STD11NM60N - 1 - STB11NM60N / -1
STD11NM60N-STP11NM60N-STF11NM60N
N沟道600 V - 0.37
- 10 A - TO- 220 - TO- 220FP-我
2
PAK - IPAK
DPAK - D
2
PAK第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STB11NM60N-1
STB11NM60N
STD11NM60N
STD11NM60N-1
STF11NM60N
STP11NM60N
V
DSS
(@T
J
MAX ）
650 V
650 V
650 V
650 V
650 V
650 V
R
DS （ ON）
最大
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
I
D
1
2
3
3
3
2
1
1
10 A
10 A
10 A
10 A
10 A
(1)
10 A
TO-220
DPAK
IPAK
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
3
12
3
1
1
3
2
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
IPAK
DPAK
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
这一系列的设备使用的是设计
第二代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
需要高效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
B11NM60N
11NM60N
D11NM60N
D11NM60N
P11NM60N
F11NM60N
转4
包
IPAK
DPAK
IPAK
DPAK
TO-220
TO-220FP
包装
管
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
管
管
1/21
www.st.com
21
订购代码
STB11NM60N-1
STB11NM60N
STD11NM60N-1
STD11NM60N
STP11NM60N
STF11NM60N
2008年3月
目录
STD11NM60N / -1 - STB11NM60N / -1 - STF11NM60N - STP11NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2/21
STD11NM60N / -1 - STB11NM60N / -1 - STF11NM60N - STP11NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220/IPAK
D / DPAK / IPAK
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
J
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
通向外部的散热器（吨= 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
--
-55到150
150
10
6.3
40
90
0.8
15
2500
600
± 25
10
(1)
6.3
(1)
40
(1)
25
0.2
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
=
80%
V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO- 220 IPAK DPAK DPAK IPAK TO- 220FP
热阻
结案件最大
热阻
结AMB最大
热阻
结PCB最大
最大的铅
焊接温度
施行
--
62.5
--
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
1.38
--
50
--
30
100
--
5
62.5
--
° C / W
° C / W
° C / W
T
l
300
°C
3/21
电气额定值
STD11NM60N / -1 - STB11NM60N / -1 - STF11NM60N - STP11NM60N
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
3.5
200
单位
A
mJ
4/21
STD11NM60N / -1 - STB11NM60N / -1 - STF11NM60N - STP11NM60N
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 400 V，I
D
= 5 A,
V
GS
=10 V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
2
3
0.37
分钟。
600
45
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.
4
0.45
特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 5 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
分钟。
典型值。
7.5
850
44
5
130
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
=0, V
DS
= 0 480 V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 10 A
V
GS
=10 V
（参见图19）
Rg
3.7
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
31
4.2
15.9
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
5/21
STD11NM60N -1 - STB11NM60N -1-
STD11NM60N-STP11NM60N-STF11NM60N
N沟道600V - 0.37Ω - 10A - TO- 220 / FP- I / I
2
PAK - DPAK
第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STB11NM60N-1
STD11NM60N
STD11NM60N-1
STF11NM60N
STP11NM60N
V
DSS
(@T
J
MAX ）
650 V
650 V
650 V
650 V
650 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
I
D
1
2
3
3
2
1
10 A
10 A
10 A
10 A
(1)
10 A
TO-220
3
1
IPAK
DPAK
3
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
3
12
1
2
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
IPAK
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
这一系列的设备使用的是设计
第二代的MDmesh 技术。
这一革命性的功率MOSFET关联一个
新的垂直结构给公司带
布局产生了世界上最低的导通之一
电阻和栅极电荷。因此，较为合适
为最苛刻的高效率
转换器。
表1中。
设备简介
记号
B11NM60N
D11NM60N
D11NM60N
P11NM60N
F11NM60N
包
IPAK
IPAK
DPAK
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
磁带&卷轴
管
管
订购代码
STB11NM60N-1
STD11NM60N-1
STD11NM60N
STP11NM60N
STF11NM60N
2007年10月
REV 3
1/18
www.st.com
18
目录
STD11NM60N / -1 - STB11NM60N - 1 - STF11NM60N - STP11NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/18
STD11NM60N / -1 - STB11NM60N - 1 - STF11NM60N - STP11NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220/IPAK
DPAK / IPAK
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
通向外部的散热器（吨= 1秒;吨
C
= 25 °C)
工作结温
储存温度
--
-55到150
10
6.3
40
90
0.8
15
2500
600
± 25
10
(1)
6.3
(1)
40
(1)
25
0.2
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
图10A中， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
=80%
V
（ BR ） DSS
表3中。
热数据
价值
符号
参数
的TO- 220 / I2PAK
DPAK / IPAK
单位
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
施行
1.38
62.5
300
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
3.5
200
单位
A
mJ
3/18
电气特性
STD11NM60N / -1 - STB11NM60N - 1 - STF11NM60N - STP11NM60N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 400 V，I
D
= 5 A,
V
GS
=10 V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
2
3
0.37
分钟。
600
45
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.
4
0.45
特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 5 A
分钟。
典型值。
7.5
850
44
5
130
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 50V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0 V至480 V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 10 A
V
GS
=10 V
（参见图19）
Rg
3.7
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
31
4.2
15.9
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/18
STD11NM60N / -1 - STB11NM60N - 1 - STF11NM60N - STP11NM60N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
（参见图23）
分钟。
典型值。
22
18.5
50
12
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
=0
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
J
= 25 °C
（参见图20）
V
DD
=100 V
的di / dt = 100 A / μs的，我
SD
= 10 A
T
J
= 150 °C
（参见图20）
340
3.26
19.2
460
4.42
19.2
测试条件
分钟。
典型值。马克斯。单位
10
40
1.3
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/18
目录
STx11NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2/20
STx11NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220,IPAK,
DPAK ， DPAK ， IPAK
600
± 25
10
6.3
40
90
0.8
15
2500
-55到150
150
10
(1)
6.3
(1)
40
(1)
25
0.2
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
J
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
三根引线外部散热器（ T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO- 220 IPAK DPAK DPAK IPAK TO- 220FP
热阻
结案件最大
热阻
结AMB最大
热阻
结PCB最大
最大的铅
焊接温度
施行
62.5
50
30
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
1.38
100
5
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
T
l
300
°C
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
3.5
200
单位
A
mJ
3/20
STx11NM60N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
图18
图23
分钟。
典型值。
22
18.5
50
12
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
=0
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
=100 V
图20
V
DD
=100 V
的di / dt = 100 A / μs的，我
SD
= 10 A
T
J
= 150 °C
图20
340
3.26
19.2
460
4.42
19.2
测试条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
10
40
1.3
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2.1
图2中。
电特性（曲线）
安全工作区的TO- 220 ，
IPAK ， DPAK
网络连接gure 3 。
对于TO- 220热阻抗，
IPAK ， DPAK
5/20
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