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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1369页 > SSR2N60
SSR2N60B / SSU2N60B
2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
600V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率开关模式电源。
特点
1.8A ， 600V ，R
DS （ ON）
= 5.0 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值12.5 NC）
低的Crss （典型值7.6 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
D
!
●
▲
●
●
G
S
D- PAK
SSR系列
I- PAK
摹 S
SSU系列
G
!
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
SSR2N60B / SSU2N60B
600
1.8
1.1
6.0
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C) *
功率耗散（T
C
= 25°C)
120
1.8
4.4
5.5
2.5
44
0.35
-55到+150
300
T
J
, T
英镑
T
L
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
典型值
--
--
--
最大
2.87
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
600
--
--
--
--
--
--
0.65
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.9 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 0.9 A
（注4 ）
2.0
--
--
--
3.8
1.85
4.0
5.0
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
380
35
7.6
490
46
9.9
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
V
DD
= 300 V，I
D
= 2.0 A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
16
50
40
40
12.5
2.2
5.4
40
110
90
90
17
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.8 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
250
1.31
1.8
6.0
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 68mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
2.0A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
典型特征
10
0
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部： 5.0 V
上图：
10
0
150 C
o
10
-1
25 C
-55 C
o
o
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 40V
2. 250μ s脉冲测试
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
18
15
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
12
V
GS
= 20V
9
I
DR
，反向漏电流[ A]
V
GS
= 10V
10
0
6
150℃
25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
3
※
注：t
J
= 25℃
0
0
1
2
3
4
5
6
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
800
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
GS
，栅源电压[V]
600
电容[ pF的]
C
国际空间站
400
8
V
DS
= 480V
6
C
OSS
200
4
C
RSS
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
2
※
注：我
D
= 2.0 A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.0 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
2.0
1
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1.6
100
s
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
0
10毫秒
DC
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
I
D
，漏电流[ A]
1.2
0.8
0.4
10
0
10
1
10
2
10
3
0.0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[ ℃ ]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 2 .8 7
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
θ
JC
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
V
DS
90%
10V
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
DUT
t
p
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
V
DD
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
10V
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
600V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率开关模式电源。
特点
1.8A ， 600V ，R
DS （ ON）
= 5.0 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值12.5 NC）
低的Crss （典型值7.6 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
D
!
●
▲
●
●
G
S
D- PAK
SSR系列
I- PAK
摹 S
SSU系列
G
!
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
SSR2N60B / SSU2N60B
600
1.8
1.1
6.0
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C) *
功率耗散（T
C
= 25°C)
120
1.8
4.4
5.5
2.5
44
0.35
-55到+150
300
T
J
, T
英镑
T
L
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
典型值
--
--
--
最大
2.87
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
600
--
--
--
--
--
--
0.65
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.9 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 0.9 A
（注4 ）
2.0
--
--
--
3.8
1.85
4.0
5.0
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
380
35
7.6
490
46
9.9
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
V
DD
= 300 V，I
D
= 2.0 A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
16
50
40
40
12.5
2.2
5.4
40
110
90
90
17
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.8 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
250
1.31
1.8
6.0
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 68mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
2.0A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
典型特征
10
0
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部： 5.0 V
上图：
10
0
150 C
o
10
-1
25 C
-55 C
o
o
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 40V
2. 250μ s脉冲测试
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
18
15
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
12
V
GS
= 20V
9
I
DR
，反向漏电流[ A]
V
GS
= 10V
10
0
6
150℃
25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
3
※
注：t
J
= 25℃
0
0
1
2
3
4
5
6
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
800
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
GS
，栅源电压[V]
600
电容[ pF的]
C
国际空间站
400
8
V
DS
= 480V
6
C
OSS
200
4
C
RSS
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
2
※
注：我
D
= 2.0 A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.0 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
2.0
1
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1.6
100
s
I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10
0
10毫秒
DC
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
I
D
，漏电流[ A]
1.2
0.8
0.4
10
0
10
1
10
2
10
3
0.0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[ ℃ ]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 2 .8 7
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
θ
JC
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
SSR2N60B / SSU2N60B
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
V
DS
90%
10V
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
DUT
t
p
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
V
DD
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
10V
2001仙童半导体公司
版本B ， 2001年11月
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