位设置命令............................................. ............................... 52
DYB写命令............................................... ....................................... 52
密码解锁指令............................................... ........................... 52
PPB程序命令............................................... ................................... 53
所有PPB擦除命令.............................................. .................................... 53
DYB写命令............................................... ....................................... 53
PPB锁定位设置命令............................................. ............................... 53
命令............................................................................................................. 54
命令定义表............................................... .......................... 54
表12.内存阵列命令定义...................... 54
表13.扇区保护命令定义.................. 55
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56
DQ7 :数据#投票............................................. ............................................... 56
图6.数据#投票算法........................................ 58
持久扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
2005年10月28日S71PL129Jxx_00_A8
S71PL129JC0/S71PL129JB0/S71PL129JA0
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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