Si3552DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.105 @ V
GS
= 10 V
0.175 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"2.5
"2.0
"1.8
"1.2
P沟道
–30
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.360 @ V
GS
= –4.5 V
D
1
S
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
G
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
30
"20
"2.5
"2.0
"8
1.05
1.15
P沟道
–30
"20
"1.8
"1.2
"7
–1.05
单位
V
A
W
0.73
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结对铅
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
5秒
文档编号： 70971
S- 61831 -REV 。 A， 23 - 8 - 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJL
典型
93
130
75
最大
110
150
90
单位
° C / W
2-1
Si3552DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= –1.8 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.2 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –1.8 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
A
–5
0.085
0.165
0.140
0.298
4.3
S
2.4
0.81
–0.83
1.10
V
–1.10
0.105
0.200
0.175
0.360
W
1.0
V
–1.0
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
V
SD
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
CH
通道
l
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 1.8 A
P沟道
V
DS
= –15 V V
GS
= -5 V I
D
= –1.8 A
15 V,
5 V,
18
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
时间
t
D（上）
CH
l
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V R
L
= 15
W
15 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
1
10
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
后退R
R
恢复时间
Ti
t
f
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / MS
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
2.1
2.4
0.7
nC
C
0.9
0.7
0.8
7
8
9
12
13
12
5
7
35
30
11
12
14
18
20
ns
18
8
11
60
60
3.2
3.6
栅极 - 源电荷
Q
gs
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
t
rr
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70971
S- 61831 -REV 。 A， 23 - 8 - 99
Si3552DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10直通5 V
8
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
8
10
T
C
= –55_C
25_C
Vishay Siliconix公司
N沟道
传输特性
6
4V
6
125_C
4
4
2
2V
0
0
1
2
3
4
5
3V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.25
300
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.20
- 电容（pF ）
250
C
国际空间站
0.15
V
GS
= 4.5 V
200
V
GS
= 10 V
0.10
150
100
C
OSS
50
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
0.05
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
1.8
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 15 V
I
D
= 1.8 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
6
4
2
0
0
1
2
3
4
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70971
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S
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新产品
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.40
I
D
= 2 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.32
I
D
= 2.5 A
0.24
I
S
- 源电流（ A）
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
1
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
6
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
功率（W）的
8
单脉冲功率（结到环境）
0.2
–0.2
4
–0.4
2
–0.6
–0.8
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
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文档编号： 70971
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Si3552DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
N沟道
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10到7 V
8
6
I D - 漏电流（ A）
5V
6
I D - 漏电流（ A）
25_C
6V
8
P沟道
传输特性
T
C
= –55_C
4
125_C
4
4V
2
2V
0
0
1
2
3
4
5
3V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.6
300
电容
0.5
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
240
C
国际空间站
0.4
V
GS
= 4.5 V
180
0.3
V
GS
= 10 V
120
C
OSS
60
C
RSS
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
文档编号： 70971
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V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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2-5
Si3552DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.105 @ V
GS
= 10 V
0.175 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"2.5
"2.0
"1.8
"1.2
P沟道
–30
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.360 @ V
GS
= –4.5 V
D
1
S
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
G
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
30
"20
"2.5
"2.0
"8
1.05
1.15
P沟道
–30
"20
"1.8
"1.2
"7
–1.05
单位
V
A
W
0.73
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结对铅
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
5秒
文档编号： 70971
S- 61831 -REV 。 A， 23 - 8 - 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJL
典型
93
130
75
最大
110
150
90
单位
° C / W
2-1
Si3552DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= –5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= –1.8 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.2 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –1.8 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
A
–5
0.085
0.165
0.140
0.298
4.3
S
2.4
0.81
–0.83
1.10
V
–1.10
0.105
0.200
0.175
0.360
W
1.0
V
–1.0
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
V
SD
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
CH
通道
l
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 1.8 A
P沟道
V
DS
= –15 V V
GS
= -5 V I
D
= –1.8 A
15 V,
5 V,
18
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
时间
t
D（上）
CH
l
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V R
L
= 15
W
15 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
1
10
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
后退R
R
恢复时间
Ti
t
f
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / MS
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
2.1
2.4
0.7
nC
C
0.9
0.7
0.8
7
8
9
12
13
12
5
7
35
30
11
12
14
18
20
ns
18
8
11
60
60
3.2
3.6
栅极 - 源电荷
Q
gs
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
t
rr
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70971
S- 61831 -REV 。 A， 23 - 8 - 99
Si3552DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10直通5 V
8
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
8
10
T
C
= –55_C
25_C
Vishay Siliconix公司
N沟道
传输特性
6
4V
6
125_C
4
4
2
2V
0
0
1
2
3
4
5
3V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.25
300
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.20
- 电容（pF ）
250
C
国际空间站
0.15
V
GS
= 4.5 V
200
V
GS
= 10 V
0.10
150
100
C
OSS
50
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
0.05
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
1.8
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 15 V
I
D
= 1.8 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
6
4
2
0
0
1
2
3
4
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70971
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Si3552DV
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新产品
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.40
I
D
= 2 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.32
I
D
= 2.5 A
0.24
I
S
- 源电流（ A）
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
1
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
6
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
功率（W）的
8
单脉冲功率（结到环境）
0.2
–0.2
4
–0.4
2
–0.6
–0.8
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
占空比= 0.5
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N沟道
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10到7 V
8
6
I D - 漏电流（ A）
5V
6
I D - 漏电流（ A）
25_C
6V
8
P沟道
传输特性
T
C
= –55_C
4
125_C
4
4V
2
2V
0
0
1
2
3
4
5
3V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.6
300
电容
0.5
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
240
C
国际空间站
0.4
V
GS
= 4.5 V
180
0.3
V
GS
= 10 V
120
C
OSS
60
C
RSS
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
文档编号： 70971
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V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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