的GaAs -IR- Lumineszenzdioden
砷化镓红外发射器
SFH 415
SFH 416
阴极
29
27
9.0
8.2
间距
2.54 mm
0.4
0.8
1.8
1.2
7.8
7.5
5.9
5.5
4.8
5.1
面积不平坦
芯片位置
4.8
4.2
0.6
0.4
GEO06645
面积不平坦
0.6
0.4
6.9
6.1
5.7
5.5
2.54 mm
间距
0.8
0.4
5.9
5.5
1.8
1.2
29.5
27.5
阴极（二极管）
收集器（晶体管）
5.1
4.8
4.0
3.4
芯片位置
0.6
0.4
fex06630
GEX06630
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
砷化镓红外Lumineszenzdioden ， hergestellt
IM Schmelzepitaxieverfahren
q
固特Linearitt （我
e
=
f
[
I
F
] ）北霍恩Strmen
q
雅适达赫Wirkungsgrad
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
霍厄Impulsbelastbarkeit
q
SFH 415 ： Gehusegleich MIT SFH 300 ，
SFH 203
Anwendungen
q
IR- Fernsteuerung冯Fernseh- UND
Rundfunkgerten ， Videorecordern ，
Lichtdimmern
q
Gertefernsteuerungen
特点
q
砷化镓红外发光二极管，在制造
液相外延工艺
q
良好的线性关系（我
e
=
f
[
I
F
] ）在高电流
q
高效率
q
高可靠性
q
高脉冲处理能力
q
SFH 415 ：同一个包SFH 300 ，
SFH 203
应用
q
Hi-Fi和的电视机，视频的红外遥控器
录音机，调光器
q
各种设备进行远程控制
半导体集团
1
1999-02-04
fexf6626
0.4
0.6
SFH 415
SFH 416
典型值
TYPE
SFH 415
SFH 415 -T
SFH 415 -U
SFH 416 -R
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P296
Q62702-P1136
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Gehuse
包
5毫米-LED- Gehuse （T1
3
/
4
） ，施瓦茨eingefrbt ，中An-
schlu IM 2.54 - mm的光栅（
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung ： kürzerer并吞
5毫米LED封装（T 1
3
/
4
） ，黑色的环氧树脂
镜头，焊片引脚间距2.54毫米（
1
/
10
''），阴极
标记：短脚
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
t
p
= 10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 100
100
5
100
3
165
450
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
半导体集团
2
1999-02-04
SFH 415
SFH 416
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 100米的
Abstrahlwinkel
半角
SFH 415
SFH 416
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktive Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片前端镜头顶部
SFH 415
SFH 416
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯
90 ％奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
I
e
从10％到90％和
从90 ％到10％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
950
统一性
单位
nm
λ
55
nm
±
17
±
28
0.09
0.3
×
0.3
毕业生
度。
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
H
t
r
,
t
f
4.2 ... 4.8
3.4 ... 4.0
0.5
mm
mm
s
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.3
(≤
1.5)
2.3
(≤
2.8)
0.01
(≤
1)
V
V
A
Φ
e
22
mW
半导体集团
3
1999-02-04
SFH 415
SFH 416
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
（续）
bezeichnung
描述
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 0.5
统一性
单位
%/K
TC
I
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.3
毫伏/ K
纳米/ K
Gruppierung德Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
描述
符号
符号
SFH
415
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
SFH
415-T
Werte
值
SFH
415-U
SFH
416-R
统一性
单位
I
ê MIN
I
ê MAX
≥
25
–
25
50
> 40
–
＆ GT ; 10
–
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
I
典型。
–
380
600
150
毫瓦/ SR
半导体集团
4
1999-02-04
QQ：2880707522 复制
